民國108年 第3梯次 儀表電子甲級 學科

第78題

於一純矽半導體,其本質濃度n i 為1.5 X 1010 原子/cm 3,密度為5 X 1022 原子/cm 3,若每108 個矽 原子加入一個硼原子,下列敘述…

題目

於一純矽半導體,其本質濃度n i 為1.5 X 1010 原子/cm 3,密度為5 X 1022 原子/cm 3,若每108 個矽 原子加入一個硼原子,下列敘述哪些正確?

  1. (1) 電洞濃度為5 X 1014(電洞/cm 3)
  2. (2) 電子濃度為4.5 X 105(電子/cm 3)
  3. (3) 形成N 型半導體
  4. (4) 形成P 型半導體

官方答案

(1) 電洞濃度為5 X 1014(電洞/cm 3)、(2) 電子濃度為4.5 X 105(電子/cm 3)、(4) 形成P 型半導體

解析

硼為三價受體雜質,加入本質矽後形成P型半導體(非N型),故4正確、3錯誤。受體濃度N_A=矽密度÷10^8=5×10^22÷10^8=5×10^14 cm^-3。P型中電洞濃度p≈N_A=5×10^14,故1正確。電子濃度n=ni²/p=(1.5×10^10)²÷(5×10^14)=2.25×10^20÷5×10^14=4.5×10^5,故2正確。綜上正確為1、2、4。

AI 參考解析(推得答案已與官方答案比對一致),非官方公告內容,僅供備考參考。

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