民國101年 第3梯次 儀表電子乙級 學科
第6題
下列對電晶體的敘述何者為正確?
題目
下列對電晶體的敘述何者為正確?
- (1) 集射極電壓愈大,則集基極接面的空乏區寬度愈大
- (2) 集射極電壓愈大,則基射極順向偏壓愈小
- (3) 集射極電壓愈大,則集基極逆向偏壓愈小
- (4) 集射極電壓愈大,則基極有效寬度愈大
官方答案
(1) 集射極電壓愈大,則集基極接面的空乏區寬度愈大
解析
集射極電壓 VCE 增大時，VCE = VBE + VCB（依方向），集基極接面的逆向偏壓 VCB 隨之增大，PN 接面空乏區寬度與逆向偏壓的平方根成正比，因此空乏區變寬，並向基極延伸，使基極有效寬度變窄（厄利效應）。選項2 的基射極順向偏壓主要由輸入偏壓電路與 VBE 決定，不隨 VCE 明顯改變；選項3 說逆向偏壓變小，方向相反；選項4 說基極有效寬度變大，實際上因空乏區向基極擴張而變小。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。