民國102年 第1梯次 11500 儀表電子乙級 學科歷屆試題與答案，共 80 題可線上瀏覽，適合查詢考古題、題庫與解答。
在室溫附近的矽二極體,溫度上升20 °C,反向飽和電流變為原來的幾倍? 1. 0 . 25 2. 2 3. 4 4. 0 . 5 。
答案：(3) 4
解析：矽二極體的反向飽和電流主要來自少數載子，其數量對溫度極為敏感，經驗法則為溫度每升高約 10°C，反向飽和電流約增為原來的 2 倍。本題溫度上升 20°C，相當於經過 20/10＝2 個 10°C 區間，故電流變為原來的 2²＝4 倍。此現象會使逆向漏電明顯增加，也是高溫下二極體特性變差的原因；選項 0.25 與 0.5 為變小的方向，與溫度升高使少數載子增多的物理現象不符。
下列之比較說明何者為正確? 1. P U T 的I 與I 值均比U J T 為低 2. P U T 的I 值較U J T 高,而 I 值較U J T 低 3. P U T 的I 與I 值均比U J T 為高 4. P U T 的I 值較U J T 低,而I 值較U J T 高。
答案：(1) P U T 的I 與I 值均比U J T 為低
解析：PUT（可程式單接面電晶體）與 UJT 同屬負電阻元件，但 PUT 的峰點電流 IP 與谷點電流 IV 都設計得比 UJT 低：UJT 的 IP 約在微安等級、IV 約在毫安等級，而 PUT 的 IP 可低至零點幾微安、IV 也更小，因此「IP 與 IV 均比 UJT 為低」是正確描述。實務上正因 PUT 只需很小的 IP 就能觸發，常用於長時間計時與低電流觸發電路，且其分壓比可用兩顆外接電阻自由設定，比 UJT 更有彈性。
一哈特萊( H a r t l e y ) 振盪器,其電容量可從l 00 p F 調整到400 p F ,且振盪線圈的電感量為900 μ H,則其振盪的頻率範圍為何? 1. 265 k H z 至530 k H z 2. 133 k H z 至1060 k H z 3. 265 k H z 至1060 k H z 4. 133 k H z 至530 k H z 。
答案：(1) 265 k H z 至530 k H z
解析：哈特萊振盪器的振盪頻率 f＝1/(2π√(LC))。C＝100 pF 時，LC＝900 μH×100 pF＝9×10⁻¹⁴，√(LC)＝3×10⁻⁷，f＝1/(2π×3×10⁻⁷)≒530 kHz；C＝400 pF 時，LC＝900 μH×400 pF＝3.6×10⁻¹³，√(LC)＝6×10⁻⁷，f＝1/(2π×6×10⁻⁷)≒265 kHz。電容量越大，頻率越低，所以可調範圍為 265 kHz 至 530 kHz。此結果也可用反比關係驗證：電容變為 4 倍，頻率降為一半。
某螢光幕顯示卡的解析度為800 × 600 ,能夠提供同時顯示256 色,則其顯示緩衝記憶體容量 至少需多少位元組? 1. 4 M 2. 1 M 3. 512 K 4. 256 K 。
答案：(3) 512 K
解析：顯示緩衝記憶體所需位元數＝水平像素×垂直像素×每像素位元數。解析度 800×600＝480,000 個像素；256 色需要 8 位元（2⁸＝256），即每像素 1 位元組。總容量＝480,000×1 byte＝480,000 bytes，約 468.75 KB。記憶體容量通常以 2 的冪次配置，故至少需 512 K 位元組（512 KB）才足以容納整個畫面，256 K 明顯不足。
矽電晶體之 值約為下列何者? 1. 0 . 6 V 2. 2 . 0 V 3. 0 . 2 V 4. 0 . 8 V 。
答案：(3) 0 . 2 V
有一電阻在25 °C時為10 Ω ,75 °C時為10 . 1 Ω ,則此電阻在25 °C時之溫度係數為若干? 1. 0 . 0001 2. 0 . 002 3. 0 . 0002 4. 0 . 001 。
答案：(3) 0 . 0002
解析：電阻溫度係數公式：R₂＝R₁[1＋α(T₂－T₁)]。代入 R₁＝10 Ω、R₂＝10.1 Ω、ΔT＝75－25＝50 °C，得 10.1＝10(1＋50α)，即 1.01＝1＋50α，50α＝0.01，α＝0.0002／°C。此為正溫度係數，代表溫度每升高 1 °C，阻值增加約 0.02%。計算時務必使用「電阻變化量除以原電阻與溫差乘積」，即 α＝ΔR/(R₁·ΔT)。
如下圖電路所示,若V =1 V ,則V o =? 1. + 10 V 2. - 10 V 3. - 1 V 4. + 1 V 。
答案：(2) - 10 V
如下圖電路所示,若I 在100 μ s 內由5 m A 增到l 0 m A ,且變壓器之互感為100 m H ,求此 時之輸出電壓( V ) 為多少? 1. 5 V 2. 2 V 3. 10 V 4. 20 V 。
答案：(1) 5 V
如下圖電感串並聯電路所示,若等效電感值L 為2 m H,則L 值為多少( 假設電感之間無互感) ? 1. 2 m H 2. 6 m H 3. 8 m H 4. 4 m H 。
答案：(4) 4 m H
