有關矽空乏型MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？

題目

有關矽空乏型MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？ A. n 通道的空乏型MOSFET 是使用p 型基座（substrate） B. n 通道的空乏型MOSFET 需另加正值VGS，才能感應出通道 C. 其通道電流ID 會隨二氧化矽（SiO2）的厚度減少而增加 D. n 通道的空乏型MOSFET 之VGS 的臨界電壓（threshold voltage）Vth 為負值

官方答案

• 答案：B. n 通道的空乏型MOSFET 需另加正值VGS，才能感應出通道

解析

空乏型 MOSFET 在製造時已於基座上形成實體通道，VGS = 0 時即有 IDSS 導通；要關閉通道須加負的 VGS（Vth 為負值），加正 VGS 只會增強通道。B 所述「需另加正值 VGS 才能感應出通道」是增強型的特性，故錯誤。A 正確：n 通道建在 p 型基座上；C 正確：SiO2 越薄，閘極電容與跨導越大，ID 越大；D 正確：Vth 為負。

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官方資料

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