第1題
關於二極體，試說明：（每小題10分，共20分） 二極體的空乏區（Depletion Region）形成的原因。 空乏區的內建電位（Built-in potential）的來由。
民國112年 普通考試 電信工程 電子學概要考古題
民國112年 普通考試 電信工程 電子學概要收錄考選部官方試題，共 5 題可線上瀏覽，考選部未公告本科目答案。
官方資料
題目與答案
第2題
如圖一所示之全橋電路，由四個增強型NMOS構成，輸入信號為週期性方 波 1S 與其反置信號ܵ̅ଵ，使上下臂互鎖，如 1S 為使NMOS導通之高電位，則 ܵ̅ଵ為使NMOS關閉之低電位，反之亦然，負載為一電阻R=1 Ω串聯一電感 L=10 mH。（每小題10分，共20分） 初始電流݅為零， 1S 與 S 同為高電位， S 為低電位時，說明電流路徑且 推導輸出電流݅(t)。 初始電流為݅=10 A，ܵଵ、ܵଶ與ܵଷ同為低電位，說明電流路徑且繪製輸出 電流݅波形，須標示時間終止時之電流， t sec。 圖一
第3題
如圖二之npnp四層結構元件， G v = 0或5V。（每小題10分，共20分） 當正極（A）連接在一個100 VDC電壓源正電壓端，且負極（B）連接在 10 Ω電阻負載一側，電阻負載另一側接該100 VDC電壓源負電壓端，試 繪製該npnp四層結構元件之等效電路與電壓源及負載之電路，並說明 G v 之電壓對該元件導通與否之影響。 當負極（B）連接在一個100 VDC電壓源正電壓端，且正極（A）連接在 10 Ω電阻負載一側，電阻負載另一側接該100 VDC電壓源負電壓端，試 繪製該npnp四層結構元件之等效電路與電壓源及負載之電路，並說明 G v 之電壓對該元件導通與否之影響。 圖二
第4題
一操作放大器，其增益帶寬積（Gain-bandwidth product; GBW）為10 MHz，最大增益為20 dB，做成一單位增益緩衝器（unity gain buffer）電路。 （每小題10分，共20分） 繪製並推導該單位增益緩衝器 ) / ( ( ) i o n V V j j 的頻率響應。 求取其在10 MHz之增益與相位角。
第5題
如圖三所示的NMOS 反向器（Inverter）電路，其NMOS之 Tn V V 且 0 / 5 in v V 的脈衝波（Pulse Train）。該NMOS的轉導（Transconductance） 為100 姆歐，且於 in v V 時的飽和電流為10 A。該脈衝波於20%責任週期 （duty cycle）與500 kHz下切換。（每小題10分，共20分） 於NMOS開始導通後排出800 pF電容內的99%電荷所需時間。 推導NMOS開始關閉至下一次NMOS開始導通之輸出電壓 ov 時間響應 函數，並計算最高輸出電壓 ov 。 圖三 ܣ ܤ G n p n p