如下圖電路所示,己知Q 、Q 的 、 、 ,則其電流增益 值約為多少? 1. 11 × 10 2. 15 × 10 3. 22 × 10 4. 5 ×
答案：(1) 11 × 10
鑽頭直徑之大小與所選用轉速間的關係,下列何者為正確? 1. 直徑越大、轉速越低 2. 直徑大小與轉速無關 3. 直徑越大、轉速越高 4. 直徑越小、轉速越低。
答案：(1) 直徑越大、轉速越低
解析：鑽削時，切削速度與轉速、直徑的關係為 v = πDN（v 為切削線速度，D 為鑽頭直徑，N 為轉速）。當直徑越大時，若維持相同轉速，鑽頭外緣的線速度會過高，導致燒刀、快速磨耗甚至斷裂；因此必須降低轉速，才能維持適當的切削速度。所以直徑越大、轉速越低，兩者確實相關，並非無關，也不是直徑越大轉速越高。
對一個純矽半導體而言,下列敘述何者為真? 1. 摻雜砷,將形成P 型半導體 2. 溫度上升,n 增加 3. 摻雜硼,將形成N 型半導體 4. n =p =n ‧ n 。
答案：(2) 溫度上升,n 增加
解析：純矽（本質半導體）的載子來自熱激發產生的電子電洞對，溫度上升時熱能增加，價電子被激發的比例提高，本質載子濃度 ni 隨之增加，故「溫度上升，n 增加」正確。本質半導體中電子濃度等於電洞濃度，n＝p＝ni，且遵守質量作用定律 n·p＝ni²。另兩項的摻雜效果說反了：砷為五價施體，摻入形成 N 型；硼為三價受體，摻入形成 P 型。
如圖所示電路,其輸出函數與下列何者相同? 1. N O R 2. N A N D 3. X N O R 4. X O R 。
答案：(4) X O R
A 類可變電阻旋轉角度與阻值變化的關係為下列何者? 1. 平方關係 2. 對數關係 3. 直線關係 4. 反對數關係。
答案：(2) 對數關係
如下圖電路所示,電流i 應為多少? 1. 1 . 33 ∠90 ° A 2. 2 . 66 ∠90 ° A 3. 2 . 66 ∠- 90 ° A 4. 1 . 33 ∠- 90 ° A 。
答案：(4) 1 . 33 ∠- 90 ° A
如圖所示電路,其i =? 1. 0 A 2. - 2 A 3. - 1 A 4. 1 A 。
答案：(1) 0 A
若採用相對定址(r e l a t i v e a d d r e s s i n g ),則實際位址係以下列何者為參考值? 1. 程式計數器(p r o g r a m c o u n t e r ) 2. 堆疊指標(s t a c k p o i n t e r ) 3. 資料指標(d a t a p o i n t e r ) 4. 累積器 (a c c u m u l a t o r )。
答案：(1) 程式計數器(p r o g r a m c o u n t e r )
解析：相對定址（relative addressing）是以程式計數器 PC 的當前值為基準，加上指令中帶有的偏移量（displacement），得到實際有效位址，常用於條件跳躍與短距離分支指令，優點是指令長度短且程式可整體搬移而不必修改位址。堆疊指標指向堆疊頂端，資料指標用於間接定址，累積器則是運算資料的暫存處，三者都不是相對定址的參考基準。
以下符號中,何者表示自耦變壓器? 1. 2. 3. 4. 。
對於模數4 的標準環形計數器而言,在計數過程中,不應出現下列哪一個數值? 1. 0010 2. 0100 3. 0001 4. 0000 。
答案：(4) 0000
解析：模數 4 的標準環形計數器由 4 個正反器組成，輸出端接成環狀回饋，計數時只有一個 1 在環中循環移位，狀態依序為 1000→0100→0010→0001→1000。因為序列中始終保留一個 1，所以全為 0 的 0000 不會出現在正常計數過程；若出現 0000，表示初始化失效或解碼異常。0010、0100、0001 都是合法狀態。
R L C 串聯電路中R =l 0 Ω 、X =l 0 Ω 、X =20 Ω ,跨接於100 V 之交流電源,若電源頻率 連續提高,則電路電流之變化為何? 1. 連續變小 2. 先變小,後變大 3. 先變大,後變小 4. 連續變大。
答案：(3) 先變大,後變小
解析：串聯 RLC 的阻抗 Z=√(R²+(X_L−X_C)²)。開始時 X_C=20Ω 大於 X_L=10Ω，電路呈電容性，Z=√(10²+10²)≈14.1Ω，電流約 7.07A。頻率升高時 X_L=2πfL 變大、X_C=1/(2πfC) 變小，兩者差值縮小，到諧振 X_L=X_C 時 Z=R=10Ω 最小，電流最大為 10A；頻率再升高則 X_L>X_C，Z 又增大，電流變小，故電流先變大後變小。
依據勞工安全衛生法中之規定,高溫場所工作之勞工,其每日工作時間最多不得超過幾小時? 1. 7 小時 2. 6 小時 3. 4 小時 4. 5 小時。
答案：(2) 6 小時
解析：依勞工安全衛生法（現行職業安全衛生法）授權訂定的勞工安全衛生設施規則，雇主使勞工於高溫場所工作時，每日工作時間不得超過 6 小時，以避免熱中暑、熱衰竭等職業病。此為高溫作業危害預防的工時限制規定，並非 4、5、7 小時，事業單位應同時提供休息、飲水與降溫措施。
