民國101年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第27題
關於F E T 之特性,下列敘述何者有誤?
題目
關於F E T 之特性,下列敘述何者有誤?
- (1) F E T 為單載子元件,可用為壓控電阻器
- (2) M O S F E T 常見於數位I C 中,亦用於射頻放大器中
- (3) J F E T 常用於線性放大之前置級,有較佳之信號雜音比
- (4) 大功率M O S F E T 之飽和電壓較I G B T 為低
官方答案
(4) 大功率M O S F E T 之飽和電壓較I G B T 為低
解析
選項1、2、3正確：FET為單載子（多數載子）元件，工作於歐姆區可作壓控電阻器；MOSFET廣用於數位IC與RF射頻放大；JFET雜訊低，常作線性放大前置級。選項4有誤：在大功率（高電壓/大電流）應用中，IGBT之飽和電壓 Vce(sat) 約 1.5～3V，低於同耐壓等級MOSFET之導通壓降（高壓MOSFET之 Rds(on) 甚大，Rds(on)×I 之壓降更高），故「大功率MOSFET飽和電壓較IGBT低」為錯誤敘述。答案為4。
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