民國108年 第3梯次 數位電子乙級 學科
第28題
FET 的IDSS 是在下列何種條件下所測得的V DS?
題目
FET 的IDSS 是在下列何種條件下所測得的V DS?
- (1) VG G =0V
- (2) IDS=0V
- (3) V DD=0V
- (4) V G S=0V
官方答案
(4) V G S=0V
解析
場效電晶體（FET，特別是 JFET）的 IDSS 定義為閘極與源極短路（VGS = 0V）時，汲極到源極的飽和電流。所以測量 IDSS 的條件是 VGS = 0V（選項 4）。選項 1 的 VGG=0V 表述不清，關鍵在閘源電壓為零；選項 2、3 非此定義。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。