民國113年地方三等電子工程半導體工程考古題

民國113年地方三等電子工程半導體工程收錄考選部官方試題，共 6 題可線上瀏覽，考選部未公告本科目答案。

官方資料

請說明在矽晶圓中N 型半導體的多數載子是什麼？矽晶圓中N 型摻雜物是那些材料？（10 分）

在P 型矽晶圓，請舉三種製程說明如何用矽晶圓製作電阻？（20 分）

CVD 與PVD 之主要差別為何？（10 分）

IC 製程中可以形成圖案之技術有那些？（20 分）

請畫出基本的快閃記憶體元件結構圖，它與NMOS 之間主要的不同是什麼？（20 分）

半導體製程中量測電阻為何須用四點探針，請畫出其量測圖。（20 分）