民國99年 第3梯次 11600 電力電子乙級 學科考古題與答案

第1題

S C R 可以藉由什麼方式使其關閉? 1. 在閘極加上大的正電壓 2. 在閘極加上大的負電壓 3. 在閘極加上大的負脈波電壓 4. 陽極電流中斷。

答案：(4) 陽極電流中斷

解析：SCR 一經閘極觸發導通後，閘極即失去控制力，無法以閘極正、負電壓或負脈波使其關斷。唯當陽極電流降至保持電流以下（如陽極電流中斷、外加換流電路使其反偏）方能關斷。故選項1~3皆錯，正確為陽極電流中斷。

第2題

設計切換式電源供應器( S w i t c h i n g P o w e r S u p p l y ) 時,一般不會使功率元件操作於下列何種 模式中? 1. 截止區( C u t - o f f R e g i o n ) 2. 主動區( A c t i v e R e g i o n ) 3. 飽和區( S a t u r a t i o n R e g i o n ) 4. 逆偏壓區( R e v e r s e - b i a s R e g i o n ) 。

答案：(2) 主動區( A c t i v e R e g i o n )

解析：切換式電源供應器為降低開關損失，功率元件應工作在截止區(off)與飽和/導通區(on)兩狀態，使 V×I 乘積極小。主動區（線性區）下元件同時承受高電壓與大電流，P=V×I 損耗極大而發熱嚴重，故設計上應避免。因此一般不操作於主動區。

第3題

一電阻器色碼標示為藍灰金金其電阻為 1. 68 ± 5 % Ω 2. 6 . 8 ± 5 % Ω 3. 6 . 8 ± 2 . 5 % Ω 4. 0 . 68 ± 5 % Ω。

答案：(2) 6 . 8 ± 5 % Ω

解析：色碼讀法：第一碼藍＝6，第二碼灰＝8，第三碼金為倍率 ×0.1，第四碼金為誤差 ±5%。因此電阻值＝68×0.1＝6.8 Ω，誤差 ±5%。若把金色誤當成倍率 ×1 就會讀成 68 Ω，這是常見錯誤；金色倍率為 0.1、銀色為 0.01，故正確標示為 6.8 Ω±5%。

第4題

清除銼刀齒上的鐵屑時,應使用 1. 乾淨布 2. 清潔液 3. 鋼刷 4. 毛刷。

答案：(3) 鋼刷

第5題

平面上有一很長導體,其電流為I ,方向為南往北流動,若導磁係數為μ ,則在導體東邊距 離為d 處之磁通密度B 大小為? 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 2

第6題

高低溫及噪音所造成人體傷害是屬於下列何種傷害? 1. 化學性 2. 人體工學性 3. 生物性 4. 物理性。

答案：(4) 物理性

解析：依職業安全衛生的危害分類，高低溫（熱危害）與噪音都屬於作業環境中的物理性因子，造成的傷害稱為物理性危害，例如熱衰竭、燙傷與聽力損失。化學性危害指有害化學物質暴露；生物性危害指細菌、病毒等病原體；人體工學性危害指姿勢不良、搬運或重複動作造成的肌肉骨骼傷害，故選物理性。

第7題

當溫度上升時,半導體之電阻 1. 降低 2. 增加 3. 不變 4. 成絕緣體。

答案：(1) 降低

解析：半導體屬於負溫度係數材料。溫度上升時，本質激發加劇，電子與電洞的載子濃度增加，可參與導電的電荷數變多，因此導電率上升、電阻下降。此現象與金屬導體因晶格振動加劇而使電阻上升的情形相反。實務上 PN 接面元件的特性也會隨溫度漂移，散熱設計與溫度補償不可忽略，以維持電路工作點穩定。

