民國114年 第3梯次 儀表電子乙級 學科
第45題
關於空乏型N 通道MOSFET 的敘述,下列何者敘述錯誤?
題目
關於空乏型N 通道MOSFET 的敘述,下列何者敘述錯誤?
- (1) 可當空乏型使用,亦可當增強型使用
- (2) V G S=0V 時,通道會導通
- (3) V TN 為負電壓
- (4) 主要載體為電洞
官方答案
(4) 主要載體為電洞
解析
N 通道 MOSFET 的通道由電子形成，主要載體是電子，所以選項4 說「主要載體為電洞」是錯誤的敘述，以電洞為主要載體是 P 通道元件的特性。空乏型（常開型）元件在 VGS＝0 V 時通道已存在而導通，閘極加負壓使通道空乏、加正壓則使通道增強，因此同一元件可當空乏型也可當增強型使用，其臨界電壓 VTH 為負值，選項1、2、3 皆正確。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。