民國97年 第3梯次 11700 數位電子乙級 學科歷屆試題與答案，共 80 題可線上瀏覽，適合查詢考古題、題庫與解答。
下列對R S - 232 C 信號之描述何者不正確 1. 正電壓表示邏輯零 2. s p a c e 狀態之電壓為+ 3 V ~ + 15 V 3. 負電壓表示停止 4. 為正邏輯位準。
答案：(4) 為正邏輯位準
解析：RS-232C採負邏輯位準：-3V～-15V代表邏輯1（mark），也就是線路閒置與停止位元時的狀態；+3V～+15V代表邏輯0（space）。因此「正電壓表示邏輯零」符合規範，「space狀態電壓為+3V～+15V」正確，「負電壓表示停止（mark）」也正確；只有「為正邏輯位準」這項描述不正確，因為RS-232C用的是負邏輯，電壓越負才代表邏輯1。
將監督程式放在R O M 內稱之為 1. 韌體 2. 軟體 3. 硬體 4. 半導體。
答案：(1) 韌體
解析：將監督程式（monitor program）、開機自我測試或控制程式固化在 ROM 中，使硬體一上電即可執行，這種「介於硬體與軟體之間」的程式稱為韌體（firmware），如 BIOS 即為典型例子。軟體泛指可載入、可更換的程式與資料；硬體指實體的電路與元件；半導體則是材料與元件類別。三者都不能用來描述「燒錄在 ROM 內的程式」這種兼具硬體依存性與程式性質的型態。
束線時,遇有導線欲分歧時,束線匝應匝在分歧點的位置為? 1. 後面 2. 前面 3. 兩邊都匝 4. 不限定。
答案：(2) 前面
如下圖所示電路為何種負回授電路? 1. 電壓串聯負回授電路 2. 電壓並聯負回授電路 3. 電流串聯負回授電路 4. 電流並聯負回授電路。
答案：(2) 電壓並聯負回授電路
如下圖為一R C 充電波形,若輸入電壓為E,求第一個R C 時間常數的A 點到第二個R C 時間 常數的B 點間,電壓共增加若干? 1. 0 . 63 E 2. 0 . 37 E 3. 0 . 63 ‧ 0 . 37 E 4. 0 . 63 ‧ 0 . 63 E 。
答案：(3) 0 . 63 ‧ 0 . 37 E
當共射極放大器之集極電流增大時,其集極功率損耗 1. 視工作點的位置決定增加或減少 2. 必然隨之增加 3. 必然隨之減少 4. 必將導致熱跑脫。
答案：(1) 視工作點的位置決定增加或減少
解析：集極功率損耗 P＝VCE × IC。在電阻負載的共射極電路中，IC 增大時 VCE＝VCC－IC·RC 隨之下降，兩者乘積並非單調增加，而是在工作點接近負載線中點時最大，故損耗增減須視工作點位置決定。熱跑脫是溫度上升使 IC 增大、IC 增大又使溫度上升的失控現象，並非 IC 增大必然導致的結果。
I B M P C / A T 所使用的程式中斷控制器,其編號為 1. 8237 2. 8253 3. 8255 4. 8259 。
答案：(4) 8259
解析：IBM PC/AT 採用 8259A 可程式化中斷控制器（PIC）來管理硬體中斷，PC/AT 使用兩顆串接（master 與 slave）以提供 16 條 IRQ。8237 是 DMA 控制器、8253 是可程式計時／計數器（PC 上用於產生計時中斷與喇叭音頻）、8255 是並列 I/O 介面。三者功能各異，都不是中斷控制器，故選 8259。
下列何種類型的P R O M 可以不需要從腳座上移開,即可進行清除或更新其內部儲存資料? 1. U V - E P R O M 2. E P R O M 3. O T P R O M 4. E P R O M 。
答案：(4) E P R O M
下列何者是附有安全接地裝置的110 V 插座外形 1. 2. 3. 4. 。
頻率計數器的閘控時間( g a t e t i m e ) 愈長,下列何者為誤 1. 會得到愈準確的頻率計數值 2. 需要較多的計數位數 3. 需要較長的測量時間 4. 較易閱讀。
答案：(4) 較易閱讀
解析：閘控時間越長，計數器累計的脈波數越多，±1 計數的量化誤差相對變小，頻率解析度提高，因此計數值越準確，但測量時間也必須拉長；同時計數值變大，需要更多位數的計數器才能容納。位數變多、數字變長，判讀其實較不方便，並非「較易閱讀」，故第 4 項敘述錯誤。
下列對T T L 圖騰柱式輸出驅動器的特性說明何者不正確 1. 阻抗不會變動 2. 由高至低準位轉換快速 3. 阻抗高 4. 由低至高準立轉換快速。
答案：(3) 阻抗高
解析：圖騰柱式輸出級由上方電晶體負責主動拉高、下方電晶體負責拉低，無論輸出高或低，導通元件均呈低阻抗，因此「阻抗高」的敘述不正確。也因採主動充放電，高至低與低至高準位轉換都快速，適合驅動較大負載；其缺點是輸出端不可直接並聯。
下列敘述何者為錯誤? 1. C P U 由A L U 、A C C 與控制單元等組成 2. 堆疊是採用先進先出方式 3. 資料匯流排為雙向性 4. 旗標暫存器是指示A L U 運算的情況。
答案：(2) 堆疊是採用先進先出方式
解析：堆疊（stack）的特性是後進先出（LIFO），最後推入的資料最先被彈出，常用於副程式呼叫時保存返回位址、暫存器內容及中斷處理，並非先進先出；先進先出（FIFO）是佇列（queue）的特性。其餘敘述皆正確：CPU 主要由 ALU、ACC（累加器）與控制單元組成；資料匯流排可双向傳送資料；旗標暫存器用來記錄 ALU 運算後的狀態，如進位、零、溢位等。故錯誤者為 2。
在介面電路中通常使用下列何種元件與匯流排( B U S ) 連接? 1. 多工器 2. 正反器 3. 三態緩衝器 4. 計數器。
