民國108年 第1梯次 電力電子甲級 學科
第71題
有關金氧半場效應電晶體(MOSFET),下列敘述何者正確?
題目
有關金氧半場效應電晶體(MOSFET),下列敘述何者正確?
- (1) 閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽
- (2) 增強型P 通道與空乏型N 通道特性完全相同
- (3) 與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續
- (4) 閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
官方答案
(1) 閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽、(3) 與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續、(4) 閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
解析
MOSFET 屬電壓控制元件，閘極與通道之間隔著一層二氧化矽絕緣層，形成極大輸入阻抗，所以閘極到源極的直流電阻接近無窮大，靜態幾乎不取電流。空乏型在製造時需額外做離子佈植（通道佈植）预先形成通道，屬於常開元件；增強型則無此步驟，屬常閉元件。第 2 項錯誤：P 通道增強型與 N 通道空乏型在導電載子極性、臨界電壓正負與常開常閉特性上完全不同，不可能特性相同。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。