民國104年 第3梯次 電腦硬體裝修乙級 學科
第19題
能以電性方式( 加反向電壓) 抹除儲存資料之唯讀記憶體,其英文簡稱為
題目
能以電性方式( 加反向電壓) 抹除儲存資料之唯讀記憶體,其英文簡稱為
- (1) D R A M
- (2) S R A M
- (3) R O M
- (4) E E P R O M
官方答案
(4) E E P R O M
解析
EEPROM 是「電可抹除可程式化唯讀記憶體」，可藉由加反向電壓（電場）抹除資料，再以電性方式重新寫入，且斷電後資料仍保留，故選 EEPROM。DRAM 與 SRAM 都屬揮發性隨機存取記憶體，需持續供電，並非唯讀；一般 ROM 多為出廠或燒錄後固定，EPROM 則需紫外線抹除，不能只靠反向電壓抹除。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。