關於快閃記憶體（Flash Memory）與動態隨機存取記憶體（DRAM）的比較，下列何者正確？

題目

關於快閃記憶體（Flash Memory）與動態隨機存取記憶體（DRAM）的比較，下列何者正確？ A. 快閃記憶體的讀寫速度比動態隨機存取記憶體快 B. 動態隨機存取記憶體必須要每隔一段時間重新充電一次，以保存其內部資料 C. 快閃記憶體的運作原理與傳統硬碟（Hard Disk）相同，都是用磁性材料記錄資料 D. 以每一位元的售價相比，動態隨機存取記憶體較快閃記憶體價格便宜

官方答案

• 答案：B. 動態隨機存取記憶體必須要每隔一段時間重新充電一次，以保存其內部資料

解析

DRAM 以電容儲存電荷代表位元，電容會漏電，因此必須週期性重新充電（refresh）才能維持資料，B 正確。A 錯誤：DRAM 為揮發性主記憶體，存取速度遠快於以浮閘捕捉電子、須整塊抹除的快閃記憶體。C 錯誤：快閃記憶體屬半導體電子元件，靠浮閘電荷儲存，與硬碟的磁性記錄原理不同。D 錯誤：以每位元成本比較，DRAM 單位容量價格高於快閃記憶體，並非較便宜。故選 B。

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官方資料

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