下列何者不是複雜指令集電腦( c o m p l e x i n s t r u c t i o n s e t c o m p u t e r ,C I S C ) 的特色? 1. 單一指令須多個週期時間來執行 2. 指令直接由硬體執行 3. 內部包含有微程式( m i c r o p r o g r a m ) 4. 指令的格式是變動的。
答案：(2) 指令直接由硬體執行
解析：CISC 的特色是指令功能複雜、指令格式可變、單一指令往往需要多個時脈週期才能完成，且內部以微程式（microprogram）產生控制訊號來執行指令。選項 2「指令直接由硬體執行」屬於 RISC 的硬體佈線控制（hardwired control）特性，指令精簡、多數指令單週期完成，因此不是 CISC 的特色。
如圖所示電路,其輸出函數Y 與下列何者相同? 1. N O R 2. O R 3. A N D 4. N A N D 。
答案：(4) N A N D
七位元的漣波計數器,可計數的最多模數( m o d u l u s ) 為多少個? 1. 64 2. 128 3. 256 4. 8 。
答案：(2) 128
解析：n 位元漣波計數器可產生的狀態數（模數）為 2^n。七位元計數器 n=7，故最大模數為 2^7=128，可從 0 計數到 127 共 128 個狀態。64 為 2^6（六位元），256 為 2^8（八位元），8 為 2^3，位元數與模數的對應需以 2 的次方計算。
下列何者為加強輔導事業單位的自動檢查及安全衛生檢查之執行單位? 1. 衛生署 2. 勞委會 3. 營建署 4. 資策會。
答案：(2) 勞委會
解析：行政院勞工委員會（簡稱勞委會，現改制為勞動部）是勞工安全衛生的中央主管機關，負責監督、輔導事業單位落實自動檢查與安全衛生檢查，並辦理檢查員訓練與勞動檢查業務。衛生署主管衛生醫療，營建署主管營建與建築管理，資策會為資訊科技推廣機構，均非勞安檢查的執行單位。
如下圖電路所示,其輸入電阻和輸出電阻各約為何? 1. R =10 k Ω、R =0 Ω 2. R =0 k Ω、R = 0 Ω 3. R =10 k Ω 、R =10 k Ω 4. R =0 Ω 、R =10 k Ω 。
答案：(1) R =10 k Ω、R =0 Ω
在電表中分流電阻愈小的檔,流過表頭的滿刻度的電流應如何? 1. 一樣 2. 愈小 3. 不一定 4. 愈大。
答案：(1) 一樣
下圖為何種元件符號? 1. 稽納二極體 2. 紅外線二極體 3. 光二極體 4. 發光二極體。
答案：(3) 光二極體
選用儲存式數位示波器精確量測一100 M H z 正弦波訊號時,下列何者不是主要的選擇考量因 素? 1. 輸入通道數量 2. 儲存記憶體容量 3. 取樣頻率 4. A D C 位元數。
答案：(1) 輸入通道數量
解析：以儲存式數位示波器精確量測 100MHz 正弦波，關鍵在取樣頻率是否足夠（依取樣定理至少為訊號頻率的 2 倍，實務上常取 5～10 倍以上，避免波形失真與混疊）、ADC 位元數決定垂直解析度與振幅準確度、記憶體容量決定高取樣率下可記錄的時間長度。輸入通道數量只影響可同時觀察的訊號數，與單一波形量測準確度無直接關係。
有關電荷、電流與庫倫的觀念,下列何者敘述正確? 1. 庫倫為電荷的單位,一庫倫帶有6 . 24 x 10 個電子的電荷 2. 依據庫倫定律,兩電荷間相互吸斥力大小與兩帶電體的電量乘積成反比 3. 依據庫倫定律,兩電荷間相互吸斥力大小與兩帶電體的距離成反比 4. 80 庫倫的電荷通過一點需16 秒,則流經此點的電流為5 安培。
答案：(4) 80 庫倫的電荷通過一點需16 秒,則流經此點的電流為5 安培
解析：電流定義為電荷通過的速率，I=Q/t，代入 Q=80 庫倫、t=16 秒，得 I=80/16=5 安培，故選項 4 正確。庫倫定律 F=kQ1Q2/d²，兩電荷間的作用力與電量乘積成正比、與距離的平方成反比，因此選項 2 說反比、選項 3 說與距離成反比都不正確；1 庫倫約相當於 6.25×10^18 個電子。
使電晶體負回授放大器的輸入電阻及輸出電阻皆減少的回授電路,為下列何者? 1. 電壓串聯 2. 電流串聯 3. 電流並聯 4. 電壓並聯。
答案：(4) 電壓並聯
解析：負回授有四種組態，對輸入、輸出電阻影響各異：電壓串聯使輸入電阻增大、輸出電阻減小；電流串聯使兩者皆增大；電流並聯使輸入電阻減小、輸出電阻增大；電壓並聯（並聯混合搭配電壓取樣）則使輸入電阻與輸出電阻皆減小。題目要求兩者皆減少，故為電壓並聯回授。觀念上，並聯混合會降低輸入電阻，電壓取樣（輸出短路法）會降低輸出電阻，二者結合即得所求，對應選項4。
如下圖電路所示,電阻R 的色碼為棕黑橙銀,則下列何者敘述正確? 1. I 的最小值為0 . 75 m A 2. I 的最大值為1 . 0 m A 3. I 的最大值與最小值相差0 . 25 m A 4. R 的電阻值最大值為10 . 1 K Ω 。
答案：(2) I 的最大值為1 . 0 m A
如圖所示電路,R 為若干時可得最大功率? 1. 4 Ω 2. 10 Ω 3. 6 Ω 4. 8 Ω 。
答案：(3) 6 Ω