答案：(3) 三態緩衝器
解析：匯流排(BUS)為多裝置共享訊號線，為避免多輸出同時驅動造成線路衝突，介面電路使用三態緩衝器(tri-state buffer)，其輸出可為高態、低態與高阻抗態(Hi-Z)。未被選取時呈高阻抗切離匯流排，選取時才驅動，故為連接匯流排之標準元件。
一個位元組( B y t e ) 可以儲存一個A S C I I 字碼或幾個B C D 碼 1. 1 2. 2 3. 3 4. 4 。
答案：(2) 2
解析：1 個位元組（Byte）等於 8 個位元（bit）。ASCII 字碼以 7 個位元表示一個字元，故一個位元組可存 1 個 ASCII 字元；BCD 碼每一位十進數用 4 個位元表示，8÷4＝2，所以一個位元組可存 2 個 BCD 位數。因此答案為2。若要存 3 或 4 位 BCD，分別需要 12 與 16 個位元，已超過一個位元組的容量。
配線端點焊接時,端點與導線P V C 絕緣皮之間距,應保持在 1. 0 . 5 m m ~2 m m 2. 2 m m ~5 m m 3. 0 . 5 c m ~2 c m 4. 2 c m ~5 c m 。
答案：(1) 0 . 5 m m ~2 m m
解析：端點焊接時剝皮長度要適中：絕緣皮太靠近焊點，焊接高溫會使 PVC 熔化、收縮；裸露導線太長則容易彎折碰觸，造成短路。電子裝配的慣用做法是端點與絕緣皮之間保留約 0.5mm～2mm 的裸露距離，故選1。2mm～5mm 的裸露長度偏長，0.5cm 以上更是明顯過長，都會增加短路及機械強度不足的風險。
如下圖所示之符號,其為下列何者之電路圖符號? 1. 空乏型N 通道M O S F E T 2. 增強型N 通道M O S F E T 3. 空乏型P 通道M O S F E T 4. 增強型P 通道M O S F E T 。
答案：(1) 空乏型N 通道M O S F E T
如下圖所示之電路為 1. 對數放大器 2. 指數放大器 3. 均值檢出器 4. 峰值檢出器。
答案：(1) 對數放大器
輸送線之入射波振幅為25 V,反射波振幅為5 V,其駐波比( V S W R ) 為 1. 5 2. 1 / 5 3. 3 / 2 4. 2 / 3。
答案：(3) 3 / 2
解析：駐波比定義為 VSWR＝(V入射＋V反射)/(V入射－V反射)。代入 25 V 與 5 V 得 (25+5)/(25−5)＝30/20＝1.5，即 3/2。也可先求反射係數 Γ＝5/25＝0.2，再算 (1+0.2)/(1−0.2)＝1.2/0.8＝1.5，結果一致。VSWR 恆大於等於 1，故 1/5、2/3 這種小於 1 的比值不可能，5 則是數值過大。
如下圖之放大器中,若V i = 2 V ,則V o 為 1. 2 V 2. 4 V 3. 8 V 4. 12 V 。
答案：(4) 12 V
鑽頭迴轉一圈所進入工件的距離稱為進刀量,鑽削硬材料之進刀量應較軟材料如何? 1. 大 2. 小 3. 相等 4. 無關。
答案：(2) 小
解析：進刀量指鑽頭每迴轉一圈切入工件的軸向距離。材料愈硬，鑽尖切削阻力與扭矩愈大，若進刀量過大會使鑽頭過載、扭斷或產生高熱燒損，因此硬材料的進刀量應比軟材料小，並搭配較低轉速與充分切削液。軟材料則可採較大進刀量以提高效率。故硬材料的進刀量較軟材料小。
如下圖電路,依據米勒定理( M i l l e r ' s T h e o r e n ) ,兩圖為等效電路,設K = ,則Z 及Z 分 別為: 1. 2. 3. 4. 。
在史密特觸發電路中,若加入一規則的三角波之觸發信號(如正弦波),則其輸出波形為 1. 方波 2. 正弦波 3. 不規則矩形波 4. 鋸齒波。
答案：(1) 方波
解析：史密特觸發電路（Schmitt trigger）具有正回授與上下兩個臨界電壓（VTH 與 VTL）所形成的遲滯特性。當輸入三角波或正弦波緩慢上升超過上臨界電壓時，輸出迅速翻轉為高態；下降至下臨界電壓時再翻轉為低態。由於正回授使轉態極快，輸出幾乎在瞬間於高低兩準位間切換，因此形成方波。輸入為規則波形，輸出週期亦規則，不會是不規則矩形波；輸出也不追隨輸入的類比波形，故非正弦波或鋸齒波。
從字元產生器的R O M 或E P R O M 晶片中讀取A S C I I 碼的字形圖樣,再送到由許多電磁鐵控 制的針狀印字頭上的是那一型印表機? 1. 噴墨式 2. 點矩陣 3. 熱感式 4. 雷射。
答案：(2) 點矩陣
解析：點矩陣印表機（dot matrix printer）內含字元產生器的 ROM 或 EPROM，其中存有每個 ASCII 字元的點矩陣字形碼；列印時依序讀出字形資料，驅動印字頭上一排電磁鐵（線圈）帶動鋼針撞擊色帶，在紙上打出一個個點，再由點組成字元。噴墨式是加熱或壓電方式噴出墨滴；熱感式以加熱元件使感熱紙變色；雷射則以雷射光束在感光鼓上成像再轉印碳粉，三者皆不使用電磁鐵推動的針狀印字頭。
如下圖所示之偏壓電路,其熱穩定因數S 為 1. 0 2. 1 3. R c / R b 4. 1 + β 。
答案：(4) 1 + β
下列何種顯示卡之彩色解析度最好 1. C G A 2. M G A 3. E G A 4. V G A 。
答案：(4) V G A
解析：顯示卡發展順序為 CGA、EGA 至 VGA，彩色解析度與可顯示色彩數依序提升。VGA 標準可達 640×480 且 256 色以上，色彩與解析度均優於 CGA、EGA；MGA 並非主流標準顯示卡規格。因此四者中以 VGA 彩色解析度最佳，選項 4 正確。