第8題

若三用電表內部電池沒電時,則無法量測 1. 電阻值 2. 電流值 3. 電壓值 4. d B 值。

答案：(1) 電阻值

解析：指針式三用電表的電阻檔必須由內部電池提供測試電壓，將待測電阻串接於測試回路，利用流過的微小電流使指針偏轉，再換算成阻值；若內部電池沒電，就無法建立測試電流，所以不能量測電阻。電壓檔與電流檔主要取用待測電路本身的電源，dB 檔通常也是交流電壓的對數刻度，因此不受內部電池影響。

第9題

下圖中的P U T 是在多少電壓時會導通? 1. 8 . 2 V 2. 9 . 2 V 3. 10 . 2 V 4. 11 . 2 V 。

答案：(1) 8 . 2 V

第10題

有關單相全橋式二極體整流器之直流鏈電容的敘述,下列何者正確? 1. 直流鏈電容愈大,濾波效果差 2. 直流鏈電容愈大,單相輸入功因愈高 3. 直流鏈電容愈大,濾波效果愈佳 4. 直流鏈電容愈大,瞬時充電電流小。

答案：(3) 直流鏈電容愈大,濾波效果愈佳

解析：單相全橋二極體整流器的輸出為兩倍電源頻率的脈動直流，濾波電容的漣波估算可寫成 ΔV≈I/(f_r×C)。電容值 C 越大，在相同負載電流下電壓漣波越小，濾波效果越佳。不過大電容會使二極體導通角變窄、輸入電流諧波增大，功率因數未必提高；開機瞬間對電容充電的湧流也會變大，需加限流或軟啟動。

第11題

下圖為加法電路,若運算放大器為理想特性,則輸出 為 1. 2. 3. 4. 。

答案

• 1

第12題

以下何種邏輯閘之速度最快? 1. T T L 2. C M O S 3. E C L 4. D T L 。

答案：(3) E C L

解析：ECL 採用差動放大器與電流開關，電晶體主要工作在放大區或截止區，不進入深度飽和，少了少數載子儲存與移除的延遲，因此切換速度最快。TTL 與 DTL 的電晶體會飽和，速度受飽和延遲限制；CMOS 雖靜態耗電低，但速度受閘極電容充放電時間影響。故選 ECL，早期高速數位與通訊電路常用此邏輯家族。

第13題

下列元件何者不適用於高頻? 1. 透納二極體( T u n n e l d i o d e ) 2. 蕭特基二極體( S c h o t t k y d i o d e ) 3. 變容二極體( V a r a c t o r d i o d e ) 4. 齊納二極體( Z e n e r d i o d e ) 。

答案：(4) 齊納二極體( Z e n e r d i o d e )

解析：齊納二極體工作在逆向崩潰區，利用固定的崩潰電壓達到穩壓與過電壓保護的目的，其接面電容較大、反應速度較慢，並不適合高頻電路。透納二極體利用隧道效應，可工作至微波頻段；蕭特基二極體屬多數載子元件，沒有少數載子儲存與逆向恢復的問題，切換速度極快，常於高頻整流與開關電源中使用；變容二極體則利用逆向偏壓改變接面電容，廣泛用於高頻調諧與壓控振盪器，三者皆屬高頻元件。

第14題

感應馬達在低轉速控制時,產生之轉矩較容易受下列那一參數之影響? 1. 溫度 2. 定子電抗X 3. 轉子電抗X 4. 定子電阻R 。

答案：(4) 定子電阻R

解析：感應馬達低轉速通常以低頻降壓控制，此時定子電抗 X=2πfL 隨頻率下降而變小，定子電阻 R 的壓降 I×R 相對不可忽略，會使實際磁通與 V/f 比值偏離設定，進而影響輸出轉矩。因此低速時轉矩較容易受定子電阻影響；溫度造成銅阻變化也是間接因素，但不是主要控制參數。

第15題

下列何種材質之鐵心較適用於高頻的交換式電源中? 1. 方向性矽鋼片 2. 無方向矽鋼片 3. 鐵氧體( F e r r i t e ) 4. 高導磁合金( P e r m a l l o y ) 。

答案：(3) 鐵氧體( F e r r i t e )