光敏電阻(C d S )之工作方式是屬於下列何種光電效應? 1. 光電子放射型 2. 光複合型 3. 光電動勢型 4. 光導電型。
答案：(4) 光導電型
解析：光敏電阻（CdS，硫化鎘）屬於光導電型元件。其原理是半導體受光照射後，價電帶電子吸收光子能量躍遷至導電帶，產生電子-電洞對，使載子濃度增加、電導率上升、電阻值下降，此即光導電效應。光電子放射型如光電管靠光打出電子；光電動勢型如太陽能電池受光產生電動勢；光複合型並非標準光電效應分類。故本題答案為光導電型，選項4正確。
電晶體放大器的h 參數表示為:V = h I + h V ,I = h I + h V ,而其R = - V / I ,此電路之電流 增益A = - I / I 為何? 1. h / ( 1 - R h ) 2. - h / ( 1 + R h ) 3. - h / ( 1 - R h ) 4. h / ( 1 + R h ) 。
答案：(2) - h / ( 1 + R h )
解析：由 h 參數方程式：I2 = h21 I1 + h22 V2，且負載電阻 R_L = -V2/I2，故 V2 = -R_L I2。代入得 I2 = h21 I1 + h22(-R_L I2) = h21 I1 - h22 R_L I2。移項：I2 + h22 R_L I2 = h21 I1，即 I2(1 + h22 R_L) = h21 I1，所以 I2/I1 = h21/(1 + h22 R_L)。電流增益 A_i = -I2/I1 = -h21/(1 + h22 R_L)，對應題目符號即 -h/(1 + R h)，故選項2正確。
指針式三用電表不具有下列何種測試功能? 1. D C A 2. A C A 3. A C V 4. D C V 。
答案：(2) A C A
解析：指針式三用電表（VOM，電壓-電流-電阻表）基本功能為量測 DCV（直流電壓）、ACV（交流電壓）、DCA（直流電流）與電阻（Ω）。其電流量測以直流電流為主，一般不包含交流電流（ACA）量測功能，因交流電流量測需整流或專用電路，基礎指針表多未具備。故本題中不具備的功能為 ACA，選項2正確；DCV、ACV、DCA 皆為常見基本功能。
量測電磁爐或手機周圍的電磁波強度應使用何種儀器? 1. 阻抗分析儀 2. 頻譜分析儀 3. 高斯計 4. 示波器。
答案：(3) 高斯計
不須外加電源即可工作的元件,係下列那一個? 1. 隧道二極體 2. 光伏打電池 3. 光敏電阻 4. 光電晶體。
答案：(2) 光伏打電池
解析：光伏打電池（太陽能電池）利用半導體 p-n 接面的光電效應，受光照即直接產生電動勢與電流，不需外加電源即可工作，屬自發電元件。隧道二極體需外加偏壓才能呈現負電阻特性；光敏電阻僅改變本身電阻，須外接電路與電源才能輸出信號；光電晶體需外加電壓偏壓使其工作於放大或飽和區。故不須外加電源即可工作者為光伏打電池，選項2正確。
一個已簡化過狀態( s t a t e ) 的狀態圖( s t a t e d i a g r a m ) 共含有20 個狀態,最少要使用幾個正反器 來設計此電路? 1. 4 個 2. 3 個 3. 6 個 4. 5 個。
答案：(4) 5 個
解析：狀態機設計中，若有 N 個狀態，所需正反器（flip-flop）數目 n 須滿足 2^n ≥ N。本題 N = 20，計算：2^4 = 16 < 20 不足；2^5 = 32 ≥ 20 足夠。因此最少需要 5 個正反器方能編碼 20 個狀態。選項中 4 個、3 個、6 個對應 16、8、64 種狀態數，僅 5 個符合最小需求，故選項4（5個）正確。
如下圖電路所示,為一箝位電路( c l a m p i n g c i r c u i t ) ,輸入V 為± 25 V 之方波,則輸出V 之 波形為何? 1. 2. 3. 4. 。
電晶體開關電路中的各種時間延遲,以何者的延遲最大? 1. 延遲時間 2. 下降時間 3. 上昇時間 4. 儲存時間。
答案：(4) 儲存時間
解析：電晶體作為開關時，有四個時間參數：延遲時間（td）、上升時間（tr）、儲存時間（ts）、下降時間（tf）。其中儲存時間指由飽和轉為截止時，因基極累積的多餘少數載子須先消散而產生的延遲，通常遠大於其他時間，是開關延遲中最長者。因此題目「延遲最大」者為儲存時間，選項4正確；延遲、上升、下降時間相對較短。
一個交流數字電壓表的誤差為± ( 0 . 5 %r d g + 2 d i g i t s ),當讀值為125 V 時,其誤差百分率為何? 1. ± 1 . 6 % 2. ± 2 . 6 % 3. ± 0 . 5 % 4. ± 2 . 1 %。
答案：(4) ± 2 . 1 %
解析：誤差規格為 ±(0.5% rdg + 2 digits)。讀值 125 V，最小刻度為 1 V，因此 2 digits 代表 2 V。讀值誤差為 0.5% × 125 = 0.625 V，總誤差 = 0.625 + 2 = 2.625 V。換算成誤差百分率：2.625 ÷ 125 × 100% ≈ 2.1%。因此答案為 ±2.1%。若只取 0.5%，會忽略末兩位數的固定誤差；在小讀值時，這項固定誤差所占比例更大，正是誤差百分率被放大的原因。