下列何者非I E E E - 488 的介面電路架構 1. 資料匯流排( d a t a l i n e s ) 2. 交握式控制線( h a n d s h a k e l i n e s ) 3. 通用介面管理線( i n t e r f a c e m a n a g e m e n t l i n e s ) 4. 位址匯流排( a d d r e s s l i n e s ) 。
答案：(4) 位址匯流排( a d d r e s s l i n e s )
解析：IEEE-488（GPIB）匯流排由 16 條線組成：8 條資料線負責傳送資料、位址與命令；3 條交握線（DAV、NRFD、NDAC）協調資料傳輸；5 條介面管理線（ATN、IFC、SRQ、REN、EOI）控制匯流排狀態。裝置位址是透過資料線以串列方式傳送，並不存在獨立的位址匯流排，故位址匯流排不是其架構之一。
如下圖電路中,若該矽電晶體之h = 30,I = 0,則此電晶體動作為 1. 截止 2. 飽和 3. 工作 4. 不動作。
答案：(3) 工作
下列有關8255 可程式I / O 介面I C 的描述,何者不正確? 1. 有兩個獨立的8 b i t s I / O 埠 2. C P U 可讀取8255 各埠的資料 3. C P U 可將資料送到8255 各I / O 埠 4. C P U 利用r e a d 和w r i t e 來控制對8255 的讀或寫。
答案：(1) 有兩個獨立的8 b i t s I / O 埠
解析：8255A 可程式周邊介面內部具有三個 8 位元 I/O 埠，分別為 Port A、Port B 與 Port C，而非只有兩個，故選項 1 的描述不正確。Port C 可拆成兩個 4 位元埠配合控制用途。CPU 經由資料匯流排並配合 CS、A1、A0 位址選擇，以及 RD、WR 控制信號，即可對各埠寫入資料或讀回資料，也可讀取狀態，因此選項 2、3、4 所述功能皆成立。本題問「何者不正確」，應選 1。
G P I B 界面之函數波產生器至少需具備下列那一種功能? 1. 收聽者( L i s t e n e r ) 2. 發言者 ( T a l k e r ) 3. 控制者( c o n t r o l l e r ) 4. 傳送者( s o u r c e ) 。
答案：(1) 收聽者( L i s t e n e r )
解析：GPIB（IEEE-488）匯流排裝置依功能分為控制者（Controller）、發言者（Talker，發送資料）與收聽者（Listener，接收資料）。函數波產生器在自動測試系統中，主要接受控制者送來的頻率、振幅等設定命令，因此至少必須具備收聽者（Listener）功能，才能被尋址並接收指令。選項 2 發言者為回報狀態所需，非最低要求；選項 3 控制者為管理匯流排的主機角色，非每台儀器必備；選項 4「傳送者（source）」並非 GPIB 標準角色名稱。故正確答案為 1。
在1971 年11 月第一個4 位元的微處理機4004 問世,這是那一家公司的產品 1. M o t o r o l a 公司 2. I B M 公司 3. I n t e l 公司 4. T e x a s I n s t r u m e n t 公司。
答案：(3) I n t e l 公司
解析：Intel 公司於 1971 年 11 月推出 4004，這是第一款商用單晶片 4 位元微處理器，最初應用於電子計算機，也為後續微處理器發展奠定基礎。Motorola、IBM、Texas Instruments 雖都是重要的半導體或電腦廠商，但 4004 並非其產品，因此答案是 Intel。
如下圖所示為半減器結構時,A 與B 分別為 1. A = X O R ,B = A N D 2. A = X N O R ,B = A N D 3. A = A N D ,B = X O R 4. A = A N D ,B = X N O R 。
答案：(3) A = A N D ,B = X O R
三用電表內部使用1 m A ,5 Ω 之永磁動圈式( P M M C ) 表頭,在使用50 V 電壓檔時,其輸入阻 抗為 1. 50 K Ω 2. 100 K Ω 3. 500 K Ω 4. 1 M Ω 。
答案：(1) 50 K Ω
解析：PMMC 表頭滿刻度電流 If = 1 mA，內阻 Rm = 5 Ω。設計 50 V 電壓檔時，依歐姆定律所需總電阻 R = V / If = 50 V / 0.001 A = 50000 Ω = 50 kΩ。因表頭內阻僅 5 Ω，相較於倍壓電阻可忽略，輸入阻抗即約為 50 kΩ（精確值 50.005 kΩ）。輸入阻抗亦可由靈敏度換算：1 mA 檔靈敏度為 1 kΩ/V，故 50 V 檔為 50 × 1 kΩ/V = 50 kΩ。選項 2 的 100 kΩ 對應 2 mA 表頭，選項 3 的 500 kΩ 對應 0.1 mA 表頭，選項 4 的 1 MΩ 對應 0.05 mA 表頭，均不符。故答案為 1。
將一只2 W 之電阻裝配在P C 板上時,以何種方式較適宜? 1. 緊貼在P C 板上 2. 距P C 板0 . 3 m m 3. 距P C 板3 m m 4. 距P C 板3 c m 。
答案：(3) 距P C 板3 m m
解析：2 W 電阻在工作時會產生較多熱量，若緊貼 PC 板，熱量不易對流散逸，可能使電阻過熱或烤傷板面。裝配時通常讓電阻本體離板面約 3 mm，以形成空氣對流空間並兼顧固定強度；0.3 mm 太近，3 cm 則引腳過長、抗震與固定性較差，因此以距 PC 板 3 mm 較適宜。
