第1題
對於增強型（Enhancement Mode）P-channel MOSFET電晶體。（每小題10 分，共20分） 試說明閘源極電壓（Gate-source Voltage）和汲源極電壓（Drain-source Voltage）與汲極電流（Drain Current）的關係。 繪製閘源極電壓和汲源極電壓與汲極電流關係的電流—電壓圖（i-v curve）。
民國112年 高考三級 電子工程 電子學考古題
民國112年 高考三級 電子工程 電子學收錄考選部官方試題，共 5 題可線上瀏覽，考選部未公告本科目答案。
官方資料
題目與答案
第2題
如圖一為了將原本數位信號之0V關閉與10V導通之閘極驅動信號輸入至 一轉換電路，該轉換電路會將0V關閉信號轉變成-5V且將10V導通信號轉 變成5V，該轉換電路只包含一個導通電壓為0.5V二極體、一個電容與無線 阻之連接線。（每小題10分，共20分） 於轉換電路中再增加一齊納二極體（Zener diode）下，設計該電路。 該電容與輸入電壓初始電壓皆為0V，繪製並標示輸出電壓、輸入電壓 與電容電壓的時間關係。 圖一
第3題
如圖二之一個將輸入為vin(t)，且在正負電壓之間變化的交流電壓輸入信號 轉換成一個正電壓輸出，其中操作放大器（OPAmp）為理想操作放大器。 （每小題10分，共20分） 推導該電路之 ( ) ( ) ( ) o in v s K G s v s 中轉移函數 ( ) G s 與K增益。 若電阻R=100 kΩ，計算電容C之值，使濾波頻寬為100 Hz。 圖二
第4題
如圖三所示的npn雙極性電晶體（BJT）共集極電路（Common Collector circuit）， (exp( / ) 1) c s BE T i I v V 且β = 110，其中 sI pA ， T V 即熱電壓為 26 mV，試求準確至小數點第三位之 BE v 值。（20分） 圖三
第5題
如圖四所示一電路由三個半橋組成，每個半橋由高壓側之PMOS其 Tp V V 與低壓側之NMOS其 Tn V V 組成，忽略各MOSFET的寄生電 容，三個輸入 1v 、 2v 、 3v 個別具有0V、1.65V、3.3V三種離散（discrete） 狀態。（每小題10分，共20分） ov 的電壓共有幾種，各是幾伏特。 說明如何控制三個輸入使 ov 產生近似弦波的階梯輸出。 圖四