民國106年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第26題
與矽二極體( S i l i c o n D i o d e ) 相較,對肖特基二極體( S c h o t t k y D i o d e ) 之敘述以下何者…
題目
與矽二極體( S i l i c o n D i o d e ) 相較,對肖特基二極體( S c h o t t k y D i o d e ) 之敘述以下何者有 誤?
- (1) 反向回復( R e v e r s e R e c o v e r y ) 時間較長
- (2) 較低反向崩潰電壓( R e v e r s e B r e a k d o w n V o l t a g e )
- (3) 切換( S w i t c h i n g ) 速度較快
- (4) 較低之導通壓降( O n - s t a t e V o l t a g e )
官方答案
(1) 反向回復( R e v e r s e R e c o v e r y ) 時間較長
解析
肖特基二極體採用金屬－半導體接面，以多數載子導通，幾乎沒有少數載子儲存效應，因此反向回復時間極短、切換速度快，導通壓降約 0.3～0.5 V，均優於矽二極體；但其反向崩潰電壓較低。故「反向回復時間較長」的敘述錯誤，這正是它適合高頻電路的原因。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。