民國96年 第3梯次 11500 儀表電子甲級 學科考古題與答案

第1題

兩個八位元有號數相加,下列哪一組會產生溢位? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 3

第2題

十六進位數5 B D 3 的2 的補數為何? 1. A 32 C 2. A 32 D 3. A 42 C 4. A 42 D 。

答案：(4) A 42 D

解析：十六進位 5BD3 轉成二進位為 0101 1011 1101 0011。取二補數時先將每一位元反相，得到 1010 0100 0010 1100，即 A42C，再加 1 得 A42D。也可用 16 位元模數計算：10000H − 5BD3H = A42D H。選項 A32C、A32D、A42C 分別在反相或加 1 的步驟出錯，故正確為 A42D。

第3題

使用0 . 2 級的數位電表量測時,其讀數的有效位數可達幾位? 1. 3 位 2. 4 位 3. 5 位 4. 6 位。

答案：(2) 4 位

解析：級數（class）代表以滿刻度為基準的最大百分比誤差，0.2 級即誤差約 ±0.2%，相當於滿刻度的 1/500，屬於高準確度的電表。要讓顯示末位能反映這樣的不確定度，讀值的有效位數需達 4 位，因此 0.2 級數位電表的讀數有效位數可達 4 位。

第4題

假設指令P U T Q X 的動作是將暫存器X 的內容放入佇列( q u e u e ) ,指令G E T Q X 的動作是從 佇列取出一筆資料放入暫存器X 中,X 可為任意暫存器。若暫存器的內容分別為:A = 18 、 B = 19 、C = 20 、D = 21 時,則依序執行下列程式後,暫存器A 的內容將為何? 1. 18 2. 19 3. 20 4. 21 。

答案：(1) 18

解析：佇列（queue）的先進先出（FIFO）特性：資料由後端放入（PUTQ）、由前端取出（GETQ），最早寫入者最先被讀出。依程式將 A、B、C、D 的內容依序放入後，取出順序仍是 18、19、20、21，因此最後寫回暫存器 A 的值為最早放入的 18。若為堆疊（LIFO）才會先取出最後放入的 21。解題關鍵是先判斷資料結構為佇列而非堆疊。

第5題

兩電感器正、負向串聯時,其總電感量分別為0 . 9 亨利及0 . 5 亨利,則彼此間的互感量為多 少? 1. 0 . 1 亨利 2. 0 . 4 亨利 3. 1 亨利 4. 4 亨利。

答案：(1) 0 . 1 亨利

解析：兩電感串聯時，若磁通互相助磁（正向串聯），總電感 L_a = L1 + L2 + 2M；若互相去磁（負向串聯），總電感 L_o = L1 + L2 − 2M。將兩式相減：L_a − L_o = 4M，因此 4M = 0.9 − 0.5 = 0.4 H，M = 0.1 H。互感只取正值，答案為 0.1 亨利；0.4 亨利是 4M 的值，不是互感本身。

第6題

鍵盤上" g h o s t i n g " 的現象可用那一種元件消除之? 1. 電阻器 2. 電容器 3. 電感器 4. 二極體。

答案：(4) 二極體

解析：鍵盤以矩陣方式掃描，當同時按下多個鍵時，電流會經由未按鍵的路徑串回，造成掃描電路誤判，即所謂 ghosting（鬼鍵）。在每個按鍵串接二極體後，電流只能單向流通，串回路徑被阻斷，即可消除鬼鍵，實現 N-key rollover。電阻器、電容器、電感器都是雙向元件，無法提供單向導通，故不能解決此問題。

第7題

R L 並聯電路的Q 值隨電阻值之增加而做下列何種變化? 1. 變大 2. 變小 3. 不變 4. 不一定。

答案：(1) 變大

解析：並聯 RL 電路之品質因數 Q = R／(ωL)，其中 R 為並聯電阻、L 為電感、ω = 2πf。由公式可知，當頻率與電感固定時，Q 值與電阻 R 成正比，故 R 增大則 Q 變大。此結果與串聯 RL（Q = ωL/R，R 增 Q 變小）相反，解題時須注意電路組態差異。本題為並聯，電阻上升使能量耗散相對減少、選擇性提升，因此選 1（變大）。

