民國101年 第3梯次 11600 電力電子甲級 學科考古題與答案

第1題

下圖所示之電路,若R O M 2 的位址為04 H 至07 H ,R O M 1 的位址為08 H 至0 B H ,則P A L 的輸出函數F 1 ,F 2 分別為: 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 3

第2題

下圖所示電路為 1. 變頻器 2. 昇壓- 降壓截波器 3. 昇壓截波器 4. 降壓截波器。

答案：(2) 昇壓- 降壓截波器

第3題

下圖所示R O M 的內容自位址0 - 3 分別為何? 1. 3,0,1,2 2. 1,3,2,2 3. 0,2,3,1 4. 2 , 3 ,3 ,0 。

答案：(3) 0,2,3,1

第4題

如圖所示電路中,a 、b 兩端之等效電阻R 為: 1. 0 2. 2 3. 2 . 4 4. 4 歐姆。

答案：(4) 4 歐姆

第5題

下列對I n t e l M C S - 96 族系晶片中之週邊轉移伺服器( P e r i p h e r a l T r a n s a c t i o n S e r v e r , P T S ) 的敘述,何者錯誤? 1. P T S 可做輪詢式( P o l l i n g ) I / O 傳輸 2. P T S 可做單一與區塊傳輸 3. P T S 為一種類似D M A 的控制器 4. P T S 與C P U 為並行處理。

答案：(1) P T S 可做輪詢式( P o l l i n g ) I / O 傳輸

解析：PTS（Peripheral Transaction Server）是8096晶片內部類似DMA的硬體控制器，由中斷或硬體事件觸發，可在CPU執行指令的同時並行完成單一傳輸或區塊傳輸，以減少CPU介入。它並非以程式迴圈反覆檢查旗標的輪詢式I/O；輪詢必須由CPU逐條執行指令完成。因此「PTS可做輪詢式I/O傳輸」的敘述錯誤。

第6題

下列那一因素與變阻器( V a r i s t o r ) 的選擇方式無關? 1. 突波之最大功率 2. 線路中的正常工作電壓和電流 3. 突波之最大電壓和電流 4. 負載阻抗之相位角。

答案：(4) 負載阻抗之相位角

解析：變阻器的選用主要考量：線路正常工作電壓（連續工作電壓須低於額定電壓並留裕度）、突波最大電壓與電流，以及突波能量（最大功率），以確保吸收突波時不致燒毀。負載阻抗的相位角只影響電壓與電流的相位關係，與變阻器吸收突波的能力無關，故不是選用依據。

第7題

如圖所示電路中,每一線段代表一電阻,則I 為: 1. 6 2. 3 3. 5 4. 4 安培。

答案：(4) 4 安培

第8題

如下圖所示,此功率轉換器為 1. f o r w o r d c o n v e r t e r 2. p u s h - p u l l c o n v e r t e r 3. f l y b a c k c o n v e r t e r 4. h a l f - b r i d g e c o n v e r t e r 。

答案：(3) f l y b a c k c o n v e r t e r

第9題

某一信號產生器之無載輸出最大值為20 V p p,當加上一50 Ω 之純電阻性負載時,負載兩端之 波形變為10 V p p ,則此信號產生器之輸出阻抗為何? 1. 50 Ω 2. 25 Ω 3. 100 Ω 4. 150 Ω 。

答案：(1) 50 Ω

解析：信號產生器可視為理想電壓源串聯輸出阻抗Ro。無載時輸出即電源電壓20Vpp；接上50Ω負載後，負載與Ro形成分壓：VL＝Vsource×RL/(Ro＋RL)，即10＝20×50/(Ro＋50)，得Ro＋50＝100，故Ro＝50Ω。此時輸出阻抗等於負載阻抗，負載可獲得最大功率。

第10題

如下圖所示之單相全波全控雙整流器電路,若輸入電壓為V ( t ) = V ( t ) = V s ( t ) = 400 s i n ( 377 t ) V 、閘流體均為理想、R = 10 Ω 、L F = 50 m H 、編號1 整流器觸發角α 1 = 60 ° 、編號2 整流器 觸發角α 2 = 120 °,求一號整流器的輸出平均電壓V ( a v g ) = ? 1. 97 V 2. 127 V 3. 117 V 4. 107 V。

答案：(2) 127 V

第11題

在測試線性放大器之頻率響應時,對頻率產生器之輸入波形控制應選用 1. 三角波 2. 正弦波 3. 脈波 4. 方波。

答案：(2) 正弦波

解析：頻率響應測試需在每一頻率下量測放大器對穩態正弦信號的增益與相位；正弦波是線性電路唯一不會改變波形、只改變振幅與相位的測試信號，故掃頻儀與頻率產生器均採用正弦波。三角波、方波、脈波含豐富諧波，經放大器後波形失真，難以判定單一頻率的增益。

第12題

資料搜尋( S e a r c h ) 的方法有很多種,其中會發生資料碰撞的方法為 1. 循序搜序法 2. B - t r e e 搜尋法 3. 雜散法( H a s h ) 4. 二元搜尋法。

答案：(3) 雜散法( H a s h )

解析：雜散法（Hash）以雜湊函數把鍵值映射到有限的儲存位置，不同鍵值可能映射到同一位址而發生碰撞，需以鏈結法或開放定址法處理。循序搜尋、二元搜尋與B-tree均依鍵值順序在既有資料中比對或走訪節點，不會產生「碰撞」問題，故碰撞是雜散法特有的現象。