以1200 b p s 傳送率( B a u d R a t e ) 傳送8 位元資料,若不含控制信號,則需費時 1. 1 . 34 m s 2. 3 . 35 m s 3. 6 . 7 m s 4. 26 . 8 m s 。
答案：(3) 6 . 7 m s
解析：baud rate 1200 bps 表示每秒傳送 1200 個位元，每個位元時間為 1/1200 秒。題目說不含控制信號，只傳 8 位元資料，所需時間＝8 ÷ 1200 秒＝0.006667 秒，換算成毫秒為 6.667 ms，約 6.7 ms。可反向驗算：若只傳 4 位元約需 3.33 ms，若傳 32 位元則約 26.7 ms，故 1.34 ms、3.35 ms、26.8 ms 都與 8 位元的傳輸時間不符。
有一正弦波信號v ( t ) = 2 s i n 628 t,不經衰減直接加到示波器垂直輸入端,在不使用水平放大增 益,且微調旋鈕也置於校正位置時,若示波器所顯示的波形如下圖所示,則示波器水平與垂 直旋鈕應分別是撥在下列何種位置? 1. 2 . 5 m s / D I V 、1 V / D I V 2. 2 . 5 m s / D I V 、2 V / D I V 3. 5 m s / D I V 、2 V / D I V 4. 2 m s / D I V 、1 V / D I V 。
答案：(1) 2 . 5 m s / D I V 、1 V / D I V
密閉式磁碟機在運轉時,磁頭是靠 1. 油壓 2. 機械原理 3. 彈簧 4. 空氣動力達到上浮的目的。
答案：(4) 空氣動力達到上浮的目的
解析：密閉式硬碟機（溫徹斯特式）的磁頭採空氣軸承（air bearing）原理：碟片高速旋轉時帶動表面空氣形成氣膜，使磁頭浮起於碟面上方極小間距（飛行高度），既不接觸碟面造成磨損，又能維持穩定讀寫。油壓、彈簧或純機械頂持都無法在高速下保持均勻間隙，一旦接觸碟面即造成刮傷與資料損毀，故靠的是空氣動力。
如下圖中所示電路可做何使用? 1. 編碼器( e n c o d e r ) 或多工器( m u l t i p l e x e r ) 2. 解碼器 ( d e c o d e r ) 或解多工器( d e m u l t i p l e x e r ) 3. 比較器 4. 編碼器。
答案：(2) 解碼器 ( d e c o d e r ) 或解多工器( d e m u l t i p l e x e r )
下列何種I C 不能由使用者規劃其內容 1. E E P R O M 2. E P R O M 3. P R O M 4. M A S K R O M 。
答案：(4) M A S K R O M
解析：MASK ROM（光罩式唯讀記憶體）的資料在IC製造時，就已透過光罩微影直接寫入晶片，出廠後內容固定，使用者無法再規劃或修改，適合大量生產且程式不再變更的產品。PROM可由使用者以燒錄器寫入一次；EPROM可用紫外線照射抹除後重複燒錄；EEPROM則以電壓抹除與寫入，可反覆更改。因此不能由使用者規劃內容者為MASK ROM。
程式執行中以那一類指令最多 1. 資料搬動 2. 控制轉移 3. 移位 4. 算術演算。
答案：(1) 資料搬動
解析：程式執行時，CPU 絕大部分指令用於將資料在暫存器、記憶體與 I/O 間搬移（資料搬動指令如 MOV、LOAD、STORE），此類指令數量最多。算術、移位、控制轉移等指令相對佔比較低，故資料搬動類指令最多，選項 1 正確。
如下圖電路,電晶體h 參數為h f e =100 ,h i e =1 K Ω ,工作於低頻小訊號時,此電路之電壓 增益約等於 1. 0 . 8 2. 0 . 9 3. 1 . 1 4. 98 。
答案：(2) 0 . 9
於鋸切材料時,鋸條應如何選用? 1. 材料愈薄應用愈多齒之鋸條 2. 材料愈厚應用愈多齒之鋸條 3. 材料愈薄應用愈少齒之鋸條 4. 與材料的厚薄無關。
答案：(1) 材料愈薄應用愈多齒之鋸條
解析：鋸切選齒原則：材料愈薄，每齒切削量應小，故用齒數多(細齒)之鋸條以分散負荷、避免單齒過載與卡料；材料愈厚則用少齒(粗齒)以提高排屑與切削效率。故材料愈薄應用愈多齒之鋸條。
在組合語言中,跳躍指令的條件各有不同,請問下列有關各跳躍指令執行跳躍時的條件何者 正確? 1. J C X Z :C X = 1 時跳躍 2. J E C X Z :C X = 0 時跳躍 3. J C :C = 1 時跳躍 4. J N Z :Z = 1 時跳躍。
答案：(3) J C :C = 1 時跳躍
解析：x86 組合語言中，JC（Jump if Carry）是在進位旗標 CF＝1 時跳躍，故選項 3 正確。JCXZ 是 CX＝0 時跳躍，JECXZ 是 ECX＝0 時跳躍，兩者皆非等於 1 才跳，故選項 1、2 的條件寫反。JNZ（Jump if Not Zero）是在 ZF＝0 時跳躍，選項 4 寫成 Z＝1 才跳，實際上是 JZ 的條件，因此錯誤。作答時須分清旗標為 1 或 0 所代表的意義。
有關同步與非同步傳輸,下列何者正確 1. 在非同步傳輸中,只要資料位元,不必加控制位元 2. 同步傳輸比較慢 3. 傳送和接收的傳送率( B a u d r a t e ) 不須一樣 4. 非同步傳輸資料通常傳輸量較小。
答案：(4) 非同步傳輸資料通常傳輸量較小
