民國111年高考三級電子工程半導體工程考古題

民國111年高考三級電子工程半導體工程收錄考選部官方試題，共 7 題可線上瀏覽，考選部未公告本科目答案。

官方資料

請說明半導體材料晶體鑽石結構與閃鋅礦結構之差異，（5 分）閃鋅礦結構與六方晶系結構之異同。（10 分）

請說明能隙之種類，（2 分）若製作成發光二極體應選那一種能隙？（3 分）為什麼？（5 分）

對於超高效率III-V 多接面太陽能電池多以磊晶方式成長與製作而成，請問何謂磊晶？（2 分）欲得高品質之磊晶膜首要條件為何？（2 分）於多接面太陽能電池結構中，每個接面間須有何種結構？（2 分）請說明其功能。（4 分）

HEMT 元件是藉由那種方式得到high electron mobility？（5 分）為何較傳統MOSFET 更高速？（5 分）

請畫出下圖p、n 接觸之能帶圖，（5 分）請說明接觸後界面附近會發生何種現象？（5 分）此時此元件可否當電池使用，為什麼？（5 分）

對於p + n 二極體，其中p + 載子濃度為NA，n 載子濃度為ND。請問空乏區（W）主要發生在那一部分？（5 分）請寫出空乏區與載子濃度之關係式。（5 分）此說明可用何種電容量測方式分析載子濃度與p + n 二極體相關之元件的那種特性？（10 分）

請計算面積為4 μm2 的MOS 電容對於10 nm 厚的SiO2 電介質（介電常數3.9），當施加電壓為5 V 時，MOS 上存儲的電荷（10 分）和電子數是多少？（10 分）