民國111年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第67題
下列哪些選項符合碳化矽二極體(SiCdiode)的結構與特性?
題目
下列哪些選項符合碳化矽二極體(SiCdiode)的結構與特性?
- (1) 反向恢復時間(backward recovery ti me)極短
- (2) 逆向崩潰電壓低
- (3) 溫度升高時,反向恢復時間增加很少
- (4) 切換速度快
官方答案
(1) 反向恢復時間(backward recovery ti me)極短、(3) 溫度升高時,反向恢復時間增加很少、(4) 切換速度快
解析
碳化矽（SiC）為寬能隙材料，崩潰電場高，因此逆向崩潰電壓高，而不是低。SiC 二極體多為蕭特基結構，反向恢復電荷極少、恢復時間極短，切換速度快；且高溫時反向恢復特性變化小，適合高頻、高溫操作。選項 2 說崩潰電壓低，與 SiC 的高耐壓特性相反。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。