民國108年 第1梯次 數位電子乙級 學科
第8題
已知一積體電路使用半導體製程90 奈米技術,其90 奈米指MOSFET 元件閘極的
題目
已知一積體電路使用半導體製程90 奈米技術,其90 奈米指MOSFET 元件閘極的
- (1) 長度L
- (2) 高度H
- (3) 寬度W
- (4) 厚度T
官方答案
(1) 長度L
解析
半導體製程所稱的「90 奈米」，指的是 MOSFET 閘極下方的通道長度 L（即閘極線寬）。通道長度愈短，載子渡越時間愈短，操作速度愈高，且元件面積縮小，可提升晶片積集度，這就是摩爾定律的微縮概念。閘極寬度 W 主要影響驅動電流大小與元件佈局面積；高度 H 與厚度 T 則屬結構或氧化層厚度參數，並非製程節點的命名依據，因此答案為長度 L。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。