第13題

對電容性負載而言,下圖中兩種負載電壓波形之電磁雜訊何種較大? 1. 皆無 2. B 大 3. A 和B 一樣大 4. A 大。

答案：(2) B 大

第14題

一直流升壓式轉換器之電路如下圖所示,設電路由理想元件組成,並操作於穩定狀態。若開 關切換頻率為100 k H z,V = 10 V,V = 20 V,R =4 Ω,則使 為連續之最小電感為若干μ H ? 1. 1 2. 1 . 25 3. 2 . 5 4. 5 μ H 。

答案：(3) 2 . 5

第15題

測試電源供應器之湧入電流( I n r u s h C u r r e n t ) 方法,其起始點必須在何種情況之下? 1. 冷機且輸入濾波電容電壓為零 2. 半載 3. 任何負載情況均可 4. 額定電壓。

答案：(1) 冷機且輸入濾波電容電壓為零

解析：湧入電流是電源供應器在通電瞬間，輸入濾波電容尚未充電、形同短路，所產生的短時間大電流。因此測試必須在冷機、電容電壓為零的狀態下，於額定電壓投入瞬間量測，才能得到最嚴重的峰值。若已熱機或電容仍保有電壓，起始電流會偏小，無法代表實際的湧入電流。

第16題

下圖所示電路中,i ( t ) 於多少m s 後達最大值? 1. 6 . 28 2. 0 . 785 3. 1 . 57 4. 3 .

答案：(2) 0 . 785

第17題

橋式全波相控整流器在輸入電源側含有下列何種大量諧波? 1. 奇次低頻 2. 奇次高頻 3. 偶次高頻 4. 偶次低頻。

答案：(1) 奇次低頻

解析：橋式全波相控整流器（單相全波或三相全波）之交流電源側輸入電流呈脈動方波，經傅立葉分析含基頻整數倍諧波。單相全波（2脈波）電流諧波為奇次（3、5、7…次）；三相全波橋（6脈波）特性諧波為6k±1次（5、7、11、13…次），亦皆為奇次。這些諧波頻率為電源頻率（50/60Hz）之整數倍，相對切換頻率屬低頻，故電源側主要含「奇次低頻」諧波。選項2、3、4之高頻或偶次並非相控整流器電源側之主要諧波成分。

第18題

霍耳元件在較低磁通量之磁場中,其所感應之電壓具有下列何種特性? 1. 指數曲線 2. 線性 3. 非線性 4. 拋物線性。

答案：(2) 線性

解析：霍耳元件之感應電壓（霍耳電壓 VH）公式為 VH = KH·I·B/d，KH 為霍耳係數、I 為控制電流、B 為磁通密度、d 為元件厚度。在磁通量較低（低 B）時，VH 與 B 成正比，呈現線性關係；此線性區正是霍耳感測器用於電流量測、位置與臨界速度偵測的工作區。當 B 過高使載子速度飽和後才偏離線性，故「較低磁通量」下特性為線性。選項1、3、4所稱指數、非線性、拋物線性均非低磁場時之正確描述。

第19題

如下圖所示之三相半波星型二極體整流電路,若輸入電壓為三相線電壓V = 480 V r m s 、60 H z 、二極體均為理想、R = 10 Ω 、L = 10 m H 。試求輸出負載之平均電壓V ( a v g ) = ? 1. 461 V 2. 561 V 3. 661 V 4. 671 V 。

答案：(2) 561 V

第20題

下列各項敘述何者錯誤? 1. 保險絲常熔斷不可以銅線取代 2. 開關應裝置於乾燥地點 3. 拔卸電氣插頭時,應自插頭處拔卸 4. 安裝接地線是防止雷擊的最佳方法。

答案：(4) 安裝接地線是防止雷擊的最佳方法

解析：選項1、2、3均為正確用電安全觀念：保險絲常熔斷不可改以銅線取代（銅線耐流過大將失去過流保護）；開關須裝於乾燥處以防受潮漏電；拔插頭應握插頭本體而非拉扯電線。選項4錯誤：防止雷擊最佳方法為裝設避雷針（接閃器）與避雷器，將雷電流安全導引接地；單純「安裝接地線」並非防止雷擊之最佳或唯一方法，接地主要用於設備漏電保護與電位平衡。故敘述錯誤者為4。

第21題

在無外加緩震器( S n u b b e r ) 時,功率電晶體在開關切換期間大部份工作於 1. 飽和區 2. 截止區 3. 逆向偏壓狀態 4. 作用區。

答案：(4) 作用區

解析：功率電晶體（BJT、MOSFET）開關切換時，會在截止區與飽和（導通）區之間轉態。若無外加緩震器（Snubber）吸收電壓電流重疊，切換瞬間 Vce（或 Vds）與 Ic 同時存在且數值顯著，器件主要工作於「作用區（線性區/主動區）」，此區域功耗 P=V×I 最大，產生最大切換損失與熱應力。Snubber 之作用即減緩電壓電流重疊、縮短作用區停留時間。故無緩震器時切換期間大部份工作於作用區，選4。

