民國103年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第56題
有關快閃記憶體( F l a s h M e m o r y ) 之敘述,下列何者為錯誤?
題目
有關快閃記憶體( F l a s h M e m o r y ) 之敘述,下列何者為錯誤?
- (1) 可電抹除
- (2) 位元成本低於E E P R O M
- (3) 可寫入
- (4) 為揮發性記憶體
官方答案
(4) 為揮發性記憶體
解析
快閃記憶體屬非揮發性記憶體，斷電後資料仍可保存，使用時以區塊為單位抹除、可重複寫入。其儲存單元為單一浮閘電晶體，密度高，位元成本低於 EEPROM。因此「為揮發性記憶體」的敘述錯誤；揮發性記憶體是指 DRAM、SRAM 等一旦斷電資料即消失者。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。