解析：非同步傳輸以字元為單位，每個字元前後須加起始位元與停止位元，讓接收端據以判定字元邊界，所以選項1「不必加控制位元」不成立。同步傳輸靠共用時脈連續傳送整批資料，位元重疊少、效率高，速度通常較快，選項2稱其較慢並不正確。傳送端與接收端的鮑率（Baud rate）必須一致，接收端才能在同一時間點正確取樣，選項3亦錯。非同步因每個字元都要附加控制位元，且多用於低速週邊通訊，單位時間內的有效資料量較小，故選4。
戴用接地手環去焊接零件之主要目的是 1. 防止靜電損壞零件 2. 防止手燙傷 3. 方便工作 4. 防止燒傷相鄰零件。
答案：(1) 防止靜電損壞零件
解析：人體在乾燥環境中容易累積靜電，焊接 MOS、CMOS 等靜電敏感元件時，帶電的手若碰觸接腳，放電電流可能擊穿閘極氧化層。接地手環透過高電阻把人體電荷緩慢洩放到地，使操作者與工作台維持接近等電位，主要目的就是防止靜電損壞零件，並非隔熱、方便工作或防止燒傷相鄰零件。
根據狄莫根定理,可將( A B + B C + C A ) ' 改寫成下列何者? 1. ( A B ) ' + ( B C ) ' + ( C A ) ' 2. ( A + B ) ' ( ( B + C ) ( C + A ) ) ' 3. ( A + B ) ' ( B + C ) ' ( C + A ) ' 4. ( A B ) ' ( B C ) ' ( C A ) ' 。
答案：(4) ( A B ) ' ( B C ) ' ( C A ) '
解析：狄莫根定理有兩種形式：和項取補數等於各項補數相乘，(X+Y+Z)'=X'·Y'·Z'；乘積項取補數等於各項補數相加，(XY)'=X'+Y'。原式括號內是三個乘積項之和，套用第一式即得(AB)'(BC)'(CA)'，也就是選項4。若再往下展開，每個(AB)'要改寫成A'+B'，成為(A'+B')(B'+C')(C'+A')，並不是選項3的(A+B)'(B+C)'(C+A)'；後者化簡後等於A'B'C'，與原式不相等。選項1則是誤把和項的補數直接拆成各乘積項的補數相加。
下列那一個R S - 232 C 信號是由D T E 發送? 1. R T S 2. C T S 3. R X D 4. D S R 。
答案：(1) R T S
解析：在 RS-232C 的非同步序列通訊中，DTE（資料終端設備，如電腦）負責發出 RTS（Request To Send，要求傳送）訊號，表示本身有意傳送資料。CTS 與 DSR 是由 DCE（如數據機）發出的回應或狀態訊號；RXD 則是 DTE 接收資料的線。因此由 DTE 發送者為 RTS。
使用滅火器時應站在何處? 1. 上風 2. 下風 3. 側風 4. 逆風。
答案：(1) 上風
解析：使用滅火器時應站在上風處，讓風由背後吹向火場，如此滅火藥劑與火焰產生的濃煙、熱氣才會被風帶離自身，避免吸入濃煙或遭火焰與熱輻射灼傷。滅火時應保持約 2 至 3 公尺的安全距離，將噴嘴對準火焰根部左右掃射，並由近而遠逐步推進。若站在下風處，煙霧與高溫會直接撲向操作者，藥劑也容易被風吹偏而無法有效滅火；側風或逆風同樣無法避免濃煙侵襲。因此正確位置為上風處。
布林函數F ( A ,B ,C ) = A ' B ' C ' + A ' B ' C + A B ' C ' + A B ' C + A B C ' 化簡為F = 1. B + A C ' 2. B ' + A C ' 3. B ' + A ' C 4. B + A ' C 。
答案：(2) B ' + A C '
解析：先將前四項兩兩合併：A'B'C'+A'B'C=A'B'，AB'C'+AB'C=AB'，故F=B'(A'+A)+ABC'=B'+ABC'。再利用X+X'Y=X+Y，令X=B'、Y=AC'，可得F=B'+AC'，所以答案為2。此化簡表示B=0時輸出必為1；B=1時輸出由AC'決定。
如下圖所示之接點符號,其為下列何種接點? 1. a 接點 2. b 接點 3. c 接點 4. N . O . 接點。
答案：(2) b 接點
系統中的韌體( f i r m w a r e ) 一般不適合儲存於下列那種記憶體中? 1. E E P R O M 2. E P R O M 3. P R O M 4. R A M 。
答案：(4) R A M
解析：韌體是固定在硬體中、開機即需執行的程式，必須停電後仍能保存，因此要使用非揮發性記憶體。PROM 出廠為空，可由使用者燒錄一次；EPROM 可用紫外線抹除後重燒；EEPROM 可電氣抹除並重寫，三者皆適合存放韌體。RAM 屬揮發性記憶體，一旦斷電資料即消失，只適合作為程式執行時的工作區，故選4。
如下圖,設 =± 12 V ,求臨界電壓上限V 為若干? 1. + 6 V 2. - 6 V 3. + 12 V 4. - 12 V 。
答案：(1) + 6 V
R I S C 擁有一簡化的控制單元,請問典型的單一指令執行需多少機械週期( m a c h i n e c y c l e ) 1. 1 2. 2 3. 3 4. 4 。
答案：(1) 1
解析：RISC 採精簡指令集、固定長度指令格式及簡化的控制單元，並大量使用管線化技術，典型單一指令可在一個機械週期內完成。複雜指令集 CISC 的指令長度與執行時間較不一致，常需多個機械週期。雖然 RISC 的載入／儲存等記憶體指令實務上可能需多個週期，但就典型單一指令而言，答案為 1 個機械週期。
