工作在飽和區的空乏型N 通道MOSFET，IDSS = 4 mA，VTH = -3 V，若ID =16 mA，VGS 為何？

題目

工作在飽和區的空乏型N 通道MOSFET，IDSS = 4 mA，VTH = -3 V，若ID =16 mA，VGS 為何？ A. 3 V B. 6 V C. 9 V D. 12 V

官方答案

• 答案：A. 3 V

解析

空乏型 N 通道 MOSFET 飽和區電流公式為 ID＝IDSS(1−VGS/VTH)²，其中 VTH＝−3 V。代入 IDSS＝4 mA、ID＝16 mA：16＝4(1−VGS/(−3))² → 4＝(1＋VGS/3)²。開根號取合理正根（VGS 增大使電流上升）：1＋VGS/3＝2 → VGS＝3 V。另一根 1＋VGS/3＝−2 得 VGS＝−9 V，低於 VTH（−3 V）且與電流隨 VGS 增大而增的物理趨勢矛盾，捨去。故 VGS＝3 V，選 A。

AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。

官方資料

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