一般常見的數位式三用電表,大多採用哪一型的類比至數位轉換器( A D C ) ? 1. 並聯比較型 2. 雙斜率型 3. 計數型 4. 逐步漸近型。
答案：(2) 雙斜率型
解析：數位式三用電表最常採用雙斜率型（dual-slope）ADC。它的原理是先對輸入電壓積分固定時間，再以參考電壓反向積分回零；回零所需時間與輸入電壓成正比。由於兩次積分都使用同一個積分器與時脈，時脈誤差與元件漂移會互相抵銷，因此精度高、抗雜訊能力強、成本低。缺點是轉換速度較慢，但電表每秒只需更新數次，已足夠使用。並聯比較型雖然速度快，但元件多、耗電大；逐步漸近型多用於中高速資料擷取。
下列那一項動作不是啟動電腦時,B I O S 所執行的工作? 1. 載入作業系統 2. 檢查磁碟系統 3. 執行應用軟體 4. 建立人機介面。
答案：(3) 執行應用軟體
解析：BIOS 在開機時依序進行：POST 自我測試（檢查 CPU、記憶體）、偵測並檢查磁碟與周邊裝置、建立人機介面（提供 CMOS 設定畫面）、最後依開機順序讀取開機磁區，把控制權交給作業系統載入程式。應用軟體必須等作業系統完整載入、驅動程式就緒後，由使用者或系統啟動才會執行，屬於作業系統之後的階段，並非 BIOS 的工作，故選 3。
在一負載為6 Ω 的放大器,測得輸出為40 d B m ,則此放大器的功率輸出為何? 1. 1 W 2. 10 W 3. 1000 W 4. 100 W 。
答案：(2) 10 W
解析：dBm 是以 1 mW 為基準的絕對功率位準，定義為 P(dBm) = 10 log(P/1mW)。反推功率：P = 10^(40/10) mW = 10^4 mW = 10 W。dBm 已直接表示功率大小，與負載 6 Ω 無關；6 Ω 只用於換算輸出電壓。對照參考：30 dBm 為 1 W、40 dBm 為 10 W、50 dBm 為 100 W。因此答案為 10 W。
如下圖所示為跨在5 μ F 電容兩端的電壓波形,求6 - 8 m s 的電流值為多少? 1. - 60 m A 2. 20 m A 3. 60 m A 4. - 20 m A 。
答案：(1) - 60 m A
下列何種滅火器不適用於撲滅C 類火災? 1. 泡沫滅火器 2. 乾粉滅火器 3. 二氧化碳滅火器 4. 鹵化烷滅火器(俗稱海龍,H a l o n )。
答案：(1) 泡沫滅火器
解析：C類火災是指帶電的電氣設備火災。泡沫滅火器內含水分，導電性高，噴向帶電設備時可能造成觸電，且泡沫會汙損設備，故不適用。乾粉滅火器、二氧化碳滅火器與鹵化烷（海龍）滅火器皆不導電，可用於電氣火災；其中二氧化碳與海龍滅火後不留殘渣，對精密電子設備更為適合。因此不適用者為泡沫滅火器。
三用電表量測L E D 發亮時,量測結果下列何者正確? 1. 指針式電錶黑棒正電壓 2. 指針式電錶紅棒為L E D 陽極 3. 數位式電錶紅棒為L E D 陰極 4. 數位式電錶黑棒為正電壓。
答案：(1) 指針式電錶黑棒正電壓
解析：指針式電表在歐姆檔時，內部電池的正極接在黑棒、負極接在紅棒，所以黑棒輸出正電壓、紅棒為負。量測 LED 時，須讓電流從陽極流向陰極，因此黑棒接 LED 陽極、紅棒接陰極，LED 才會發亮，故選 1。選項 2 錯誤，指針式紅棒為負端；選項 3 錯誤，數位式電表歐姆檔通常紅棒為正，紅棒應接陽極；選項 4 錯誤，數位式黑棒為負端（COM）。
提高雙載體接面電晶體( B J T ) β 值的方法,下列敘述何者為真? 1. 提高射極的摻雜濃度 2. 提 高基極的摻雜濃度 3. 加大集極寬度 4. 加大基極寬度。
答案：(1) 提高射極的摻雜濃度
解析：BJT 的 β = IC/IB，主要受射極注入效率與基極復合影響。提高射極摻雜濃度，可使射極注入基極的載子遠多於基極反向注入射極的載子，射極效率提高，β 隨之增大，故選 1。反之，提高基極摻雜濃度會增加基極區復合，並降低射極效率，β 下降；加大基極寬度會使載子在基極復合機率增加，β 明顯下降；加大集極寬度主要影響崩潰電壓與輸出特性，對 β 影響很小。
積分電路與低通電路主要的差別在於下列何者? 1. 電路的R C 時間常數與信號之週期的關係不同 2. 後者R C 時間常數較長 3. 前者R C 時間常數較長 4. 電路結構不同。
答案：(1) 電路的R C 時間常數與信號之週期的關係不同
解析：積分電路與低通濾波器的電路結構相同，都是由 R、C 組成，關鍵差別在於 RC 時間常數與輸入信號週期 T 的相對關係。當 RC 遠大於 T 時，電容在一個週期內只充放極少電量，輸出近似輸入的積分，此即積分電路；當 RC 與 T 相近、截止頻率落在信號頻帶邊緣時，則作為低通濾波器，用以衰減高頻成分。因此兩者的分野是時間常數與週期的比例，並非單純誰的 RC 較長或結構不同。
如下圖所示電路,若V ( t ) = 10 s i n 20 t ,i ( t ) = 2 s i n 20 t ,則電容C 的值為多少? 1. 100 m F 2. 25 m F 3. 20 m F 4. 50 m F 。
答案：(2) 25 m F