3 . 5 英吋軟碟片容量1 . 44 M B 其規格為雙面,每面80 磁軌( t r a c k ) ,每一磁區( s e c t o r ) 容量為 512 B y t e s ,則每一磁軌應分幾個磁區( s e c t o r ) 1. 18 2. 17 3. 16 4. 15 。
答案：(1) 18
解析：軟碟容量公式為：面數×每面磁軌數×每軌磁區數×每磁區位元組數。1.44MB 的實際容量為 1,440KB＝1,474,560Bytes。代入雙面、每面 80 軌、每磁區 512Bytes：2×80×N×512＝1,474,560，得 81,920N＝1,474,560，N＝18。因此每一磁軌分 18 個磁區。
失能傷害是指因受傷而損失的工作時間超過多久? 1. 四十八小時 2. 二十四小時 3. 十二小時 4. 八小時。
答案：(2) 二十四小時
解析：失能傷害的判定重點，在於受傷後損失的工作時間是否超過一日。依職業安全衛生相關法規的職業災害統計定義，因受傷致不能工作、損失時間超過二十四小時者屬失能傷害；未超過者列為輕傷害。因此本題選二十四小時。四十八小時、十二小時與八小時都不是失能傷害的門檻，八小時甚至可能只是部分工時損失。
下面那一個指令會影響零旗標( Z e r o f l a g ) ? 1. J M P ( 無條件跳躍) 2. M O V ( 搬移資料) 3. D C R ( 暫存器減去1 ) 4. S T A ( 累積器的資料寫入記憶體中) 。
答案：(3) D C R ( 暫存器減去1 )
解析：DCR（Decrement）會將指定暫存器或記憶體的內容減 1，並依運算結果更新旗標，包括零旗標 ZF：結果為 0 時 ZF 置 1，否則清為 0，同時也影響 S、P、AC 等旗標。JMP 為無條件跳躍，只改變程式計數器，不更動任何旗標；MOV 與 STA 屬於資料搬移或儲存指令，僅傳送資料，不影響旗標。因此四者中只有 DCR 會影響零旗標。
四位元的強生( J o h n s o n ) 計數器的除頻計數為若干? 1. 4 2. 8 3. 16 4. 32 。
答案：(2) 8
解析：強生計數器由 n 個正反器串接，並將最後一級的反相輸出回授到第一級，使其巡迴狀態數為 2n，而不是環形計數器的 2 的 n 次方。四位元強生計數器的狀態數為 2×4＝8，因此除頻比為 8，輸出頻率為輸入時脈的八分之一。選項 4 的 32 與位元數無關。
若積分電路中,T 為信號周期,T 為電路中之時間常數,若欲得到較佳之積分特性則 1. T > >T 2. T <<T 3. T = T 4. 兩者無關。
答案：(2) T <<T
如下圖達靈頓對( D a r l i n g t o n p a i r ),其電路特質為? 1. 異型P N P 靈頓對 2. 同型P N P 靈頓對 3. 異型N P N 靈頓對 4. 同型N P N 靈頓對。
答案：(3) 異型N P N 靈頓對
使用有機溶劑時,最須先注意之安全事項為 1. 溶劑之比重 2. 操作時應戴口罩 3. 工作地點通風良好 4. 工作地點不可潮濕。
答案：(3) 工作地點通風良好
解析：有機溶劑揮發性高，蒸氣多具毒性且易燃，使用時最須優先確保工作地點通風良好，以排出可燃蒸氣、降低爆炸風險並減少吸入危害，必要時搭配排氣櫃或防護面具。一般口罩對有機蒸氣過濾效果有限；溶劑比重與是否潮濕雖有影響，但都不是最優先的安全事項。故通風良好為首要。
下列何者較適合做互導放大器? 1. 電壓串聯負回授電路 2. 電壓並聯負回授電路 3. 電流串聯負回授電路 4. 電流並聯負回授電路。
答案：(3) 電流串聯負回授電路
解析：互導放大器是電壓控制電流源，理想上需要高輸入阻抗與高輸出阻抗。負回授中，串聯混合會提高輸入阻抗，電流取樣會提高輸出阻抗；兩者合起來就是電流串聯負回授，故選3。電壓串聯負回授會降低輸出阻抗，電壓並聯與電流並聯則會降低輸入阻抗，均不適合。
下列何者屬於非同步傳輸的特性? 1. 採用並列方式傳輸字元 2. 傳輸的字元夾在起始字元和終止字元之間 3. 在傳輸中資料不可間斷 4. 利用交握信號來確定傳輸資料的正確性。
答案：(2) 傳輸的字元夾在起始字元和終止字元之間
解析：非同步傳輸以字元為單位，每個字元前加起始位元（start bit，準位由 1 降為 0）供接收端同步，資料位元之後加同位元檢查與終止位元（stop bit），字元之間可任意間隔，不須連續傳送。並列傳輸（如 Centronics）與同步傳輸才需時脈或交握信號；選項 3 所述資料不可間斷是同步傳輸的特性。
以三用電表的直流電壓檔( D C V ) 測量1 K H z ,6 伏特交流電壓時,指針指示在 1. 0 2. 6 3. 8 . 5 4. 10 伏特位置。
答案：(1) 0
解析：三用電表 DCV 檔的動圈式表頭是依電流的平均值偏轉。1 kHz、6 V 正弦交流電在整數週期內正負半週對稱，平均值為零；指針受慣性影響不會來回擺動，只停在零點。6 V 是有效值，峰值約 8.5 V，但峰值或有效值都不是直流平均值，故不會指在 6 或 8.5。
欲驅動共陰極的十六進碼對七段數字顯示器之解碼器,當其輸入端D C B A = 時,其輸出 端a b c d e f g 應為何 1. 1110111 2. 1111011 3. 0000100 4. 0001000 。
答案：(2) 1111011
個人電腦的硬碟如採L B A ( l o g i c a l b l o c k a d d r e s s ) 規格,其儲存資料之單一邏輯硬碟最大容 量為 1. 2 . 1 G B 2. 16 G B 3. 64 G B 4.