第22題

如下圖所示,二極體為理想特性;若開關 在時間t = 0 時導通,且電容 端電壓的初值為零, 則電流 的時間響應為何? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 4

第23題

下列哪一元件是電壓型觸發者? 1. S C R 2. I G B T 3. G T O 4. B J T 。

答案：(2) I G B T

解析：電力電子元件依閘極觸發方式可分電流型與電壓型。IGBT（絕緣閘雙極電晶體）為電壓控制元件，其閘極與射極間施加足夠電壓即可導通，屬「電壓型觸發者」。選項1 SCR（矽控整流器）由閘極注入電流觸發，為電流型；選項3 GTO（閘極截止晶閘管）同樣以閘極電流控制導通與關斷，屬電流型；選項4 BJT（雙極電晶體）由基極電流控制，亦為電流型。電壓型元件具輸入阻抗高、驅動功率小之優點。故正確答案為 IGBT。

第24題

利用三用電表判斷U J T 三端時,如η >0 . 5 時,測得之 與 之值應為 1. > 2. 不一定 3. = 4. > 。

答案：(4) >

第25題

由前視圖投影所得之輔視圖可顯示其物體之 1. 高度 2. 深度 3. 寬度 4. 長度。

答案：(2) 深度

解析：依第三角法正投影，前視圖呈現物體之「高度」與「寬度」，俯視圖呈現寬度與「深度」，側視圖呈現高度與深度。輔視圖乃將物體投影至非主要投影面，用以顯示傾斜面之真實形狀與大小。由前視圖取適當投影方向所得之輔視圖，其主要目的在補足前視圖所未能表現、且俯視或側視亦不便清楚表達之「深度」向度（揭示物體前後方向的真實尺度）。故由前視圖投影之輔視圖可顯示物體之深度，選2。

第26題

選擇保險絲時,保險絲容許之最大電流應為導線安全電流的多少倍? 1. 1 ~ 2 倍 2. 5 ~ 10 倍 3. 2 ~ 3 倍 4. 3 ~ 5 倍。

答案：(1) 1 ~ 2 倍

解析：選用保險絲時，其額定（容許最大）電流必須小於或等於被保護導線之安全電流（安培容量），才能確保過載或短路時保險絲先熔斷、導線不致過熱燃燒，此為過電流保護基本原則。實務上考量負載啟動湧入電流，保險絲額定值可略高於導線安全電流但不可過大，一般取約 1～2 倍為合理上限；若倍數過高則導線失去保護。故應為 1～2 倍，選1。

第27題

關於F E T 之特性,下列敘述何者有誤? 1. F E T 為單載子元件,可用為壓控電阻器 2. M O S F E T 常見於數位I C 中,亦用於射頻放大器中 3. J F E T 常用於線性放大之前置級,有較佳之信號雜音比 4. 大功率M O S F E T 之飽和電壓較I G B T 為低。

答案：(4) 大功率M O S F E T 之飽和電壓較I G B T 為低

解析：選項1、2、3正確：FET為單載子（多數載子）元件，工作於歐姆區可作壓控電阻器；MOSFET廣用於數位IC與RF射頻放大；JFET雜訊低，常作線性放大前置級。選項4有誤：在大功率（高電壓/大電流）應用中，IGBT之飽和電壓 Vce(sat) 約 1.5～3V，低於同耐壓等級MOSFET之導通壓降（高壓MOSFET之 Rds(on) 甚大，Rds(on)×I 之壓降更高），故「大功率MOSFET飽和電壓較IGBT低」為錯誤敘述。答案為4。

第28題

會造成心臟停跳死亡之人體電流值的最小值為: 1. 800 m A 2. 500 m A 3. 200 m A 4. 100 m A 。

答案：(4) 100 m A

解析：人體通過約 100 mA 的電流時，可能引發心室纖維性顫動；若未立即急救，心臟會失去有效的泵血功能，導致停跳死亡。電流是否致命還會受電流路徑、通電時間、皮膚電阻與個人健康狀況影響，但在學理與安全規範上，100 mA 常被視為會造成心臟停跳死亡的危險界限，因此選 100 mA。

第29題

以已知標準電容C s 求待測電容C x ,或待測電容之消耗因數之電橋是為 1. 惠斯登( W h e a t s t o n e ) 電橋 2. 薛林( S c h e r i n g ) 電橋 3. 海氏( H a y ) 電橋 4. 馬克士威 ( M a x w e l l ) 電橋。

答案：(2) 薛林( S c h e r i n g ) 電橋

解析：薛林電橋（Schering bridge）以已知標準電容 Cs 作為比較基準，調整可變電阻使電橋平衡，即可求得待測電容 Cx，並可同時算出其消耗因數（介質損失角正切）。此電橋常用於電容器及絕緣材料之介質特性測定。惠斯登電橋以測電阻為主，海氏與馬克士威電橋則常用於電感量測，故本題應選薛林電橋。

第30題

某U J T 之本質內分比值( η ) 為0 . 65,兩基極端電V 為20 V,則其射極激發電壓約為多少伏 特? 1. 13 . 7 V 2. 12 V 3. 0 . 7 V 4. 5 V 。