解析：交換式電源的工作頻率通常在數十 kHz 以上，鐵心損耗以磁滯損耗與渦流損耗為主。鐵氧體（Ferrite）電阻率很高，可有效抑制渦流，且高頻損耗小，因此適合高頻變壓器與電感。方向性與無方向矽鋼片雖導磁良好，但電阻率低，較適合 50/60 Hz 低頻場合；高導磁合金（Permalloy）導磁率高，但高頻渦流損耗較大且成本較高，並非本題首選。

第16題

功率因數( P F ) 的定義,下列何者正確? 1. 視在功率/ 平均功率 2. 視在功率/ 虛功率 3. 平均功率/ 視在功率 4. 虛功率/ 平均功率。

答案：(3) 平均功率/ 視在功率

解析：功率因數定義為平均功率 P 與視在功率 S 的比值，即 PF=P/S。正弦電路中，視在功率 S=V_rms×I_rms，平均功率 P=V_rms×I_rms×cosθ，所以 PF=cosθ；虛功率 Q=V_rms×I_rms×sinθ。功率因數代表有效功率占視在功率的比例，數值介於 0 與 1 之間，常用來評估電源利用效率。

第17題

T R I A C 相當於兩個什麼元件反向並聯在一起? 1. D I A C 2. S C R 3. U J T 4. Z e n e r D i o d e 。

答案：(2) S C R

解析：TRIAC 為雙向導通的交流功率開關，其等效結構可視為兩顆 SCR 反向並聯，並共用閘極控制；因此在交流正、負半周都能被觸發導通，常用於交流調光、調溫與馬達相位控制。DIAC 則是雙向觸發二極體，常搭配 TRIAC 作為觸發元件，並非 TRIAC 的等效結構。這種接法讓電流可雙向流動。

第18題

50 H z 之交流三相感應電動機,若接於60 H z 電源時,其無載轉速 1. 較快 2. 較慢 3. 相等 4. 不一定。

答案：(1) 較快

解析：交流感應電動機的同步轉速公式為 ns＝120f/P，其中 f 為電源頻率、P 為極數。同一部電動機極數不變，頻率由 50 Hz 提高到 60 Hz，同步轉速變為原來的 60/50＝1.2 倍。無載轉速略低於同步轉速，也會隨頻率上升而變快；例如四極機在 50 Hz 約 1500 rpm，60 Hz 約 1800 rpm。因此無載轉速較快。

第19題

下圖( a ) 之等效電路如圖( b ) 所示,則R 、V 為多少? 1. V = 4 V ,R = 2 . 4 K Ω 2. V = 4 V ,R = 4 K Ω 3. V = 10 V ,R = 4 K Ω 4. V = 10 V ,R = 6 K Ω 。

答案：(1) V = 4 V ,R = 2 . 4 K Ω

第20題

下圖中,感應電動機V / F 曲線之規劃,何者較適用於低載省能裝置使用? 1. A 曲線 2. B 曲線 3. C 曲線 4. D 曲線。

答案：(3) C 曲線

第21題

16 腳D I P 封裝之I C 每邊有幾隻腳? 1. 2 2. 4 3. 8 4. 16 。

答案：(3) 8

解析：DIP 封裝的接腳沿著長邊兩側各排成一列。16 腳 DIP 的接腳總數為 16，平均分配到兩邊，每邊腳數為 16÷2=8 隻。編號通常由缺口或圓點標示的第一腳開始，沿一側依序數到最後一腳，再從另一側反向數回，因此兩側各 8 腳；這是早期邏輯 IC 與運算放大器常見的封裝。

第22題

電壓調整器中,限流的主要目的為何? 1. 避免調整器通過過多電流 2. 避免負載通過過多電流 3. 防止電源供應器的變壓器燒毀 4. 維持固定的輸出電壓。

答案：(2) 避免負載通過過多電流

第23題

設電壓與電流之瞬時值為υ ( t ) = 200 s i n ( ω t + 30 ° ) ,i ( t ) = 10 s i n ( ω t - 15 ° ) ,則兩者相角之關係 為 1. 電壓落後電流45 ° 2. 電壓超前電流45 ° 3. 電壓落後電流15 ° 4. 電流落後電壓15 ° 。