A ♁A 可以等於下列何者? 1. 1 2. 0 3. A 4. A ' 。
答案：(2) 0
解析：♁ 代表互斥或（XOR）運算，其規則為兩輸入相同時輸出 0、不同時輸出 1。因為 A 與 A 完全相同，所以 A ♁ A＝0。若以布林代數表示，A⊕A＝A·A'＋A'·A＝0。因此答案為 0，而不是 1、A 或 A'。
數據機在兩部設備中傳送資料時,兩個方向可同時交換資料的為下列那種模式? 1. 單工 ( S i m p l e x ) 2. 全雙工( f u l l d u p l e x ) 3. 半雙工( h a l f d u p l e x ) 4. 半單工( h a l f s i m p l e x ) 。
答案：(2) 全雙工( f u l l d u p l e x )
解析：全雙工(full duplex)通訊模式中，通訊雙方可在同一時間同時進行傳送與接收，兩個方向能同時交換資料，適用於需要雙向即時傳輸的場合。單工(simplex)僅能單向傳輸，無法反向；半雙工(half duplex)可雙向傳輸但不可同時，須輪流占用線路；半單工並非標準通訊術語。數據機傳輸模式即依此區分，題目明確問「兩個方向可同時交換資料」者，故選全雙工。
如下所示之卡諾圖,下列何者為化簡後的結果 1. f = C ' D + C D ' + B ' C + A ' B ' 2. f = A B ' + A ' B + D ' 3. f = ( B + C ' + D ' ) ( B + C + D ) 4. f = A ' C ' + C ' D + C D ' + A B 。
答案：(2) f = A B ' + A ' B + D '
R S - 232 之資料接收線有幾條? 1. 1 2. 4 3. 8 4. 16 。
答案：(1) 1
解析：RS-232 是非同步串列傳輸介面，全雙工通信時資料傳送與接收各使用一條信號線：TXD 負責送出資料，RXD 負責接收資料。因此資料接收線只有 RXD 一條；RTS、CTS、DTR、DSR 等屬於控制或握手信號，不計入資料接收線，故選 1。
由主程呼叫副程式時,有時須將參數值轉移給副程式使用,下面那一個不可做為參數傳遞的 方法? 1. 將參數存在暫存器中 2. 將參數存在指令暫存器中 3. 將參數存在堆疊器中 4. 將參數存在特定的記憶體中。
答案：(2) 將參數存在指令暫存器中
解析：參數傳遞常見方式包括利用暫存器、堆疊器或指定記憶體位置：主程式先將資料放入，副程式再讀取。指令暫存器（IR）專門存放目前正在解碼執行的指令內容，由控制單元使用，不能挪來存放參數，否則會破壞指令執行。因此「將參數存在指令暫存器中」不可行。
共射極電晶體電路中,射極電流為5 m A,基極電流為0 . 1 m A,則其電流增益為 1. 39 2. 49 3. 59 4. 69 。
答案：(2) 49
解析：電晶體三個電流的基本關係為 IE = IB + IC，而直流電流增益 β（hFE）定義為 IC / IB。本題射極電流 IE = 5 mA、基極電流 IB = 0.1 mA，故集極電流 IC = 5 − 0.1 = 4.9 mA，電流增益 β = 4.9 / 0.1 = 49。若誤把射極電流當成集極電流，直接除以基極電流，會得到 5 / 0.1 = 50，選項中並沒有這個數值，代表必須先扣掉基極電流。另外，共基極電流增益 α = IC / IE = 4.9 / 5 = 0.98，再由 β = α / (1 − α) 代入，同樣可得 49，可交叉驗證答案。
射極隨耦電路在電子儀表中主要是擔任下列何種作用? 1. 電壓放大 2. 振盪 3. 整流 4. 阻抗匹配。
答案：(4) 阻抗匹配
解析：射極隨耦器即共集極放大電路，輸出取自射極，電壓增益接近 1（略小於 1）且同相，不具電壓放大作用；但其電流增益大、輸入阻抗高、輸出阻抗低，可作為前後級之間的緩衝，把高阻抗信號源順利驅動低阻抗負載，故在電子儀表中主要擔任阻抗匹配。振盪需靠正回授電路，整流靠二極體，皆非射極隨耦器的功能。選項 1 的電壓放大是共射極組態的特性，因此本題應選阻抗匹配。
半導體在- 273 °C( 即絕對溫度0 ° K ) 時,其特性為 1. 純導體 2. 絕緣體 3. 負電阻性 4. 正電阻性。
答案：(2) 絕緣體
解析：半導體的導電能力來自熱激發：溫度升高時，價帶電子吸收熱能躍遷至導帶，產生電子—電洞對，導電率上升，故呈負溫度係數。當溫度降至 -273 °C（絕對溫度 0 K）時，熱能為零，價電子無法跨越能隙進入導帶，導帶中幾無自由電子、價帶幾近全滿，因此不具導電性，特性如同絕緣體。它不會變成純導體，也不屬於負電阻或正電阻特性，故選絕緣體。
3 . 625 轉換為二進制應等於 1. 101 . 101 2. 11 . 0101 3. 11 . 101 4. 11 . 10011001 。
答案：(3) 11 . 101
