民國100年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第40題
與矽二極體( S i l i c o n D i o d e ) 相較,對肖特基二極體( S c h o t t k y D i o d e ) 之敘述以下何者…
題目
與矽二極體( S i l i c o n D i o d e ) 相較,對肖特基二極體( S c h o t t k y D i o d e ) 之敘述以下何者有誤?
- (1) 較低之導通壓降( O n - s t a t e V o l t a g e )
- (2) 較低反向崩潰電壓( R e v e r s e B r e a k d o w n V o l t a g e )
- (3) 切換( S w i t c h i n g ) 速度較快
- (4) 反向回復( R e v e r s e R e c o v e r y ) 時間較長
官方答案
(4) 反向回復( R e v e r s e R e c o v e r y ) 時間較長
解析
肖特基二極體為多數載子元件，具低導通壓降(約0.2~0.4V，低於矽的0.7V)、低反向崩潰電壓、切換速度快且反向回復時間極短等優點。選項4稱其反向回復時間「較長」與事實相反，故為錯誤敘述。其餘1、2、3均正確描述肖特基特性。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。