答案：(2) 電壓超前電流45 °

解析：電壓瞬時值相位角為 +30°，電流相位角為 -15°。兩者相位差 Δθ = θ_v - θ_i = 30° - (-15°) = 45°，正值表示電壓相位領先電流，即「電壓超前電流 45°」；亦可說電流落後電壓 45°。故選項 2 正確；選項 4 雖言電流落後電壓，但寫 15° 數值錯誤（應為 45°）。

第24題

下圖所示之電路為何種類型之轉換器? 1. 順向式( f o r w a r d ) 轉換器 2. 返馳式( f l y b a c k ) 轉換器 3. 推挽式( p u s h - p u l l ) 轉換器 4. 全橋式( f u l l b r i d g e ) 轉換器。

答案：(2) 返馳式( f l y b a c k ) 轉換器

第25題

P I D 控制器中,D 所指的控制器為 1. 比例控制器 2. 微分控制器 3. 積分控制器 4. 比例積分控制器。

答案：(2) 微分控制器

解析：PID 控制器由比例（P）、積分（I）與微分（D）三部分組成，其中 D 代表微分控制器。微分作用依誤差隨時間的變化率進行修正，能預先反應誤差趨勢，提供阻尼效果，常用來改善系統過衝並提升穩定性。比例控制器是 P，積分控制器是 I，比例積分控制器則是 PI，皆不是 D 所指的控制器。

第26題

樞密特觸發電路( S c h m i t t T r i g g e r C i r c u i t ) 有下列何種功能? 1. 可將方波轉變成鋸齒波 2. 可將方波轉變成正弦波 3. 可將方波轉變成三角波 4. 可將正弦波轉變成方波。

答案：(4) 可將正弦波轉變成方波

解析：樞密特觸發電路利用正回授形成上下兩個臨界電壓的遲滯特性，可將變化緩慢或帶雜訊的正弦波整形為上升、下降邊緣陡峭的方波，因此具有波形整形與抗雜訊功能。它不會把方波轉換成鋸齒波、正弦波或三角波；那些屬於濾波、積分或波形產生電路的功能。

第27題

有關發光二極體( L E D ) 的使用,下列敘述何者正確? 1. 順向偏壓時L E D 不會發光 2. 順向偏壓時L E D 會發光 3. 逆向偏壓時L E D 會發光 4. L E D 在使用時可用並聯電阻作限流用。

答案：(2) 順向偏壓時L E D 會發光

解析：LED 為發光二極體，順向偏壓時電子與電洞注入接面並復合，將能量以光子形式釋出，因此會發光。使用時必須串聯限流電阻，以限制順向電流，避免過電流燒毀；並聯電阻無法有效限制流經 LED 的電流。逆向偏壓時 LED 不會正常發光，過大的逆向電壓還可能造成元件損壞。

第28題

下圖所示電路中,當外加線電壓為 × 100 V 時,負載之虛功率為多? 1. 600 V A R 2. 800 V A R 3. 1800 V A R 4. 2400 V A R 。

答案：(4) 2400 V A R

第29題

一放大器之電流增益為4,電壓增益為25,則總功率增益為多少? 1. 10 d B 2. 20 d B 3. 30 d B 4. 40 d B 。

答案：(2) 20 d B

解析：總功率增益 Ap = 電壓增益 Av × 電流增益 Ai = 25 × 4 = 100（倍）。換算為分貝：Ap(dB) = 10 × log10(Ap) = 10 × log10(100) = 10 × 2 = 20 dB。亦可分別計算後相加：10log10(25) + 10log10(4) = 10log10(100) = 20 dB。故答案為 20 dB。

