民國108年 第2梯次 電力電子甲級 學科
第71題
下列哪些選項符合氮化鎵場效電晶體(GaN FET)的結構與特性?
題目
下列哪些選項符合氮化鎵場效電晶體(GaN FET)的結構與特性?
- (1) 與矽MOSFET 相較,其閘極漏電流較小
- (2) 閘極儲存電荷低
- (3) 低導通電阻
- (4) 切換頻率可達10MHz 以上
官方答案
(2) 閘極儲存電荷低、(3) 低導通電阻、(4) 切換頻率可達10MHz 以上
解析
GaN 屬寬能隙材料，臨界電場高，元件耐壓層可做得較薄，因此導通電阻低；其閘極電荷與寄生電容小，可大幅降低開關損失，切換頻率可達10 MHz以上。GaN HEMT常無矽MOSFET的體二極體，也沒有反向恢復問題。閘極漏電流與閘極絕緣結構及製程有關，並不保證比矽MOSFET小，故不選1。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。