有關絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）之特性，下列何者正確？

題目

有關絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）之特性，下列何者正確？ A. 輸入與輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似 B. 輸入與輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似 C. 輸入特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似、輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似 D. 輸入特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似、輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似

官方答案

• 答案：C. 輸入特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似、輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似

解析

IGBT 的閘極採用 MOS 結構，以電壓驅動，輸入阻抗極高、驅動功率小，因此輸入特性與 MOSFET 相似；但導通時由 P 層注入少數載子，形成電導調變，輸出端具有低飽和壓降與大電流容量，特性與 BJT 相似。所以 IGBT 可視為結合 MOSFET 輸入與 BJT 輸出的複合元件。選項 A、B 只描述其中一半，選項 D 則把輸入與輸出特性對調，均不正確。

AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。

官方資料

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