在I C 的製程中M O S F E T 和B J T 電晶體比較,下列那ㄧ個條件非M O S F E T 所具有的優點? 1. 體積小 2. 電壓放大倍數高 3. 消耗功率低 4. 輸入阻抗高。
答案：(2) 電壓放大倍數高
解析：MOSFET 的優點包括：結構簡單、體積小，適合高密度積體化；閘極以氧化層隔離，輸入阻抗極高、驅動電流幾乎為零；多數工作於開關狀態，消耗功率低，且製程與 CMOS 邏輯相容。相對地，MOSFET 的轉移電導 gm 較小，電壓放大倍數通常低於 BJT，因此「電壓放大倍數高」並不是它的優點，故選 2。
半加器用基本A N D 、O R 、N O T 閘來組成,最少需要幾個閘? 1. 6 2. 5 3. 7 4. 8 。
答案：(1) 6
解析：半加器的輸出為 S=A'B+AB'、C=AB。以 AND、OR、NOT 三種基本閘實作時，先用兩個 NOT 產生 A' 與 B'，再用兩個 AND 分別得到 A'B 與 AB'，用一個 OR 合成和 S，最後用一個 AND 產生進位 C，合計 2+2+1+1=6 個閘。若改用 NAND 閘實作，只要 5 個，但題目限定使用基本 AND、OR、NOT 閘，因此 5 不適用；7、8 則超出最少需求量。
所有弦波振盪都必須遵守的巴克豪生準則為何? 1. A β =0 . 707 ∠45 ° 2. A β =1 . 414 ∠45 ° 3. A β =1 ∠0 ° 4. A β =0 ∠0 ° 。
答案：(3) A β =1 ∠0 °
解析：巴克豪生準則（Barkhausen criterion）包含兩個條件：回路增益的振幅乘積 |Aβ|=1，以及回路總相移為 0°（或 360° 的整數倍），寫成複數形式即 Aβ=1∠0°。振幅若小於 1，振盪會衰減而停止；振幅大於 1，則波形失真。0.707∠45° 是半功率點的概念，1.414 為 √2 倍，0∠0° 表示無回路增益，三者皆無法維持穩定振盪。
7447 輸出所推動的L E D 七段顯示器,若都只顯示“ 8 ",則其可能的原因為何? 1. 顯示器測試腳L T 接地 2. 遮沒輸入腳B I 腳接地 3. 漣波遮沒輸出腳R B O 接地 4. 漣波遮沒輸入腳R B I 接地。
答案：(1) 顯示器測試腳L T 接地
解析：7447 為 BCD 對七段解碼驅動器，LT（Lamp Test）是低電位動作的燈測試輸入，接地後會強制 a～g 七段全部點亮，因此不論輸入為何都顯示「8」。BI（Blanking Input）接地會使全部段熄滅而遮沒；RBI 接地只在輸入為 0 且進行漣波遮沒時才熄滅；RBO 屬輸出端，接地不影響顯示內容。
放大電路的頻率特性中之半功率點,是指電壓增益衰減為該放大電路的中頻段增益之幾倍? 1. 0 . 5 倍 2. 1 倍 3. 0 . 707 倍 4. 0 . 636 倍。
答案：(3) 0 . 707 倍
解析：半功率點的定義是輸出功率降為中頻段的一半。因功率與電壓平方成正比（P=V²/R），故電壓增益比為 1/√2≈0.707，即衰減 3 dB 之處。選項 0.5 是功率比而非電壓比；0.636 為平均值與峰值之比的關係，與頻率響應無關；1 倍則代表毫無衰減，並非半功率點。
有一只振盪晶體的振盪頻率標示為10 . 00 M H z ,則其有效數字為何? 1. 五位 2. 三位 3. 二位 4. 四位。
答案：(4) 四位
解析：有效數字的判讀規則：非零數字皆有效，小數點後末尾的 0 亦計為有效。10.00 MHz 中的 1、0、0、0 四個數字都屬有效數字，故為四位，代表量測精確到小數第二位（0.01 MHz）。若寫成 10 MHz 則僅兩位有效，精度較低；因此本題不是二位或三位，也不是五位。
十進位55 與88 相加後,再取其和之2 的補數,其結果為下列何者(以十六進位表示)? 1. 31 2. 71 3. D D 4. 8 F 。
答案：(2) 71
解析：先求和：55+88=143。取 8 位元 2 的補數，計算式為 2⁸−143=256−143=113。再換算十六進位：113÷16=7 餘 1，故為 0x71。31、DD、8F 分別對應十進位 49、221、143，其中 8F 只是原和值而非補數，均不符。
下列對電晶體的敘述何者為正確? 1. 集射極電壓愈大,則基極有效寬度愈大 2. 集射極電壓愈大,則基射極順向偏壓愈小 3. 集射極電壓愈大,則集基極接面的空乏區寬度愈大 4. 集射極電壓愈大,則集基極逆向偏壓愈小。
答案：(3) 集射極電壓愈大,則集基極接面的空乏區寬度愈大
解析：集射極電壓 VCE 增大時，集基極接面的逆向偏壓隨之增大，空乏區向兩側擴展而變寬，基極有效寬度因而變窄，此即爾利效應（Early effect）。基極有效寬度變窄而非變大，故選項 1 錯誤；VCE 變化主要影響集基極接面偏壓，並非使基射極順向偏壓變小，選項 2、4 的敘述方向也不正確。
下列敘述何者為正確? 1. 有效數字位數愈少,則精確度愈高 2. 對指針式電表而言,準確度1 %即表示滿刻度時之誤差百分率1 % 3. 數字35000 之有效位數為5 位 4. 精確度愈高則準確度愈高。
答案：(2) 對指針式電表而言,準確度1 %即表示滿刻度時之誤差百分率1 %