答案：(1) 13 . 7 V

解析：UJT 的射極激發電壓（峰值電壓）公式為 VP = ηVBB + VD，式中 η 為本質內分比值，VBB 為兩基極間電壓，VD 為射極二極體順向壓降，約取 0.7 V。將 η=0.65、VBB=20 V 代入：VP = 0.65×20 + 0.7 = 13.0 + 0.7 = 13.7 V，因此答案為 13.7 V。

第31題

下列金屬之電阻溫度係數為固定值,其溫度範圍最廣者為何者? 1. 銅 2. 白金 3. 鎳 4. 銀。

答案：(2) 白金

解析：白金（鉑）的電阻溫度係數在寬廣溫度範圍內近似固定，且耐高溫、化學穩定性佳，常作為標準白金電阻溫度計（RTD）的感溫元件。銅、鎳、銀雖具正溫度係數，但其電阻與溫度的線性關係及適用範圍不如白金寬廣，因此電阻溫度係數可視為固定值的溫度範圍最廣者為白金。

第32題

下列何種功率開關元件的可接受操作頻率最高? 1. 雙載子接面電晶體( B J T ) 2. 金氧半場效電晶體( M O S F E T ) 3. 閘流體( T h y r i s t o r ) 4. 絕緣閘雙載子電晶體( I G B T ) 。

答案：(2) 金氧半場效電晶體( M O S F E T )

解析：MOSFET 屬於多數載子導通的場效電晶體，沒有 BJT 的少數載子儲存時間，也沒有閘流體的鎖住與換流關斷問題，因此切換速度最快，可接受的操作頻率最高，常可達數百 kHz 以上。IGBT 雖兼具高輸入阻抗與低導通壓降，但關斷時有尾電流，高頻性能仍不及 MOSFET，故選 MOSFET。

第33題

下列檢測裝置何者為類比與數位混和型? 1. 光學編碼器( E n c o d e r ) 2. 感應傳感器( I n d u c t o s y n ) 3. 精密電位計( P r e c i s i o n M e t e r ) 4. 轉速發電機( T a c h o g e n e r a t o r ) 。

答案：(2) 感應傳感器( I n d u c t o s y n )

第34題

下列電力電子元件中,何者之切換時間( S w i t c h i n g T i m e ) 最小? 1. P O W E R B J T 2. I G B T 3. P O W E R M O S F E T 4. I P M 。

答案：(3) P O W E R M O S F E T

解析：功率MOSFET為多數載子元件，導通與截止只靠閘極電場控制，沒有少數載子儲存與拖尾現象，因此切換時間最短。功率BJT有少數載子儲存時間，關斷較慢；IGBT雖為電壓驅動，但關斷有拖尾電流，速度通常不及MOSFET；IPM是含驅動與保護的功率模組，內部多為IGBT，整體切換速度也不是最快。

第35題

串級放大器的各單級放大器的電壓增益如下: = 10, = 100, = 1000,總電壓增益為 1. 10 2. 10 3. 10 4. 10 。

答案：(3) 10

第36題

下圖所示之電路,D 1 之作用為何? 1. 防止逆流衝擊S C R 閘極 2. 吸收電源之湧浪電壓 3. 在S C R 導通時提供電容放電 4. 抑制閘流體之雜訊。

答案：(3) 在S C R 導通時提供電容放電

第37題

下圖所示為一同位元產生器,若 = 0,則輸出P 是屬於 1. 奇同位 2. 零同位 3. 偶同位 4. 複同位。

答案：(1) 奇同位

第38題

以變頻器控制三相感應馬達,當速度高於額定值時,下列何者錯誤? 1. 磁通要與頻率成正比例調整 2. 定子電壓只能保持額定值 3. 磁通要與頻率成反比例調整 4. 馬達最大轉矩與頻率平方成反比。

答案：(1) 磁通要與頻率成正比例調整

解析：三相感應馬達以變頻器驅動時，額定轉速以下常採 V/f 恒定控制，使磁通維持近似不變；當速度高於額定值，定子電壓已達額定值而無法再升高，此時提高頻率會使磁通與頻率成反比下降，形成弱磁控制，最大轉矩約與頻率平方成反比。因此「磁通要與頻率成正比例調整」的說法錯誤，故選 1。

第39題

下圖所示電路中,電流為連續i ,若正負半波對稱觸發且( T 、T ) 及( T 、T ) 成對導通,則i 波 形為何? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 2

第40題

下圖所示之電路,L = 2 m H 、L = 5 m H 、M = 3 m H ,則總電感應為多少亨利? 1. 1 m H 2. 3. 13 m H 4. 4 m H 。

答案

• 1

第41題

將220 伏60 瓦燈泡與220 伏20 瓦燈泡並聯接於110 伏電源,此時60 瓦燈泡消耗的功率與 20 瓦燈泡消耗的功率之功率比為: 1. 0 . 25 2. 3 3. 0 . 5 4. 4 。

答案：(2) 3

解析：燈泡可視為電阻性負載，額定功率 P=V²/R，故 R=V²/P。兩燈並聯接於 110 V 電源，其實際功率為 P'=(110²/R)=(110/220)²×額定功率=0.25×額定功率。60 W 燈實際消耗 15 W，20 W 燈消耗 5 W，兩者功率比為 15:5=3:1，比值為 3，對應選項 2。

