有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？

題目

有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？ A. 射極對基底 B. 汲極對基底 C. 閘極對源極 D. 源極對基底

官方答案

• 答案：C. 閘極對源極

解析

MOSFET 通道由閘極-源極電壓 VGS 控制。當 VGS > Vth 時在表面形成反轉層通道，通道寬度（實為深度/電導）隨 VGS 增大而增加。選項 C「閘極對源極」即 VGS，為控制通道的關鍵壓降。射極、汲極、基底術語為 BJT 或體極，非 MOSFET 主要控制端。

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