民國102年 第2梯次 儀表電子乙級 學科
第2題
在I C 的製程中M O S F E T 和B J T 電晶體比較,下列那一個條件非M O S F E T 所具有的優點?
題目
在I C 的製程中M O S F E T 和B J T 電晶體比較,下列那一個條件非M O S F E T 所具有的優點?
- (1) 電壓放大倍數高
- (2) 體積小
- (3) 輸入阻抗高
- (4) 消耗功率低
官方答案
(1) 電壓放大倍數高
解析
MOSFET 以絕緣閘極控制通道，輸入阻抗極高，幾乎不取閘極電流；結構簡單、佔晶片面積小，靜態消耗功率低，適合高密度積體電路。其電壓增益受製程與偏壓影響，一般較 BJT 為低；BJT 以基極電流控制集極電流，跨導大、電壓放大倍數高，這才是 BJT 的強項。因此「電壓放大倍數高」並非 MOSFET 的優點，故選 1。
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