第42題

某非弦式之週期函數f ( t ) = - f ( t + 0 . 5 T ) 其週期為T ,則下列關於此富律葉級數( F o u r i e r S e r i e s ) 之描述何者為真? 1. 無富律葉展開級數 2. 含奇次及偶次項諧波 3. 僅含偶次項諧波 4. 僅含奇次項諧波。

答案：(4) 僅含奇次項諧波

解析：題目給出 f(t) = -f(t + 0.5T)，此為「半波對稱」（half-wave symmetry）條件。對週期函數作傅立葉級數展開時，令第 n 次諧波係數為 a_n、b_n，將 t 代換為 t+T/2 後，三角函數產生因子 cos(nπ)：n 為奇數時 cos(nπ)=-1，級數反號；n 為偶數時 cos(nπ)=+1，級數不變。因要求 f(t+T/2)=-f(t)，偶次諧波係數必須為零，故僅保留奇次諧波（n=1,3,5…）。選項 4 正確。選項 1 錯誤，任何满足狄利克雷條件的週期函數皆可循立葉展開；選項 3 為全波對稱或偶函數特性；選項 2 為一般週期函數。

第43題

布林代數F = B D + A B C D + A B D + B C D 可簡化為 1. A B D 2. B D 3. B 4. D 。

答案：(2) B D

解析：原式 F = BD + ABCD + ABD + BCD，利用布林代數的吸收律與因式分解化簡。先處理 BD + ABCD = BD(1 + AC) = BD（因 1+AC=1）。再處理 ABD + BCD = BD(A + C)。合併得 F = BD + BD(A + C) = BD[1 + (A + C)] = BD（因 1+任何項=1）。故最簡式為 BD，對應選項 2。關鍵觀念為吸收律 X + XY = X 與交集律 X·1 = X；另一種看法是 BD 已涵蓋 ABCD、ABD、BCD 三項（後三者均為 BD 的子項），故可全部吸收。

第44題

儲存示波器中若有一1 M H z 之波形,以50 M S a / s 速率取樣,則每一週期的取樣數為多少? 1. 5000 2. 50 3. 500 4. 50000 。

答案：(2) 50

解析：每一週期的取樣數等於取樣率除以信號頻率。已知訊號頻率 f = 1 MHz = 1×10^6 Hz，取樣速率 fs = 50 MSa/s = 50×10^6 樣本/秒。公式：每週期取樣數 N = fs / f = 50×10^6 ÷ (1×10^6) = 50 個樣本。選項 2 正確。此數值表示每個波形週期可取得 50 個離散點，足以重建 1 MHz 正弦波；若取樣數過低則會發生混疊（aliasing）。選項 3（500）與選項 1（5000）均高估，選項 4（50000）則因工率誤算。

第45題

某全加器之被加數為A,加數為B,前級進位為C,則此全加器的進位輸出為 1. A ☉B ☉C 2. A B + A C + B C 3. B + C + B C 4. A ♁B ♁C 。

答案：(2) A B + A C + B C

解析：全加器（full adder）有被加數 A、加數 B 與前級進位 C_in。其進位輸出 C_out 產生的條件為：A、B 同為 1（產生進位），或 A、C 同為 1，或 B、C 同為 1，故布林式為 C_out = AB + AC + BC（即任兩輸入為 1 即進位）。選項 2 正確。至於和輸出 S = A⊕B⊕C（互斥或），對應選項 4 的符號表示但那是「和」而非「進位輸出」，故選項 4 不對；選項 1 為同或運算亦非進位。

第46題

布林函數F = A + A C + A B C + A B + C 若化為最簡式,且以和之積( P O S ) 表示時應為 何? 1. F = A + C 2. F = ( B + ) 3. F = ( A + B + C ) ( A + + ) ( A + + C ) 4. F = ( A + B + C ) ( A + ) 。

答案：(4) F = ( A + B + C ) ( A + )

第47題

在測量單擊信號或低頻週期信號時,以何種示波器來觀測較為適宜? 1. 儲存式示波器 2. 雙跡示波器 3. 同步示波器 4. 向量示波器。

答案：(1) 儲存式示波器

解析：儲存式示波器（storage oscilloscope）能將輸入波形經取樣後存入半導體或數位記憶體，可凍結並反覆顯示單次（single-shot）、瞬態或低頻週期信號，便於觀測與量測。對於單擊信號，傳統即時示波器因缺乏觸發持續性而難以穩定顯示，故以儲存式為宜，選項 1 正確。雙跡示波器用於同時比較兩通道訊號；同步示波器（sampling scope）適用極高頻信號之取樣顯示；向量示波器專門顯示彩色視訊之色相、飽和度向量，皆非本题需求。

第48題

下圖所示之串聯諧振電路中,自然頻率( N a t u r a l F r e q u e n c y ) 為f 、輸入訊號為一頻率f 之P W M 方波電壓源,當f >f 時,此諧振電路呈下列何種負載特性? 1. 電容性 2. 電阻性 3. 電感性 4. 主動性。

答案：(3) 電感性

第49題

下列何種晶片,其內部具有監時計( W a t c h d o g T i m e r ) ? 1. I n t e l 8048 2. I n t e l 8096 B H 3. A T 89 C 51 4. I n t e l 8051 。