解析：將整數與小數分開換算：3=11₂。小數0.625以乘2取整法：0.625×2=1.25取1；0.25×2=0.5取0；0.5×2=1.0取1，得0.101₂。合併為11.101₂。也可利用0.625=5/8=1/2+1/8，即二進位0.101，因此答案為11.101。
示波器顯示方波的上升時間( r i s e t i m e ) 是0 . 5 μ s ,若示波器本身的上升時間是0 . 3 μ s ,則該 方波實際的上升時間為 1. 0 . 2 μ s 2. 0 . 3 μ s 3. 0 . 4 μ s 4. 0 . 5 μ s 。
答案：(3) 0 . 4 μ s
解析：示波器顯示的上升時間是待測信號與示波器本身上升時間的方均根合成，公式為 tr(顯示)²=tr(實際)²+tr(示波器)²。代入 0.5²=tr(實際)²+0.3²，得 tr(實際)=√(0.25−0.09)=√0.16=0.4 μs。因此實際上升時間為 0.4 μs，不能直接把 0.5 與 0.3 相減。
80 × 86 P C 執行R e s e t 動作後,下列敘述何者不正確 1. P S W(旗標)清除為0 2. I P、D S、D D 與E S 等暫存器清除為0 3. C S 暫存器設定為F F F F H 4. C P U 自F F F F H 位址開始執行指令。
答案：(4) C P U 自F F F F H 位址開始執行指令
解析：80×86 執行 Reset 後，PSW（旗標暫存器）被清除為 0；IP、DS、SS、ES 等暫存器亦清除為 0；CS 被設定為 FFFFH。由於實際定址為段位址左移 4 位元加偏移，起始實體位址 = CS×16 + IP = FFFFH×10H + 0000H = FFFF0H（保護模式下為 FFFFFFF0H），並非從 FFFFH 開始執行。因此「自 FFFFH 位址開始執行指令」之敘述不正確，選第 4 項。
J 型(I C 型)熱電耦其正線為何種金屬 1. 銅 2. 鋁 3. 鎳 4. 鐵。
答案：(4) 鐵
解析：J型熱電偶的正極線材為鐵（Fe），負極線材為康銅（Constantan，銅鎳合金），常用於中低溫工業測溫，測溫範圍約0～750°C。銅、鋁、鎳皆非J型熱電偶的正極材料；例如K型熱電偶的正極才是鎳鉻合金。依熱電偶分度特性，J型正極以鐵為代表，故選鐵。
量測1 G H z 之信號波形時,使用哪種儀器較適宜? 1. 記錄器 2. 計頻器 3. 取樣示波器 4. X Y 示波器。
答案：(3) 取樣示波器
解析：1GHz 信號週期僅 1ns，一般類比示波器的頻寬與觸發不易直接顯示。取樣示波器利用等效時間取樣，對重複性高速信號逐點取樣後重建波形，適合觀察 GHz 等級波形。記錄器頻率響應低；計頻器只能測頻率，不呈現波形；XY 示波器主要顯示兩信號的關係，也不適合。
下列四種T T L ,何者的速度最快? 1. 蕭特基T T L 2. 低功率T T L 3. 標準T T L 4. 低功率蕭特基 T T L 。
答案：(1) 蕭特基T T L
解析：蕭特基 TTL 在電晶體集基極接面並接蕭特基二極體，防止電晶體進入深飽和，可縮短儲存時間並提高切換速度，因此是四者中速度最快者。標準 TTL 與低功率 TTL 速度較慢；低功率蕭特基 TTL 雖比標準 TTL 快，但為降低功耗而犧牲速度，仍不及蕭特基 TTL。
對記憶體晶片而言,其資料線在何時呈現輸入狀態? 1. 晶片被選到時 2. W R I T E 信號動作 ( a c t i v e ) 時 3. R E A D 信號動作時 4. R E A D 與W R I T E 同時動作時。
答案：(2) W R I T E 信號動作 ( a c t i v e ) 時
解析：記憶體晶片的資料接腳是雙向的：讀取時資料由晶片內部輸出到匯流排，寫入時則由外部電路把資料送入晶片。因此當 WRITE 信號動作（active）時，資料線呈輸入狀態；READ 動作時呈輸出狀態。晶片被選到只是必要條件，還須配合讀寫控制信號才能決定資料方向。
在邊緣觸發型正反器中,資料輸入必須比時脈( c l o c k ) 觸發邊緣先到之最小時間,稱為 1. 保持時間( h o l d t i m e ) 2. 設置時間( s e t - u p t i m e ) 3. 延遲時間( d e l a y t i m e ) 4. 傳輸時間( P r o p a g a t i o n t i m e ) 。
答案：(2) 設置時間( s e t - u p t i m e )
解析：邊緣觸發型正反器只在時脈邊緣瞬間取樣資料，因此資料必須在觸發邊緣「之前」先穩定存在一段最短時間，這段時間稱為設置時間（setup time）。觸發邊緣「之後」資料仍需維持的最短時間，才是保持時間（hold time）。延遲時間與傳播時間指信號通過元件所需時間，與取樣前的準備無關。本題問「比時脈觸發邊緣先到」，故為設置時間。