第1題
圖一(a)中放大器A、B 與加法器均為線性電路，輸入阻抗= ，輸出阻抗= 0。 A 與B 之輸入電壓弦波vin，輸出分別為va 與vb，相加得振幅3 2 之vout。 求算B 之放大倍率GB 以及vb 相對於vin 訊號之相位角。（20 分）
民國111年 普通考試 電信工程 電子學概要考古題
民國111年 普通考試 電信工程 電子學概要收錄考選部官方試題，共 5 題可線上瀏覽，考選部未公告本科目答案。
官方資料
題目與答案
第2題
二極體I-V 特性曲線如圖二(a)，求算圖二(b)電路消耗於二極體D 與電阻 R 的時平均功率，VS = 5 sin t V，Va = 1.8 V，R = 20 。（20 分）
第3題
矽晶的原子密度為5 1022/cm3，電子本質濃度ni = 1.5 1010/cm3，此矽 晶摻雜硼（三價元素），濃度為1/108。圓柱體矽晶樣本長度L，截面積為 A = 1 cm2，兩端施加電壓V，則其內部電場為E = V/L。樣本中之電洞與 電子受此電場作用而獲得移動速度分別為vp = pE 與vn = – nE，其中 p 與 n 稱為遷移率（cm2/V s）。純質矽晶 p = 475 與 n = 1400，摻雜質之矽 晶 p = 375 與 n = 1000。電量為Q 的帶電粒子在 t 時間移動距離 x，其 速度為v = x/ t，電流量I = Q/ t。單一電子帶電量q = 1.6 10–19 庫侖。 求算此純質矽晶與摻雜硼之矽晶每單位長度電阻值，註明單位。（20 分） |
第4題
圖三運算放大器的輸入電阻Ri = 100 k ，輸出電阻Ro = 50 ，低頻開路 電壓增益Ao = 103 V/V，頻率響應有一個極點fp = 50 Hz。畫出此運算放 大器的等效電路並標出所有元件數值，再求算圖三電路的低頻電壓增益 Av = vo/vi 與其3-dB 頻寬。（20 分） 圖三
第5題
圖四vi 與vo 分別是放大器輸入與輸出的小訊號電壓，IS 是偏壓電流源， RS = RD = 1 k ；Q1 與Q2 操作於飽和區，gm1 = 0.8 mA/V，gm2 = 0.5 mA/V， ro1 = ro2 = 3 k ，kn’(W/L)1 = 2kp’(W/L)2 = 1 mA/V2，忽略body effect。 （每小題10 分，共20 分） 當IS 含有雜訊電流 i，求算Rm = vo/ i，註明單位。 IS 為理想電流源，求算電壓增益Av1 = vx/vi 與Av2 = vo/vx。 圖四