答案：(2) I n t e l 8096 B H

解析：Intel 8096BH 屬 MCS-96 系列 16 位元微控制器，其內部已整合監視計時器（Watchdog Timer, WDT），可在程式因干擾而跑飛（runaway）時自動產生重置信號以回復系統。選項 2 正確。Intel 8048 與 Intel 8051 原廠架構均未內建 WDT；AT89C51 為 8051 衍生單晶片，基本核心同樣無內建監視計時器（須外接或選用特定後續衍生型）。因此本題四者中僅 8096BH 具備此內部硬體功能。

第50題

若V = 500 s i n ( 157 t + 30 ° ) 伏特,I = 10 s i n ( 157 t + 120 ° ) 安培,則該電路屬於下列何種特質之元件? 1. 電阻 2. 電容 3. 電感 4. 二極體。

答案：(2) 電容

解析：由電壓 v = 500 sin(157t + 30°) 與電流 i = 10 sin(157t + 120°) 得相位角：φ_V = 30°，φ_I = 120°。相位差 φ = φ_I − φ_V = 120° − 30° = 90°，即電流相位超前電壓 90°。依被動元件相量特性：電容為電流超前電壓 90°（I leads V）；電感則電流落後電壓 90°；純電阻二者同相。故該電路元件為電容，選項 2 正確。此亦可由阻抗 Z = V/I 呈現容抗特性驗證。

第51題

下列何者為人工智慧語言的一種? 1. L I S P 2. P A S C A L 3. C 4. P R G 。

答案：(1) L I S P

解析：LISP（LISt Processing）於 1958 年由 McCarthy 提出，以符號處理、S-運算式與遞迴運算為核心，是最早投入人工智慧研究的語言之一，至今仍見於專家系統與 AI 教學。PASCAL 與 C 都是通用型程序性語言，主要用於系統程式與應用軟體開發，並非專為 AI 設計；PRG 則不是程式語言。因此本題應選 LISP。

第52題

1 K × 8 之E P R O M 有幾條位址線?幾條資料線? 1. 3 ,10 2. 8 ,10 3. 10 ,3 4. 10 ,8 。

答案：(4) 10 ,8

解析：EPROM 標示 1K×8，代表有 1024 個字、每個字 8 位元。位址線數由字數決定：1K＝2^10，故需 10 條位址線才能定址 1024 個位置；資料線數由每字位元數決定，8 位元需 8 條資料線。因此正確組合是 10 條位址線、8 條資料線。

第53題

發生電氣火災時應先切斷電源,並用何種滅火劑來滅火? 1. 水滅火劑 2. 泡沫滅火劑 3. 化學乾粉( D r y c h e m i c a l ) 滅火劑或二氧化碳滅火劑 4. 乾粉( D r y P o w d e r ) 滅火劑。

答案：(3) 化學乾粉( D r y c h e m i c a l ) 滅火劑或二氧化碳滅火劑

解析：電氣火災屬於帶電火災，水與泡沫滅火劑含有水分、導電性高，若未斷電就噴灑，可能造成觸電，並使短路範圍擴大。正確作法是先切斷電源，再使用不導電的化學乾粉（Dry chemical）或二氧化碳滅火劑滅火，既能絕緣，也不會留下導電殘渣。

第54題

關於G T O 與P o w e r B J T 比較,下列何者有誤? 1. G T O 過電流保護較不易設計 2. G T O 切換速度較慢 3. G T O 可耐受較高電壓與電流 4. G T O 緩震電路( S n u b b e r C i r c u i t ) 設計較容易。

答案：(4) G T O 緩震電路( S n u b b e r C i r c u i t ) 設計較容易

解析：GTO 屬閘流體，需較大的閘極脈衝電流才能導通，並以負閘極電流關斷，且對 dv/dt、di/dt 的耐受度較差；緩震（snubber）電路必須同時抑制電壓與電流突波，設計較複雜，過電流保護也不易規劃。其優點是耐壓、耐流能力高，但切換速度比 Power BJT 慢。因此「緩震電路設計較容易」的敘述有誤。

第55題

關於理想互導放大器之敘述,下列何者有誤? 1. 為電流取樣串聯注入之回授放大器 2. 互導放大率為定值;其輸出電流與輸入電壓之比為定值 3. 以一具理想電感為負載,其電壓放大率與輸入頻率成正比 4. 輸入阻抗愈高,輸出阻抗愈高。

答案：(4) 輸入阻抗愈高,輸出阻抗愈高

解析：理想互導放大器是電壓控制電流源，互導增益 Gm＝Io/Vi 為定值；其回授組態為電流串聯式，也就是在輸出端以串聯方式取樣電流，並在輸入端以串聯方式注入回授，故輸入與輸出阻抗都應愈高愈好（理想為無限大）。以理想電感為負載時，Vo＝Gm·Vi·ωL，電壓增益與頻率成正比。第 4 項把輸入、輸出阻抗寫成同向連動的單一趨勢，但實際上兩者是各自獨立的理想條件，均須趨近無限大，敘述方式不正確。

第56題

三相全橋型變頻器共使用幾個開關元件? 1. 9 個 2. 12 個 3. 6 個 4. 3 個。

答案：(3) 6 個

解析：三相全橋（six-pack）變頻器每一相由上下兩個臂組成，三相共 3×2＝6 個開關元件，一般採用 IGBT 或 MOSFET 模組，上下臂互補導通以合成三相交流輸出。若只用 3 個開關，僅能構成單相半橋；9 個或 12 個則用於三電平（NPC）或雙橋等較複雜架構。