第8題

下列何者不是U S B 匯流排資料交易的三個階段? 1. 設定階段 2. 資料階段 3. 控制階段 4. 狀態階段。

答案：(3) 控制階段

解析：USB 匯流排的一次資料交易通常由令牌（設定）、資料與握手（狀態）三個階段構成，分別負責定址與指定交易方向、傳送資料，以及回報接收結果。控制階段屬於控制傳輸的整體流程概念，並非資料交易的三個階段之一。控制傳輸雖另有設定、資料、狀態等階段，但那是傳輸層級的分段，不能與本題的交易階段混為一談。

第9題

當溫度每升高1 °C時,M O S F E T 之V 值的變化下列何者為正確? 1. -2 ~-5 m V 2. +2 ~+ 5 m V 3. -6 ~-10 m V 4. +6 ~+10 m V 。

答案：(1) -2 ~-5 m V

解析：MOSFET 的臨界電壓 Vth 具有負溫度係數：溫度升高時，半導體的費米電位與空乏區電荷變化會使 Vth 下降，典型約為 -2～-5 mV/°C。因此溫度每升高 1°C，Vth 會朝負方向變動，而不是上升。+2～+5 mV/°C 的方向相反；-6～-10 mV/°C 也偏大。實務上仍須查元件資料表，因為製程與偏壓會影響係數。

第10題

一般低溫( -200 °C~+100 °C) 測量用之P t 100 的工作電流都限制在下列何種範圍? 1. 0 . 1 m A ~0 . 4 m A 2. 0 . 5 m A ~2 m A 3. 3 m A ~4 m A 4. 4 m A ~5 m A 。

答案：(2) 0 . 5 m A ~2 m A

解析：Pt100 的測溫原理是電阻隨溫度變化，因此流過感測體的電流會造成自熱。低溫量測時為了避免 I²R 熱量使元件溫度偏離環境，通常把工作電流控制在 0.5 mA～2 mA，常見設計約 1 mA；此範圍仍能產生足夠的電壓訊號。若電流提高到 3 mA 以上，自熱誤差與漂移會變大；0.1～0.4 mA 雖可降低自熱，但訊號較小、對雜訊與放大電路要求更高，並非一般低溫 Pt100 的通用範圍。

第11題

在裝配外殼過程中,為保護面板避免損傷,遇有螺母時應使用下列何種工具? 1. 尖嘴鉗 2. 活動扳手 3. 鋼絲鉗 4. 套筒起子。

答案：(4) 套筒起子

解析：裝配外殼、鎖付面板螺母時，若用尖嘴鉗、鋼絲鉗夾持易留下咬痕，活動扳手施力面積小也易刮傷面板。應使用套筒起子（又稱螺帽起子、nut driver），其套筒完整包覆螺母六面，施力均勻且不直接接觸面板表面，可避免面板刮傷與螺母損傷，並確保鎖付力矩適當。故答案選 4。此屬裝配作業之基本防護觀念，亦適用於各類面板緊固件之裝配。

第12題

信號線與交流電源線在配線過程中,下列何種處置為正確? 1. 全部集中用單蕊線紮成一束 2. 全部集中用束線帶紮成一束 3. 信號線與交流電源線分開各用單蕊線紮成一束 4. 信號線與交流電源線分開各用束線帶紮成一束。

答案：(4) 信號線與交流電源線分開各用束線帶紮成一束

解析：交流電源線流過較大電流，周圍會產生交變磁場，若與信號線平行緊貼捆綁，會經由電磁感應與雜散電容耦合，在信號線上感應出交流哼聲與雜訊，嚴重時造成誤動作。正確作法是将信號線與交流電源線分開配線，各自以束線帶固定成束，保持適當間距並儘量避免長距離平行，必要時採垂直交叉。用單蕊線或束線帶只是固定方式，關鍵在於兩類線路必須分開。

第13題

如下圖電路所示,其輸出電壓V =? 1. 8 V 2. 10 V 3. 12 V 4. 14 V 。

答案：(2) 10 V

第14題

在100 °C~600 °C之間工作時,下列何種型式的熱電偶( t h e r m o c o u p l e r ) 線性最佳? 1. R 型 2. E 型 3. J 型 4. K 型。

