有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓vI 的波形如下所示，VDD= 5 V，假設兩個電晶體QP、QN 的特性參數一致，…

題目

有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓vI 的波形如下所示，VDD= 5 V，假設兩個電晶體QP、QN 的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為|Vth| = 0.5 V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即noxpoxnpWWCCLL。試研判電晶體QP在時間t1 最可能的工作模式？ A. 飽和模式（Saturation mode） B. 線性模式（Linear mode） C. 次臨界模式（Subthreshold mode） D. 截止模式（Cut-off mode）RLvOR2R1R3R4－1 V+1 V層層層層層層層~2 Vt2t1~4 V

官方答案

答案：A. 飽和模式（Saturation mode）

官方資料

答案以考選部公告之測驗式試題標準答案 PDF 為準。