民國110年 高考三級 電力工程 電子學考古題

民國110年 高考三級 電力工程 電子學收錄考選部官方試題，共 5 題可線上瀏覽，考選部未公告本科目答案。

官方資料

題目與答案

第1題

下圖電路VDD = VSS = 5 V，ID2 = 1 mA，電晶體M1與M2具有相同的長度 （L），但其寬度比W2/W1= 5，電晶體參數：kn’(W/L)1 = 1 mA/V2，Vt = 0.8 V。 求算R 值。（10 分） 當M2 操作於飽和區時，求算vD2 最小電壓。（10 分） M1 M2 R VDD -VSS ID2 vD2

第2題

下圖電路R1 = 0.5 k ，R2 = 0.5 k ，RL = 1 k 。 假設運算放大器為理想，二極體D1 的電壓電流關係式為 / T v V s i I e ，VT = 25.3 mV，且當1 mA 流過D1 的跨壓為0.8 V。當 vI = 2 V，求算vA。（10 分） 假設運算放大器增益為50，二極體跨壓為固定的0.8 V，當vI = 3 V， 求算vO。（10 分） vI vA R1 R2 RL vO D1 |

第3題

下圖電路Rsig=125k ，RG1=250k ，RG2=250k ，RD=4k ，RS=2k ， RL = 4 k ，VDD = 5 V，電晶體參數：Vt = 1 V，VA = 50 V。 當電晶體ID = 0.5 mA 及VOV（overdrive voltage）= 0.5 V，求算增益 Gv = vO/vsig（僅直流分析時可忽略通道調變效應）。（8 分） 假設vsig 為弦波信號且電晶體操作於飽和區，求算vsig 可允許的最大峰 值與相對應的vD。（12 分） vo vsig Rsig CC1 RG1 RG2 RD CC2 CS RL RS VDD M1 vD

第4題

下圖電路RS = 10 k ，R1 = 1 k ，R2 = 1 M ，RL = 2 k ，運算放大器參 數：開路增益Av = 1000，輸入差動阻抗Rid = 100 k ，輸出阻抗Ro = 1 k 。 求算閉迴路增益Vo/Vi。（10 分） 求算Rin。（10 分） Vi R1 R2 RL Vo RS Rin |

第5題

CMOS 邏輯包含上拉網路（pull-up network）與下拉網路（pull-down network），試畫出CMOS 邏輯 Y D A B C 之電路。（10 分） 下圖為一反相器電路的標準元件，若要求第 小題CMOS 邏輯需與此 標準反相器有相似的傳遞時間，請標示第 小題CMOS 邏輯電路中每 顆電晶體的寬長比（W/L）。（10 分） In OUT 3 μm 1 μm W L 1 μm 1 μm W L