答案：(4) K 型

解析：K 型熱電偶（鎳鉻－鎳鋁）在 100～600 °C 之間，輸出電壓與溫差幾乎呈直線，靈敏度約 41 μV/°C，是工業上最常用的廣域型熱電偶，故線性最佳。R 型（白金－白金銠）雖耐高溫，但靈敏度僅約 10 μV/°C，中低溫段曲線彎曲、線性較差；E 型靈敏度最高（約 68 μV/°C），但線性不如 K 型；J 型（鐵－康銅）在 600 °C 以上易氧化漂移，線性亦較差。故選 K 型。

第15題

8088 中M O V A X,[ B X ] 的指令,對[ B X ] 而言其定址法( a d d r e s s i n g m o d e ) 為何? 1. 直接定址 2. 暫存器定址 3. 暫存器間接定址 4. 基底索引定址。

答案：(3) 暫存器間接定址

解析：MOV AX,[BX] 的運算元 [BX] 表示以 BX 暫存器的內容作為有效位址，CPU 再到該記憶體位址讀取資料，這種方式稱為暫存器間接定址。若為直接定址，指令會寫成 MOV AX,[位移量]；若為暫存器定址，運算元直接是 BX，寫成 MOV AX,BX；基底索引定址則需如 [BX+SI] 的組合。因此本題為暫存器間接定址。

第16題

如下圖電路所示,若二極體為理想二極體,則其V i -V o 轉換特性曲線為下列何者? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 1

第17題

一多範圍直流電流表,在10 m A 範圍時愛亦頓( A y r t o n ) 分流器的抽頭電阻值R = 1 Ω ,則 50 m A 範圍時的抽頭電阻值R 為何? 1. 0 . 25 Ω 2. 0 . 22 Ω 3. 0 . 2 Ω 4. 1 . 67 Ω 。

答案：(3) 0 . 2 Ω

解析：艾頓（Ayrton）分流器以抽頭改變分流電阻。10 mA 檔使用全部分流電阻 R_total = 1 Ω；50 mA 檔只使用抽頭段 R_x，兩檔的滿刻度電流與分流電阻成反比，故 R_x / R_total = I_10 / I_50 = 10 / 50 = 0.2，R_x = 1 × 0.2 = 0.2 Ω。其餘選項不符 10：50 的分流比例，因此正確為 0.2 Ω。

第18題

布林代數 化簡後應為何? 1. A B + C 2. A C + B 3. B C + A 4. 。

答案

• 1

第19題

下列何者不是在構成職業災害認定時的要件? 1. 時間 2. 原因 3. 對象 4. 結果。

答案：(1) 時間

第20題

下列何者並非為預防游離輻射危害之原則? 1. 時間 2. 距離 3. 屏蔽 4. 速度。

答案：(4) 速度

解析：游離輻射防護的三原則為時間、距離與屏蔽：縮短曝露時間以降低累積劑量；加大與射源的距離，因劑量率與距離平方成反比；在射源與人員之間加裝鉛板、混凝土等屏蔽以衰減輻射。速度與人員所受劑量無關，並非防護原則，故選4。

第21題

如下圖電路所示,則E 之電壓值應為多少? 1. 87 V 2. 77 V 3. 67 V 4.

答案

• 2

第22題

下圖交流等效電路,若h = 50 ,h = 1 k Ω ,則Z 為多少? 1. 51 k Ω 2. 52 k Ω 3. 53 k Ω 4. 54 k Ω 。

答案：(2) 52 k Ω

第23題

設R L C 串聯電路中,V = 20 ∠30 ° V,I = 5 ∠- 15 ° A,則下列何者錯誤? 1. 視在功率為100 伏安 2. 平均功率為70 . 7 W 3. 無效功率為70 . 7 乏爾 4. 功率因數為1 。

答案：(4) 功率因數為1

解析：視在功率 S＝|V|×|I|＝20×5＝100 VA，選項1正確。相位差 θ＝30°－(－15°)＝45°。平均功率 P＝S×cosθ＝100×cos45°＝100×0.707＝70.7 W，選項2正確；無效功率 Q＝S×sinθ＝100×0.707＝70.7 var，選項3正確。功率因數＝cos45°＝0.707，並非1，故選項4錯誤，為本題答案。只有在電壓與電流同相（θ＝0°）時，功率因數才會等於1。

