有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 1…

題目

有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL= 5 μF，電晶體電流增益βQ1 =βQ2 = 100。試研判電晶體Q2 的集極電流（collector current）比較高的時間點。 A. 0 與t1 B. 0 與T C. t1 與t2 D. T 與t2

官方答案

• 答案：C. t1 與t2

解析

此電路中 Q1、Q2 之基極分別由 VI1、VI2 經 R1、R2 驅動，屬於兩電晶體交互作用之結構；Q2 是否導通取決於 VI2 是否高於其基射極導通電壓（約 0.7 V）。當 VI2 處於高電位、即 t1 至 t2 期間，Q2 基極電流充足（β=100，R2=1 kΩ 限制基極電流），電晶體進入飽和或主動區，集極電流最大；其餘時段 VI2 為低電位，Q2 截止，集極電流近乎零。故選 C。

AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。

官方資料

• 官方試題 PDF
• 官方答案 PDF

答案以考選部公告之測驗式試題標準答案 PDF 為準。