關於半導體偵檢器（semiconductor detector

題目

關於半導體偵檢器（semiconductor detector A. 採用順向偏壓可以增大空乏區（depletion region B. 硼可作為p 型半導體的受體（acceptor C. 磷可作為n 型半導體的施體（donor D. 空乏區的游離電子往n 型半導體移動

官方答案

• 答案：A. 採用順向偏壓可以增大空乏區（depletion region

解析

半導體偵檢器操作於逆向偏壓（reverse bias），而非順向偏壓：逆向偏壓使多數載子被拉離接面，空乏區（depletion region）加寬、內建電場增強，可降低接面電容並提高游離電荷收集效率，故 A 敘述錯誤。B、C 正確：硼為三價元素，可作為 p 型半導體的受體（acceptor）；磷為五價元素，可作為 n 型半導體的施體（donor）。D 亦正確：空乏區內產生的電子電洞對受電場作用，電子往正電位側的 n 型區漂移，電洞往 p 型區移動。本題問錯誤者，答案為 A。

AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。

官方資料

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