民國111年 地方三等 電子工程 半導體工程考古題

民國111年 地方三等 電子工程 半導體工程收錄考選部官方試題，共 4 題可線上瀏覽，考選部未公告本科目答案。

官方資料

題目與答案

第1題

何謂接觸電阻（contact resistance）？何謂片電阻（sheet resistance）？ 何謂特徵電阻（specific contact resistance）？並寫出上述三種電阻的單位。 （20 分） 請說明如何量測這三種電阻？（10 分）

第2題

對一長度為L 且此長度兩端施加偏壓V 的n 型半導體，假設電子的擴散 長度為Ln，電子的擴散係數為Dn，電子的遷移率（mobility）為μn，電 子濃度為n，電子電荷為q。假設沿長度L 方向為x 軸方向，且電子速 度達到飽和值v。請寫出此半導體的漂移（drift）電流密度與擴散 （diffusion）電流密度方程式？（20 分）

第3題

對一npn 雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor, BJT），若基 極濃度由射極-基極接面（emitter-base junction）朝向基極-集極接面 （base-collectorjunction）逐漸減少的結構，請說明這樣可以提供什麼優點？ （10 分） 對一npn 雙極性接面電晶體，通常電流增益（ ）是一常數，但是它在 低集極電流（IC）與高集極電流區域都會呈現減少的趨勢。請說明為 什麼會減少的原因？（10 分）

第4題

考慮一多晶矽閘極金氧半電容（polysilicon-gate MOS capacitor），在高摻 雜的閘極，其EF- EC = 0.2 eV；在一般摻雜的矽基板，其EC - EF= 0.2 eV。 假設此結構理想化， 畫出此多晶矽閘極金氧半電容在平帶（flat-band）情況下的能帶圖。（10 分） 當閘極電壓等於零（VG = 0）時，此多晶矽閘極金氧半電容是處於下 列那一種情況？聚積（accumulation）？空乏（depletion）？反轉 （inversion）？（10 分） 請說明閘氧化層和場氧化層的差異。（10 分）