第30題

8051 程式記憶體最大可擴充至 1. 16 K 2. 32 K 3. 64 K 4. 128 K 。

答案：(3) 64 K

解析：8051 的程式計數器與位址匯流排為 16 位元，可定址範圍為 2 的 16 次方，即 65536 個位址，換算為 64 K 位元組。因此外接程式記憶體最大可擴充至 64 K。16 K、32 K 與 128 K 都不符合 16 位元位址線所能涵蓋的最大範圍。

第31題

下圖電路中,當R = R 、R = R 時,其輸出V o 可表示為 1. V o = R / R 2. V o = R / R 3. V o = R / R ( V - V ) 4. V o = R / R ( V - V ) 。

答案：(4) V o = R / R ( V - V )

第32題

有關雙接面電晶體( B J T ) 作開關元件,下列敘述何者正確? 1. 作開關使用,其工作於作用區 2. 可用基極電流控制此電晶體之導通與截止狀態 3. 當此電晶體為飽和區操作時,其集- 射極之電壓非常高 4. 電晶體之半導通接面不會儲存電荷。

答案：(2) 可用基極電流控制此電晶體之導通與截止狀態

解析：BJT當開關使用時，應操作在截止區與飽和區，並以基極電流控制集極電流，使電晶體導通或截止。飽和區時集-射極電壓很低，接近零，功率損耗小；作用區主要用於放大。半導體接面在導通與截止切換時會儲存電荷，會影響開關速度，因此不能說不會儲存電荷。

第33題

數據機( M O D E M ) 於資料傳輸過程中,係作何種信號間的轉換? 1. 數位與類比 2. 電波與光波 3. 電波與磁波 4. 電波與聲波。

答案：(1) 數位與類比

解析：MODEM 是 modulator（調變器）與 demodulator（解調器）的縮寫。電腦輸出的是數位信號，而電話線等傳輸媒介適合傳送類比信號；發送端先把數位資料調變成類比波形送出，接收端再把類比波形解調還原成數位資料。因此數據機的功能是數位信號與類比信號之間的轉換。電波與光波、電波與磁波、電波與聲波的轉換分別屬於光纖、天線與磁場耦合，以及喇叭、麥克風等元件的工作，並非數據機的主要功能。

第34題

較適合製造高容量記憶體者為 1. S R A M 2. E P R O M 3. E E P R O M 4. D R A M 。

答案：(4) D R A M

解析：DRAM 的記憶胞由一個電晶體與一個電容組成，結構簡單、單位面積儲存密度高、每位元成本低，因此最適合製造高容量記憶體；缺點是需要週期性刷新。SRAM 通常由多個電晶體組成，速度快但密度低；EPROM 與 EEPROM 雖具非揮發性，記憶胞結構較複雜，並不以高容量與低成本取勝。

第35題

一個達靈頓對的每個電晶體 都是125,如果 是560 Ω,則輸入阻抗為 1. 560 Ω 2. 70 k Ω 3. 8 . 75 M Ω 4. 140 k Ω 。

答案：(3) 8 . 75 M Ω

解析：達靈頓對（Darlington pair）由兩顆BJT串接，總電流增益 β_total ≈ β1×β2。已知每顆β=125，故 β_total = 125×125 = 15625。其輸入阻抗約為 Zin ≈ β_total × R = 15625 × 560 Ω = 8,750,000 Ω = 8.75 MΩ。選項1（560 Ω）為單一電阻值；選項2（70 kΩ）與選項4（140 kΩ）均遠小於達靈頓之高輸入阻抗特性，故正確為選項3。

第36題

下圖所示為單相逆變換器( i n v e r t e r ) 之輸出週期性交流方波電壓v ( t ),其總諧波失真率( T H D ) 為何? 1. 32 % 2. 36 % 3. 48 % 4. 72 % 。

答案：(3) 48 %

第37題

下列何種突波吸收零件是隨外加電壓而電阻值會變化之具有電壓依存性的電阻器,且當電壓 超過其額定值時,電阻值會急速下降? 1. 以C、R 作成的吸收器 2. 以C、R、D 作成的箝位電路 3. 以矽P N 接合之零件 4. 變阻器。