解析：指針式（類比）電表的準確度通常以滿刻度誤差表示，標示 1% 即滿刻度時之誤差為 ±1%，故選項 2 正確。有效數字位數愈少，代表解析度與精確度愈低，選項 1 相反；35000 未標小數點，依慣例有效位數為 2 位（3、5），不是 5 位；精確度（重複性）與準確度（接近真值程度）是不同概念，精確度高不代表準確度高。
下列何者最常被當作i n p u t p o r t 來使用? 1. 三態緩衝器 2. D 型正反器 3. 多工器 4. 解多工器。
答案：(1) 三態緩衝器
解析：三態緩衝器的輸出可為高電位、低電位或高阻抗；致能時，它把外部資料驅動到內部匯流排，禁能時呈高阻抗，避免與匯流排上其他裝置衝突，因此最常作為輸入埠的介面。D型正反器主要用於暫存資料，多工器用於多選一，解多工器則把一路資料分配到多個輸出，皆非輸入埠的主要元件。
儀表在量測信號前其輸入衰減器應設定在下列何者位置最適宜? 1. 衰減量最小位置 2. 衰減量中等位置 3. 衰減量最大位置 4. 任意位置。
答案：(3) 衰減量最大位置
解析：量測未知信號前，輸入衰減器應先置於衰減量最大的位置，使儀表輸入端承受的電壓降到安全範圍，避免過載或損壞；確認信號大小後，再逐步減小衰減量，以提高讀值解析度。若一開始採最小衰減，遇到大信號可能使輸入級飽和或受損；置於中等或任意位置也無法確保安全。
電晶體之β 值會隨溫度的上升而有下列何種變化? 1. 視工作點而定 2. 下降 3. 不變 4. 上升。
答案：(4) 上升
解析：雙極性接面電晶體的電流增益β隨溫度上升通常呈上升趨勢。溫度升高會使少數載子壽命與擴散長度增加、基極區復合減少，射極注入效率改變，因此集極電流對基極電流的比值增大。實務上β具正溫度係數，會造成工作點漂移，設計偏壓電路時須加入溫度補償，並非不變或下降。
如下圖電路所示,輸出電壓(V )為何? 1. 6 V 2. 12 V 3. 4 V 4. 8 V 。
答案：(3) 4 V
下列何者為二次電池? 1. 水銀電池 2. 鹼性乾電池 3. 鎳鎘電池 4. 鋰電池。
答案：(3) 鎳鎘電池
解析：二次電池是可反覆充電、放電的蓄電池，鎳鎘電池（Ni-Cd）即屬此類。水銀電池與鹼性乾電池通常為一次電池，放電後不可充電；「鋰電池」一詞涵蓋一次鋰電池與可充電的鋰離子電池，並非所有鋰電池都是二次電池，故最明確的答案是鎳鎘電池。
有一l 0 μ F 的電容器接上50 V 的電源,若以2 A 的穩定電流充電時,須經多少時間可充電完 畢? 1. 0 . 25 m s 2. 2 . 5 m s 3. 0 . 25 μ s 4. 2 . 5 μ s 。
答案：(1) 0 . 25 m s
解析：電容器充電量 Q=C×V=10 μF×50 V=500 μC。以固定電流 I=2 A 充電，所需時間 t=Q/I=500×10^-6 C÷2 A=250×10^-6 s=0.25 ms。因此答案為 0.25 ms；2.5 ms 對應的電量為 5 mC，0.25 μs 與 2.5 μs 則是把毫秒與微秒單位混淆。
下列何者不是C P U 的輸入信號 1. 資料匯流排( d a t a b u s ) 2. 直接記憶存取要求( D M A r e q u e s t ) 3. 中斷要求( i n t e r r u p t r e q u e s t ) 4. 位址匯流排( a d d r e s s b u s ) 。
答案：(4) 位址匯流排( a d d r e s s b u s )
解析：CPU的位址匯流排是由CPU輸出位址給記憶體或I/O，屬於輸出信號，不是輸入。資料匯流排在讀取時接收資料，可視為CPU的輸入；DMA要求與中斷要求也都是周邊送進CPU的輸入信號。因此「不是CPU輸入信號」者為位址匯流排。
27256 - 15 的E P R O M 表示其存取時間為何? 1. 150 m s 2. 1 . 5 m s 3. 15 n s 4. 150 n s 。
答案：(4) 150 n s
解析：EPROM 編號 27256 中，256 表示容量為 32K×8 位元；後綴 -15 代表最大存取時間為 150ns（奈秒），不是 ms。選項1、2的 150ms、1.5ms 換算後遠大於 150ns；15ns 則與編號 -15 的意義不符。故選4。
對於T T L I C 而言,下列哪一個輸出級與條件,可得到最大的驅動能力? 1. 圖騰式高電位輸出 2. 三態式於高阻抗模式 3. 開路集極式高電位輸出 4. 圖騰式低電位輸出。
答案：(4) 圖騰式低電位輸出
解析：TTL圖騰柱輸出低電位時，下方電晶體導通，可吸收（sink）較大的灌入電流；高電位時上方電晶體提供源電流的能力較小。因此低電位輸出的驅動能力最大。三態高阻抗模式不驅動負載，開路集極在高電位時需外接電阻，本身不提供主動高電位驅動。
對一個N P N 型雙載體接面電晶體( B J T ) 工作於絕對溫度300 ° K ,當集極電流 ,其互 導 為何? 1. 25 m S 2. 100 m S 3. 5 m S 4. 40 m S 。
答案：(4) 40 m S