第24題

使用三個電表測量單相功率因數,下列何者為誤? 1. 三個伏特表 2. 三個安培表 3. 瓦特表,安培表,伏特表各一個 4. 頻率表,安培表,伏特表各一個。

答案：(4) 頻率表,安培表,伏特表各一個

解析：單相功率因數可由 P／(V×I) 求得，因此只要瓦特表、安培表、伏特表各一個，就能同時讀出有效功率P、電流I與電壓V，再代入公式計算，選項3可行。另外也可採用三電壓表法或三電流表法：在電路中串接已知電阻，使各元件上的電壓或電流產生差異，由三次讀值配合餘弦定理推算功率因數，故選項1、2亦可行。頻率表只能測量頻率，無法提供功率或相位資訊，因此該組合無法測得功率因數，故選4。

第25題

下列何組16 進制資料用來作R A M 的測試最好? 1. 5 A、A 5 2. 55、A A 3. 0 F、F 0 4. 00、F F。

答案：(2) 55、A A

解析：RAM測試最常用「棋盤式（checkerboard）」圖樣，即以16進制55（二進制01010101）與AA（10101010）交替寫入。此兩組資料每一位元皆互補，可最有效偵測相鄰位元黏著（stuck-at）、短路及耦合雜訊。雖然00與FF（全0、全1）亦可用於邊界測試，但55/AA因位元交替最嚴苛，被視為最佳基本測試組合。故選項2正確，選項1（5A/A5）、3（0F/F0）圖樣變化不如55/AA完整。

第26題

若要驅動單個L E D 的放大電路,以何種包裝型式的電晶體,較為經濟? 1. T O - 3 2. T O - 5 3. T O - 92 4. T O - 220 。

答案：(3) T O - 92

解析：單顆LED的工作電流僅數mA至數十mA，驅動晶體屬於小信號用途，選用TO-92塑膠封裝最經濟：體積小、單價低、插件容易，且不需散熱片。TO-3與TO-5為金屬封裝，散熱能力好，但價格高、體積大，多用於功率或高可靠度場合；TO-220屬功率封裝，可鎖散熱片、承受較大電流，用於單顆LED不但成本高，也浪費額定能力。因此在成本考量下應選TO-92。

第27題

微處理機執行呼叫( C A L L ) 指令時,下列何者並非其應有的動作? 1. 會更動堆疊指標( S P ) 2. 下一行指令的位址存入堆疊內 3. 呼叫的位址存入程式計數器 4. 會取出累積器的內容。

答案：(4) 會取出累積器的內容

解析：CALL指令的動作是：先把CALL下一個指令的位址（返回位址）推入堆疊保存，堆疊指標SP因此變動（一般為遞減）；接著把副程式的進入位址載入程式計數器PC，使程式流程跳到副程式執行；副程式結束後再以RET取出返回位址。整個過程只涉及PC與堆疊，並不會去取出累積器（AC）的內容，累積器內容在CALL前後維持不變，故選4。

第28題

史密特觸發電路做為比較器用時,當其磁滯電壓愈小時,下列敘述何者正確? 1. 動作時間愈不準且愈不昜受雜訊影響 2. 動作時間愈準且愈昜受雜訊影響 3. 動作時間愈準且愈不昜受雜訊影響 4. 動作時間愈不準且愈昜受雜訊影響。

答案：(2) 動作時間愈準且愈昜受雜訊影響

解析：史密特觸發電路具磁滯特性，有上限VT+與下限VT-兩臨界電壓。磁滯電壓(VT+−VT−)愈小，切換點愈接近單一理想電壓，動作準位愈準確；但因其容許的雜訊邊際變小，輸入信號上微小雜訊即易造成誤觸發，故愈易受雜訊影響。

第29題

一個全加器的總和( S ) 可用下列哪一個卡諾圖來表示? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 1

第30題

下圖電路中,I 為多少? 1. 10 m A 2. 20 m A 3. 30 m A 4. 40 m A 。

答案：(4) 40 m A

第31題

在產品製造過程中,直接使用的各種原料,是屬於生產成本中的何種費用? 1. 材料費用 2. 勞務費用 3. 製造費用 4. 管銷費用。

答案：(1) 材料費用

解析：生產成本一般分為直接材料、直接人工與製造費用三大類。產品製造過程中直接使用、可直接歸屬到產品的各種原料，即為直接材料費用。勞務費用（直接人工）是指直接從事製造的作業人員薪資；製造費用則包括間接材料、間接人工、廠房折舊、水電等無法直接歸屬到特定產品的成本；管銷費用屬營業費用，不列入製造成本。因此直接使用的原料應歸類為材料費用，故選1。

