民國100年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第41題
下列敘述何者錯誤?
題目
下列敘述何者錯誤?
- (1) R A M 為揮發性元件
- (2) S R A M 存取速度較D R A M 慢
- (3) S R A M 存取速度較D R A M 快
- (4) R O M 為非揮發性元件
官方答案
(2) S R A M 存取速度較D R A M 慢
解析
SRAM採用正反器儲存，存取速度較DRAM(需刷新、電容充放電)快，故選項2「SRAM存取速度較DRAM慢」錯誤。選項1 RAM為揮發性、選項3 SRAM較DRAM快、選項4 ROM為非揮發性皆正確。題目問錯誤者，故答案為選項2。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。