民國99年 第3梯次 電力電子乙級 學科
第34題
較適合製造高容量記憶體者為
題目
較適合製造高容量記憶體者為
- (1) S R A M
- (2) E P R O M
- (3) E E P R O M
- (4) D R A M
官方答案
(4) D R A M
解析
DRAM 的記憶胞由一個電晶體與一個電容組成，結構簡單、單位面積儲存密度高、每位元成本低，因此最適合製造高容量記憶體；缺點是需要週期性刷新。SRAM 通常由多個電晶體組成，速度快但密度低；EPROM 與 EEPROM 雖具非揮發性，記憶胞結構較複雜，並不以高容量與低成本取勝。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。