第32題

下列那一個元件可以用來作為壓力轉換為電壓的介面? 1. 壓變電容器( v a r a c t o r ) 2. 石英 ( q u a r t z ) 3. 霍爾( H a l l ) 元件 4. P T 100 。

答案：(2) 石英 ( q u a r t z )

解析：石英具有壓電效應：受機械壓力而變形時，兩端面會產生與應力成比例的電荷，經電荷放大器即可轉換為電壓，因此可作為壓力轉換為電壓的介面，常見於壓力計、加速度計與力感測器。變容二極體（varactor）是靠逆向偏壓改變接面空乏區寬度來改變電容，屬電壓轉電容的元件；霍爾元件感測磁場，輸出與磁通密度成正比的電壓，屬磁轉電；PT100 是鉑電阻測溫體，電阻隨溫度上升而增加，屬溫度轉電阻。三者輸入的物理量都不是壓力。

第33題

使用數位電壓表測量約10 V 的未知電壓,欲得到1 m V 的解析度時,則應選用下列何者最為 適當? 1. 31 / 2 位 2. 41 / 2 位 3. 51 / 2 位 4. 61 / 2 位。

答案：(2) 41 / 2 位

解析：四位半（4 1/2 位）電表最大顯示約 19999，選用 20 V 檔時，最低有效位為 20 V ÷ 20000 = 1 mV，可分辨 10 V 附近 1 mV 的變化。三位半最大約 1999，20 V 檔解析度為 10 mV；五位半雖可達 0.1 mV，但已超過需求且成本較高。

第34題

在I B M 相容個人電腦之I S A 擴充槽,欲讀取I / O 位址內的資料時,除了對I / O 位址解碼外, 其控制信號必須為下列何種組合? 1. A E N = 1、 = 1 2. A E N = 1、 = 0 3. A E N = 0、 = 1 4. A E N = 0 、 = 0 。

答案：(4) A E N = 0 、 = 0

解析：ISA匯流排的AEN為DMA位址致能信號：當DMA控制器接管匯流排時AEN=1，此時CPU送出的位址無效；由CPU執行I/O週期時必須AEN=0，位址解碼才具意義。讀取I/O資料時，I/O讀取控制信號（IORC）為低態動作，須為0才能使被選中的介面把資料送上資料匯流排；寫入控制信號（IOWC）則保持1（不動作）。因此正確組合為AEN=0且讀取控制=0，即選項4。

第35題

下列各種方法中常用來作鍵盤之類的慢速I / O 與C P U 同步者為何? 1. 中斷( i n t e r r u p t ) 2. 直接記憶存取( D M A ) 3. 持住( h o l d ) 4. 交插式記憶體( i n t e r l e a v e m e m o r y ) 。

答案：(1) 中斷( i n t e r r u p t )

解析：鍵盤屬於慢速週邊，按鍵動作間隔遠大於CPU的指令週期。採中斷方式時，CPU平時執行主程式，鍵盤有按鍵資料才送出中斷要求，CPU再暫停目前工作去服務，可避免CPU空等而浪費運算資源。DMA適用於磁碟、螢幕等大量且高速的資料傳輸；HOLD 是週邊要求CPU讓出匯流排供DMA使用的信號；交插式記憶體是讓記憶體分批存取以提升速度，與I/O同步無關。

第36題

把4 - b i t 計數器的輸出接到7 段顯示器,必須先經過下列何者? 1. 解碼器 2. 多工器 3. 解多工器 4. 編碼器。

答案：(1) 解碼器

解析：4 位元計數器輸出的是 0000～1111 的二進位碼，七段顯示器則需要七個段控制信號。解碼器（如 BCD 對七段解碼器）能把四位元碼轉成 a～g 各段的驅動信號，使顯示器顯示對應數字；多工器是從多路中選一路，解多工器是把一路分到多路，編碼器方向相反，皆不適合直接驅動七段顯示器。

