民國102年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第19題
有關快閃記憶體( F l a s h M e m o r y ) 之敘述,下列何者為錯誤?
題目
有關快閃記憶體( F l a s h M e m o r y ) 之敘述,下列何者為錯誤?
- (1) 位元成本低於E E P R O M
- (2) 可電抹除
- (3) 可寫入
- (4) 為揮發性記憶體
官方答案
(4) 為揮發性記憶體
解析
快閃記憶體屬於非揮發性記憶體，電源移除後資料仍可保存，因此「為揮發性記憶體」的敘述錯誤。它可藉由電場進行抹除（可電抹除）、可重複寫入，且採高密度陣列結構，位元成本低於 EEPROM。真正屬於揮發性的是 DRAM、SRAM 等，斷電即失去資料。本題要選錯誤者，故答案為 4。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。