解析：BJT的互導 gm=IC/VT，其中 VT=kT/q。絕對溫度300 K時，VT≈0.02585 V≈26 mV。以集極電流 IC=1 mA 代入，gm≈1 mA/26 mV≈38.5 mS，最接近40 mS。25 mS、100 mS、5 mS分別對應不同的IC值，與1 mA的條件不符。
T T L 和C M O S 相比較,T T L 的特徵為何? 1. 速度慢、功率消耗小 2. 速度快、功率消耗大 3. 速度慢、功率消耗大 4. 速度快、功率消耗小。
答案：(2) 速度快、功率消耗大
解析：TTL 以雙極性電晶體（BJT）為主要元件，導通時必須持續供應基極電流，因此每個邏輯閘的靜態功率消耗較大（約 10 mW 等級）；但因為 BJT 的驅動能力強、切換延遲短，所以速度較快。CMOS 由互補的 NMOS 與 PMOS 組成，靜態時幾乎不耗電，功率消耗小；早期 4000 系列的動作速度則比 TTL 慢。本題問的是 TTL 的特徵，因此答案是「速度快、功率消耗大」。
線性可變差動變壓器(L V D T )工作時,其是利用下列何者之改變量來產生輸出電壓之大小變 化? 1. 位移 2. 圈數比 3. 電阻 4. 差頻。
答案：(1) 位移
解析：LVDT（線性可變差動變壓器）由一次側線圈、兩組二次側線圈及可動鐵芯構成。一次側加入交流激磁電壓後，鐵芯位置會改變一、二次側之間的磁耦合量，使兩組二次側感應電壓產生差額；此差動輸出電壓的振幅與鐵芯位移量成正比，相位則反映位移方向。因此 LVDT 是透過「位移」的改變量來產生輸出電壓變化，並非改變圈數比或電阻。
兩個10 d B 衰減器串接在一起工作時,總衰減量為何? 1. 100 d B 2. 40 d B 3. 10 d B 4. 20 d B 。
答案：(4) 20 d B
解析：衰減器以分貝（dB）表示時，串接的總衰減量等於各級衰減量相加，因此 10 dB + 10 dB = 20 dB。可用功率比驗證：10 dB 代表功率比為 10 倍，兩級串接後為 10 × 10 = 100 倍，換算回分貝為 10 log 100 = 20 dB。若誤將分貝當成倍數直接相乘，就會得到 100 dB 的錯誤結果。
右圖電路若二極體為理想時,則V 波形為何? 1. 2. 3. 4. 。
如下圖所示, 邏輯電路輸出F 為下列何者? 1. A +B 2. A ‧ B 3. A ♁B 4. 。
標準T T L 的輸出低位電流 為多少? 1. 400 μ A 2. 1 . 6 m A 3. 16 m A 4. 40 μ A 。
答案：(3) 16 m A
解析：標準 TTL（如 7400 系列）輸出低電位時，輸出級下電晶體導通，可吸收（sink）的電流 IOL 額定值為 16 mA；輸出高電位時則由上電晶體供應（source）電流，IOH 僅約 400 μA。因此 400 μA 是高態輸出的電流規格，不是低位電流。TTL 的「吸電流能力強、供電流能力弱」正是其輸出級採圖騰柱結構、且不對稱的特性。
指針式三用電表,中心刻度為20 Ω ,置於R × l K 檔,量測一電解電容器,指針由最大偏轉刻 度回到零刻度時,共須5 秒,其電容量約為多少? 1. 40 μ F 2. 30 μ F 3. 60 μ F 4. 50 μ F 。
答案：(4) 50 μ F
解析：歐姆檔的內部電阻等於中心刻度值乘上檔位倍率，所以 R = 20 Ω × 1 k = 20 kΩ。量測電容器時，充電電流由最大（指針最大偏轉）逐漸衰減到零（指針回到零刻度），整個過程約需 5 個時間常數，即 5τ = 5 s，得 τ = 1 s。由 τ = R × C 可得 C = τ / R = 1 / (20 × 10³) = 50 × 10⁻⁶ F = 50 μF，故選 50 μF。
有兩個二進制數0110 與1101 做運算所得到的結果為1011 ,試問這兩者所做的運算為下列 何者? 1. 互斥或運算 2. 互斥反或運算 3. 減法 4. 加法。
答案：(1) 互斥或運算
解析：將兩數逐位元做互斥或（XOR）運算：0⊕1=1、1⊕1=0、1⊕0=1、0⊕1=1，得到 1011，與題目結果相符。若做加法，0110(6) + 1101(13) = 10011(19)，已超出四位元且不等於 1011；若做減法，1101(13) − 0110(6) = 0111(7)，也不相符。故兩者所做的是互斥或運算。
下列何者為將溫度之高低轉換成電流大小的感測元件? 1. L M 35 2. A D 590 3. C d S 4. P t 100 。
答案：(2) A D 590
解析：AD590 是電流輸出型的 IC 溫度感測器，其輸出電流與絕對溫度成正比（約 1 μA/K），屬「溫度轉電流」元件。LM35 輸出的是電壓（約 10 mV/°C），屬溫度轉電壓；Pt100 是鉑電阻，溫度改變時電阻值隨之變化，屬溫度轉電阻；CdS 則是光敏電阻，感測的是光量而非溫度。因此符合題意者為 AD590。
如下圖所示之電路發生故障,用三用電表測量得知V 為+ 12 V ,V 為0 時,其可能故障原 因為何? 1. R 開路 2. R 短路 3. R 開路 4. R 短路。
答案：(1) R 開路