第37題

瓦特表由下列何者構成? 1. 兩個動圈及一個固定線圈 2. 兩個動圈及兩個固定線圈 3. 一個動圈及一個固定線圈 4. 一個動圈及兩個固定線圈。

答案：(4) 一個動圈及兩個固定線圈

第38題

砷化鎵( G a A s ) 元件與相對應的矽元件相比較,下列敘述何者為錯誤? 1. 砷化鎵元件有較高的輸出電流 2. 砷化鎵元件有較高的g 3. 砷化鎵元件有較高的操作速度 4. 砷化鎵元件有較高的電洞漂移移動率( m o b i l i t y ) 。

答案：(4) 砷化鎵元件有較高的電洞漂移移動率( m o b i l i t y )

解析：砷化鎵的電子移動率約為矽的數倍，因此操作速度較高、互導 gm 較大；但電洞移動率比矽低，並非較高，故第4項敘述錯誤。砷化鎵屬化合物半導體，能隙較大、耐高溫與高頻特性佳，常用於高頻與高速元件；其缺點是電洞傳導差，較不利於需要良好 P 型通道的元件。

第39題

如下圖電路所示,為衰減20 d B 的π 型衰減器,其特性電阻為何? 1. 732 Ω 2. 700 Ω 3. 600 Ω 4. 366 Ω 。

答案：(3) 600 Ω

第40題

下列何者為一般矽單向開關( S U S ) 的轉態電壓? 1. ± 8 V 2. 8 V 3. 20 V 4. ± 20 V 。

答案：(2) 8 V

解析：矽單向開關（SUS, Silicon Unilateral Switch）是一種單向觸發元件，其轉態（崩潰、breakover）電壓典型值約為8V，僅單一極性導通。若為雙向的矽雙向開關（SBS, Silicon Bilateral Switch），其轉態電壓才為±8V。題目明確為單向（SUS），故應選單向的8V（選項2），而非±8V（選項1、4）或20V（選項3）。SUS常作為閘流體或電源電路的觸發元件。

第41題

S N 74 L S 04 的輸入與輸出短路時,會產生何種現象? 1. I C 燒毀 2. 輸出約0 V 3. 輸出約1 . 2 V 4. 輸出約V c c 。

答案：(3) 輸出約1 . 2 V

解析：74LS04 是內含六個反相器的 TTL 元件。把輸入端與輸出端直接短路，等於將輸出電壓回授到輸入，電路必須同時滿足「輸出等於輸入」與反相器轉移曲線這兩個條件，因此工作點會停在兩者的交點。TTL 反相器在 VIL 與 VIH 之間快速翻轉，交點大約落在 1.2V，所以輸入與輸出都維持在約 1.2V 的準穩態，既非 0V 也非 Vcc。此時輸出級電流受內部限流，短時間內不至於燒毀元件。

第42題

雙斜波積分器( d u a l s l o p e i n t e g r a t o r ) 之數位電壓表,在量測時影響準確度最大的是: 1. 內部時脈信號的頻率 2. 內部積分器的電阻值 3. 內部的參考電壓 4. 內部積分器的電容量。

答案：(3) 內部的參考電壓

解析：雙斜波（雙積分）式數位電壓表先將輸入電壓積分固定的時間 T1，再以反向的參考電壓積分回到零，並計數回零所需的時間 T2。計數值 N＝(Vin／Vref)×N1，其中積分電阻 R 與電容 C 同時出現在兩次積分的時間常數中，只要同一量測週期內保持穩定就會相互抵消；時脈頻率也因計數與積分共用同一時基而抵消。因此影響準確度最大的是內部參考電壓 Vref 的準確度與穩定度。

第43題

壓電型超音波感測器,其工作頻率約在下列何種範圍? 1. 10 k H z 2. 40 k H z 3. 200 k H z 4. 400 k H z 。

答案：(2) 40 k H z

解析：壓電型超音波感測器（如空氣中測距用的發射與接收對）常見工作頻率約為 40 kHz，此頻率在空氣中衰減與指向性之間取得平衡。10 kHz 波長太長、解析度差；200 kHz 與 400 kHz 在空氣中衰減過大，傳輸距離短，多用於水中或特殊檢測場合。

第44題

下列何者不是U S B 匯流排的特性? 1. 最多能同時連接256 個裝置 2. 具有熱插拔的功能 3. 能自動偵測與配置系統的資源 4. 能自動配賦系統內所具有的適當驅動程式。

