第1題
空間解析度（spatial resolution）是成像技術重要規格，請分別對光學顯 微鏡（OM），穿透式電子顯微鏡（TEM）及掃描式電子顯微鏡（SEM）， 論述決定其空間解析度的成因，並敘述如何提升其空間解析度。（25 分）
民國110年 高考三級 材料工程 材料分析考古題
民國110年 高考三級 材料工程 材料分析收錄考選部官方試題，共 4 題可線上瀏覽，考選部未公告本科目答案。
官方資料
題目與答案
第2題
以繞射理論為基礎，為何結晶體中有些平面族不會產生繞射？這個現象 也可以從結構因子（structure factor）來求解，請先推導結構因子的數學 式，再利用此數學式來論述同屬體心立方結構的NaCl 及Si 的可繞射面 及不可繞射面的條件。（25 分）
第3題
二次離子質譜儀（SIMS）與拉賽福背向散射分析儀（RBS）是兩個相似 的成分分析技術，同樣以離子為入射源且以離子為接收訊號源，試申論 在碰撞機制、結果呈現、提供分析資訊有何差異性。（25 分）
第4題
X-光光電子能譜儀（XPS）與歐傑電子能譜儀（AES）都是分析化學鍵 結非常有用的技術，請先論述個別技術之原理，說明其結果呈現方式， 再詳細說明這兩個技術之不同處。電子能量損失能譜圖（EELS）比上述 兩個技術上有何分析上的優勢？（25 分）