民國96年 第3梯次 儀表電子甲級 學科
第38題
砷化鎵( G a A s ) 元件與相對應的矽元件相比較,下列敘述何者為錯誤?
題目
砷化鎵( G a A s ) 元件與相對應的矽元件相比較,下列敘述何者為錯誤?
- (1) 砷化鎵元件有較高的輸出電流
- (2) 砷化鎵元件有較高的g
- (3) 砷化鎵元件有較高的操作速度
- (4) 砷化鎵元件有較高的電洞漂移移動率( m o b i l i t y )
官方答案
(4) 砷化鎵元件有較高的電洞漂移移動率( m o b i l i t y )
解析
砷化鎵的電子移動率約為矽的數倍，因此操作速度較高、互導 gm 較大；但電洞移動率比矽低，並非較高，故第4項敘述錯誤。砷化鎵屬化合物半導體，能隙較大、耐高溫與高頻特性佳，常用於高頻與高速元件；其缺點是電洞傳導差，較不利於需要良好 P 型通道的元件。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。