答案：(1) 最多能同時連接256 個裝置

解析：USB 匯流排以 7 位元位址定址，其中保留部分位址，因此一個主控器最多可連接 127 個裝置，而非 256 個，故第一項不是 USB 的特性。其餘三項皆為 USB 的典型能力：支援熱插拔，不必關機即可插拔周邊；具隨插即用機制，能自動偵測裝置並配置系統資源；作業系統也能依裝置描述元自動配賦適當的驅動程式。

第45題

功率測定的各種儀表中,測定頻率範圍最高可達數佰G H z 的為? 1. 動力計型( d y n a m o m e t e r ) 瓦特計 2. 熱偶型( t h e r m o c u p l e ) 瓦特計 3. 霍爾( H a l l ) 效應瓦特計 4. 熱測計型( b o l o m e t e r ) 瓦特計。

答案：(4) 熱測計型( b o l o m e t e r ) 瓦特計

解析：熱測計型（bolometer）瓦特計利用吸收微波或毫米波功率後，感測元件電阻隨溫度上升而變化，再換算成功率，屬於熱轉換式功率感測，頻率響應可延伸至數百 GHz，常用於毫米波與次毫米波量測。動力計型靠線圈電磁力，只適合低頻；霍爾效應瓦特計適用範圍多在數十 kHz 以下；熱偶型雖可達微波頻段，但上限仍低於熱測計型。

第46題

為了製造價廉物美的音頻振盪器,其內部電路以下列那一個振盪電路比較合適? 1. 哈特萊 2. 考畢茲 3. 維恩電橋 4. 惠斯頓電橋。

答案：(3) 維恩電橋

解析：音頻振盪器（約 20 Hz～20 kHz）宜用 RC 振盪電路。維恩電橋（Wien bridge）為 RC 橋式振盪器，頻率由 R、C 決定，諧波失真低、振幅穩定、電路簡單且成本低，最適合廉價音頻應用。哈特萊與考畢茲均屬 LC 振盪器，適用射頻（MHz 級）而不利音頻；惠斯頓電橋是直流電阻測量電橋，非振盪電路。故選 3。維恩電橋在音頻段頻率穩定且易調，為業界標準方案。

第47題

以C A D 軟體來設計印刷電路板時,在網路表( n e t l i s t ) 檔案內不能觀察下列何者內容? 1. 電路板層名稱 2. 線路的名稱 3. 零件包裝名稱 4. 零件編號名稱。

答案：(1) 電路板層名稱

解析：網路表(netlist)描述電路邏輯連接關係，內含零件編號(如R1、C2)、零件包裝(footprint)名稱與網路(線路)名稱等，供PCB佈線軟體建立連線。電路板層名稱(如頂層、底層、電源層)屬PCB編輯階段的堆疊設定，不存在於網路表檔案中，故無法由此觀察。

第48題

如下圖電路中,O P A 未加回授前,輸入阻抗為Z i,增益為A,則Z i n 為何? 1. R i + Z i 2. R i + [ R f /( 1 + A ) ] / / Z i 3. R i / / Z i 4. Z i /A 。

答案：(2) R i + [ R f /( 1 + A ) ] / / Z i

第49題

當C P U 進入h o l d 狀態時,下列敘述何者是錯誤的? 1. C P U 內部暫存器的內容保持暫停前的值 2. C P U 的位址與資料匯流排為浮接( f l o a t i n g ) 狀態 3. 此時可做磁碟機資料的存取 4. C P U 將不再執行程式中的後續指令。

答案：(4) C P U 將不再執行程式中的後續指令

第50題

設計印刷電路板時,將銲點設計成淚滴狀的原因為何? 1. 減少雜訊干擾 2. 銲接時可降低零件接腳的溫度 3. 銲接時銲點上的銅箔不易斷線 4. 為了美觀。

答案：(3) 銲接時銲點上的銅箔不易斷線

解析：淚滴狀（teardrop）焊墊是把焊墊與細銅箔走線的交接處加寬成弧形漸變。印刷電路板在蝕刻時，細線與大銅面交接處容易產生側蝕而變得更細；焊接時烙鐵的熱應力與零件接腳的機械應力也集中在這個頸部。做成淚滴狀可增大截面、分散應力，使銅箔不易斷線或由基板剝離。其主要作用是提升可靠度，與降低接腳溫度或美觀無關。