民國114年 地方三等 電子工程 電子學考古題

民國114年 地方三等 電子工程 電子學收錄考選部官方試題，共 5 題可線上瀏覽，考選部未公告本科目答案。

官方資料

題目與答案

第1題

有一個理想運算放大器（OperationalAmplifier）電路如圖一所示，此電路有 3 個輸入電壓訊號，分別為： Iv 、 Iv 與 Iv 。電路中 80 kΩ f R ，1 40 kΩ R ， 10 kΩ R ， 20 kΩ R ， 10 kΩ R ， 20 kΩ R 。請計算O v ？（20 分）

第2題

有一個pnp 雙載子接面電晶體（Bipolar Junction Transistor, BJT）電路如 圖二所示，電晶體 Q 的 。當射極-基極接面（Emitter-Base, EB, Junction）為順向偏壓時，EB V 恆等於0.7 V，電路中 5 V V ， 60 kΩ B R ， 40 kΩ B R ， 1kΩ C R ， 3 kΩ E R 。 請計算 C V ？（10 分） 當 0 7 V EB V . （EB 接面順向偏壓）且 0 4 V CB V . 時，電晶體 Q 會進入 飽和模式（Saturation Mode），若要讓 Q 保持在主動模式（Active Mode）， 請問 C R 的最大值為何？（10 分） + _ 圖一 圖二 R3 R2 R1 R4 R5 V+ V Q1 D R D R C R C R O v Sv

第3題

圖三為一個基本的NMOS 場效電晶體（Field Effect Transistor, FET）差動 放大器（Differential Amplifier）電路， Q 與 Q 完全匹配（Perfectly Match）， 輸入訊號為差動輸入形式。 Q 與 Q 的參數如下： 2 mA/V m m g g ， 10 fF gs gs C C ， 2 fF gd gd C C ， 5 fF db db C C ， 15 k o o r r 。 電路部分， 30 k D D R R ， 25 k sig R 。請計算此電路的： 上3 dB頻率（ Hf ）。（15 分） 零點（Zero）頻率。（5 分） + - + -

第4題

圖四為一個串並（Series-Shunt）回授放大器電路，電路中npn BJT 電晶 體 Q 與 Q 的參數如下： ， 10 mA/V m m g g ， 10 k r r ， o o r r 。電路中， 20 k C R ， 20 k C R ， 2 k R ， 18 k R 。請計算：電壓增益 / O S v v 、輸入電阻 in R 與輸出電 阻 out R 。（20 分） + - 圖三 圖四 V Rsig Rsig Vid Vod Q1 Q2 I V Q1 Q2 R2 R1 Rin Rout O v DD V Bv A v

第5題

有一個NMOS 邏輯電路如圖五所示，其中電晶體 Q 、 Q 與 Q 的臨界電壓 （ThresholdVoltage）分別為 1V t t t V V V ， ( / / ( ( / ) ) ) W L W L W L ， 5 V DD V ，忽略通道長度調變（Channel Length Modulation）與基底效應 （Body Effect）。請計算： 0 V A B v v 時， O v ？（10 分） 5 V A v ， 0 V B v 時， O v ？（10 分） 圖五 Q1 Q2 Q3