民國102年 第1梯次 儀表電子乙級 學科
第52題
在I C 的製程中M O S F E T 和B J T 電晶體比較,下列那ㄧ個條件非M O S F E T 所具有的優點?
題目
在I C 的製程中M O S F E T 和B J T 電晶體比較,下列那ㄧ個條件非M O S F E T 所具有的優點?
- (1) 體積小
- (2) 電壓放大倍數高
- (3) 消耗功率低
- (4) 輸入阻抗高
官方答案
(2) 電壓放大倍數高
解析
MOSFET 的優點包括：結構簡單、體積小，適合高密度積體化；閘極以氧化層隔離，輸入阻抗極高、驅動電流幾乎為零；多數工作於開關狀態，消耗功率低，且製程與 CMOS 邏輯相容。相對地，MOSFET 的轉移電導 gm 較小，電壓放大倍數通常低於 BJT，因此「電壓放大倍數高」並不是它的優點，故選 2。
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