第57題

下圖所示之符號,為何種元件之圖示符號? 1. G T O 2. I G B T 3. F E T 4. B J T 。

答案：(3) F E T

第58題

下列何種功率開關元件的驅動電路設計較為困難? 1. I G B T 2. M O S F E T 3. B J T 4. M C T 。

答案：(3) B J T

解析：BJT 是電流驅動元件，必須持續供給足夠的基極電流才能維持導通，驅動級功率損耗大、電路較複雜，還要考慮儲存時間造成的切換延遲與少數載子問題。MOSFET、IGBT 與 MCT 皆屬電壓驅動，輸入端為閘極電容，只需瞬間充放電荷，驅動電路簡單、驅動功率小。

第59題

以積體電路( I C ) 製作差動放大器電路,其射極電阻常以下列何者取代? 1. 電容 2. 定電壓源 3. 定電流源 4. 電感。

答案：(3) 定電流源

解析：IC 差動放大器若使用實體射極電阻，會佔用晶片面積、造成較大壓降，且共模排斥比不佳。改以定電流源（通常由電流鏡實現）取代射極電阻，可提供穩定的偏壓電流、提高共模排斥比與輸入阻抗，並讓差動對在大共模範圍下仍維持正常工作點。

第60題

下圖所示電路中,R C 電路為避免S C R 發生 1. 過大電流變化率 2. 過電流 3. 過電壓 4. 過大電壓變化率。

答案：(4) 過大電壓變化率

第61題

先測試條件,若不成立,才執行迴圈內的處裡作業,直到條件成立為止才跳出迴圈,這種架 構為 1. D O - - U N T I L ( R E P E A T - - U N T I L ) 架構 2. P E R F O R M - - U N T I L 架構 3. C A S E 架構 4. D O - - W H I L E 架構。

答案：(2) P E R F O R M - - U N T I L 架構

解析：此架構會在每次進入迴圈前先測試條件，條件不成立才執行迴圈內容；執行後再回頭測試，直到條件成立才離開，屬於 COBOL 先測型的 PERFORM-UNTIL（TEST BEFORE）。DO-UNTIL 或 REPEAT-UNTIL 通常先執行一次再測試，與題意不同；CASE 是多選一分支，DO-WHILE 則在條件成立時持續執行。

第62題

下列敘述何者錯誤? 1. 不可任意加裝分叉插座使用 2. 避雷器之接地電阻應保持在10 歐姆以下 3. 無熔絲開關之跳脫電流,應不小於該電路之負載電流 4. 110 伏特電壓較不會有感電危險。

答案：(4) 110 伏特電壓較不會有感電危險

解析：110 V 交流電仍可能造成心室顫動、灼傷甚至死亡；是否危險取決於電流路徑、接觸時間、皮膚潮濕與接地狀況，不能說較不會有感電危險。其餘三項符合用電安全：不可任意加裝分叉插座；避雷器接地電阻一般要求保持在 10 Ω 以下；無熔絲開關的跳脫電流應不小於該電路負載電流。

第63題

下圖平衡三相四線電路之電容C 為多少? 1. 419 μ F 2. 349 μ F 3. 724 μ F 4. 603 μ F 。

答案：(4) 603 μ F

第64題

如果下圖中的輸入電壓 ,試求其輸出電壓 1. 9 . 375 V 2. 15 V 3. - 15 V 4. - 9 . 375 V 。

答案：(4) - 9 . 375 V

第65題

某波形由80 V 直流成份及有效值60 V 之交流成份所組成,則其波形因數為多少? 1. 1 . 5 2. 1 . 75 3. 1 4. 1 . 25 。

答案：(4) 1 . 25

解析：波形因數定義為有效值除以平均值。此波形含 80 V 直流成分與有效值 60 V 的交流成分，總有效值為 √(80²＋60²)＝100 V；交流成分的平均值為零，故整波平均值為 80 V。波形因數＝100／80＝1.25，因此答案為 1.25。

第66題

某放大器之電壓增益為100 時,若以d B 值計算,應為多少? 1. 20 d B 2. - 40 d B 3. 40 d B 4. - 20 d B 。

答案：(3) 40 d B

解析：電壓增益以分貝表示之公式為G_dB=20log10(Av)。當Av=100時，G_dB=20×log10(100)=20×2=40dB。增益大於1為正值，故負值選項2、4皆非；選項1之20dB對應Av=10，故僅40dB正確。

第67題

下圖所示之電路,其中R 2 之功能為何? 1. 吸收湧浪電壓 2. 保護S C R 2 之閘極 3. 限制負載電流 4. 保護S C R 1 之閘極。

答案：(4) 保護S C R 1 之閘極

第68題

I E E E - 488 之資料線有幾條? 1. 4 條 2. 8 條 3. 2 條 4. 1 條。

答案：(2) 8 條

解析：IEEE-488（GPIB）採位元組序列、位元並列傳輸，資料匯流排由 8 條資料線組成，可一次傳送一個位元組；另有 3 條握手線與 5 條介面管理線，共 16 條訊號線，另含接地與屏蔽。因此資料線數為 8 條，不是 1、2 或 4 條；此為 IEEE-488 的標準腳位配置。

