室溫下的N 型矽半導體中，摻雜施體濃度為1015 cm3，其多數載子濃度與施體離子的正電荷濃度關係為何？

題目

室溫下的N 型矽半導體中，摻雜施體濃度為1015 cm3，其多數載子濃度與施體離子的正電荷濃度關係為何？ A. 多數載子濃度大得多 B. 大約相等 C. 施體離子濃度大得多 D. 兩者無關

官方答案

• 答案：B. 大約相等

解析

N 型矽在熱平衡下須滿足電中性條件 n + NA⁻ = p + ND⁺。因施體濃度 10¹⁵ cm⁻³ 遠大於室溫本質濃度 ni（約 10¹⁰ cm⁻³），多數載子電子濃度 n ≈ ND⁺，即與施體離子正電荷濃度大致相等，少數載子電洞可忽略。故選 B；A、C 的「大得多」與電中性條件不符，D 亦非無關。

AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。

官方資料

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