民國110年 第3梯次 數位電子乙級 學科
第25題
已知一積體電路使用半導體製程90 奈米技術,其90 奈米指MOSFET 元件閘極的
題目
已知一積體電路使用半導體製程90 奈米技術,其90 奈米指MOSFET 元件閘極的
- (1) 高度H
- (2) 厚度 T
- (3) 寬度W
- (4) 長度L
官方答案
(4) 長度L
解析
半導體製程所稱「90 奈米（90nm）」製程節點，通常指 MOSFET 閘極（Gate）之通道長度 L（即閘極長度），代表源極與汲極間通道的尺寸，是影響晶片速度與積體度之關鍵。隨製程進步，閘極長度縮小可使電晶體切換更快、單位面積可容納更多電晶體。因此 90 奈米係指閘極長度 L，而非高度 H、厚度 T 或寬度 W，選項 4 正確。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。