第69題

下圖所示之電路,其中齊納二極體Z D 1 之作用為何? 1. 做閘極限壓之保護 2. 檢知電容C 1 之電位 3. 做觸發電路之穩壓保護 4. 吸收湧浪電壓。

答案：(2) 檢知電容C 1 之電位

第70題

下圖所示之電路,電壓E 應為多少伏特? 1. 74 V 2. 134 V 3. 180 V 4. 100 V 。

答案：(2) 134 V

第71題

試求下圖中調整器的輸出電壓 1. 15 . 3 V 2. 20 . 4 V 3. 10 . 2 V 4. 5 . 1 V 。

答案：(3) 10 . 2 V

第72題

若記憶體位址由0 起算,位址3065 之內容為指令N O P ( N O P 機械碼為1 位元組,係不工作 之指令) ,則當C P U 執行N O P 後,C P U 中之程式計數器( P C ) 之內容為何? 1. 0 B F A H 2. 3065 3. 0 B F 9 H 4. 3065 H 。

答案：(1) 0 B F A H

解析：NOP 為 1 位元組指令，CPU 取指後程式計數器（PC）自動加 1 指向下一指令。位址 3065（十進位）換算十六進位為 0BF9H（11×256＋15×16＋9＝3065），執行後 PC＝3066＝0BFAH（11×256＋15×16＋10＝3066）。故答案為 0BFAH。注意 3065H 為十六進位，等於十進位 12389，與題目位址 3065（十進位）不同，選項 2、4 不符。

第73題

下列何者不屬於系統程式? 1. 作業系統( O p e r a t i n g S y s t e m ) 2. 編譯程式( C o m p i l e r ) 3. 組譯程式( A s s e m b l e r ) 4. M S - W o r d 。

答案：(4) M S - W o r d

解析：系統程式是支援電腦系統運作與程式開發的軟體，例如作業系統、編譯程式、組譯程式、載入器與連結器等，屬電腦基本運作所需，使用者通常不直接以它完成文書工作。MS-Word 是文書處理應用程式，提供使用者編輯文件，並非系統程式，因此選 MS-Word。

第74題

一直流升降壓式轉換器之電路如下圖所示,設電路由理想元件組成,並操作於穩定狀態。開 關切換頻率為100 k H z ,V = 20 V ,V = - 30 V ,R = 10 Ω ,則使 為連續之最小電感為若干μ H ? 1. 2 2. 4 3. 6 4. 8 μ H 。

答案：(4) 8 μ H

第75題

有關S S R 之敘述,下列何者錯誤? 1. 壽命長 2. 不易受感應干擾 3. 動作速度很快 4. 電力消耗小。

答案：(2) 不易受感應干擾

解析：SSR 雖以光耦合隔離輸入與輸出，但輸出端為半導體開關，對突波電壓、電壓上升率及電磁感應雜訊仍相當敏感，可能誤觸發或損壞，通常需加 RC 緩衝器或突波吸收器，所以「不易受感應干擾」並不正確。SSR 無機械接點，故壽命長、切換速度快，控制端消耗功率也小。

第76題

下列放大器各種增益之表示法何者為錯誤? 1. 電壓增益G v = 20 log ( V o u t / V i n ) 2. 電流增益G i = 20 log( I o u t / I i n ) 3. 功率增益G p = 10 log ( V o u t × I o u t ) / ( V i n × I i n ) 4. 功率增益G p = 20 log ( V o u t × I o u t ) / ( V i n × I i n ) 。

答案：(4) 功率增益G p = 20 log ( V o u t × I o u t ) / ( V i n × I i n )

解析：放大器增益以分貝表示時，電壓增益與電流增益採 20 log(輸出／輸入)，功率增益則採 10 log(輸出功率／輸入功率)。因功率等於電壓乘電流，所以 Gp＝10 log[(Vout×Iout)／(Vin×Iin)]；選項 4 誤用 20 log，會使功率增益數值變成兩倍，故錯誤。

第77題

下圖所示之符號,為何種元件之圖示符號? 1. 增強型P 通道F E T 2. 空乏型N 通道F E T 3. 增強型N 通道F E T 4. 空乏型P 通道F E T 。

答案：(3) 增強型N 通道F E T

第78題

加輸入電源110 V 、60 H z 於一電路中,功率為1 k W ,功率因數為0 . 8 ,為提高功率因數至0 . 95 ,則應並聯之電容值為多少? 1. 77 . 6 μ F 2. 92 . 4 μ F 3. 7 . 76 μ F 4.

答案

• 2

解析：並聯電容提高功率因數的公式為 C＝P(tanφ1－tanφ2)／(2πfV²)。由 cosφ1＝0.8 得 tanφ1＝0.75；由 cosφ2＝0.95 得 tanφ2≈0.329。代入 P＝1000 W、V＝110 V、f＝60 Hz：C＝1000×(0.75－0.329)／(2π×60×110²)≈9.24×10⁻⁵ F＝92.4 μF。

第79題

如圖所示之電路,若所有之電阻皆為1 k Ω ,則I 為多少m A ? 1. 1 2. - 5 3. - 1 4. 5 。

答案：(2) - 5

第80題

量測寬頻域之振動頻率時,以下列何種方式之響應最快? 1. 壓電效應 2. 雷射光學式 3. 超音波檢測 4. 電磁效應。

答案：(2) 雷射光學式