答案：(4) 變阻器

解析：變阻器（Varistor）是一種電壓依存型電阻器，正常電壓下呈高電阻，當外加電壓超過額定值時，電阻值會急速下降，將突波能量導引吸收，常用於過電壓保護。以 C、R 組成的吸收器及以 C、R、D 組成的箝位電路，都是包含多個元件的電路組合，並非題幹所述單一且電阻值隨電壓變化的元件。

第38題

內阻200 Ω 之電流表,欲獲得倍增率20 時,則分流電阻應為多少? 1. 9 . 5 Ω 2. 10 Ω 3. 10 . 5 Ω 4. 11 Ω 。

答案：(3) 10 . 5 Ω

解析：設電流表滿刻度電流為 Im、內阻 Rm＝200 Ω，分流電阻為 Rsh，倍增率 m＝I/Im＝20。分流電阻與電流表並聯，兩端電壓相等：Im×Rm＝(I－Im)×Rsh，因此 Rsh＝Rm/(m－1)＝200/(20－1)＝200/19≈10.53 Ω，最接近 10.5 Ω。9.5 Ω、10 Ω 與 11 Ω 代入後都無法得到倍增率 20。

第39題

下列何種程式語言翻譯器係一面翻譯一面執行的翻譯器? 1. 直譯程式( I n t e r p r e t e r ) 2. 編譯程式( C o m p i l e r ) 3. 組譯程式( A s s e m b l e r ) 4. 連結程式( L i n k e r ) 。

答案：(1) 直譯程式( I n t e r p r e t e r )

解析：直譯程式（Interpreter）採「逐行翻譯、逐行執行」的方式，不先產生完整的目的檔，程式修改後可立即重新執行，除錯方便，但每次執行都要重新翻譯，執行效率較低。編譯程式（Compiler）先把整個原始程式翻譯成目的碼，再交連結程式產生可執行檔後才執行；組譯程式（Assembler）是把組合語言翻成機器碼；連結程式（Linker）負責合併目的檔與函式庫。故選1。

第40題

電力電子轉換器一般由下列那三種主要元件所組成? 1. 電阻、電容、電感 2. 功率開關、電容、 電阻 3. 電阻、電感、功率開關 4. 功率開關、電感、電容。

答案：(4) 功率開關、電感、電容

解析：電力電子轉換器靠功率開關（如 MOSFET、IGBT）進行高頻切換，並以電感儲能、濾波與限制電流漣波，以電容儲能、濾波與穩定輸出電壓，三者構成降壓、升壓、升降壓及隔離等基本拓撲。電阻主要消耗能量，並非轉換器的三大核心元件，故選功率開關、電感、電容。

第41題

有關電器插頭的使用,下列敘述何者正確? 1. 電器插頭使用完畢,應先確定插頭已拔下 2. 拔下電器插頭時,可直接拉電線方式拔出 3. 電器插頭不必插牢 4. 電器插頭使用完畢,且暫不使用,不需將電器插頭拔下。

答案：(1) 電器插頭使用完畢,應先確定插頭已拔下

解析：電器使用完畢應先確認插頭已拔下，避免收納時仍帶電或誤觸；拔插頭時要握住插頭本體，不可直接拉扯電線，否則可能使線芯斷裂、接點鬆動或絕緣破損。插頭必須插牢，接觸不良會造成發熱與電弧。長時間不使用也應拔除插頭，以節省待機電力並降低火災風險，因此選1。

第42題

800 K W 負載的功率因數為0 . 8 ,則其無效功率為多少? 1. 400 K V A R 2. 600 K V A R 3. 800 K V A R 4. 1000 K V A R 。

答案：(2) 600 K V A R

解析：視在功率 S=P/pf=800/0.8=1000 kVA；無效功率 Q=S×sinθ，而 sinθ=√(1−0.8²)=0.6，所以 Q=1000×0.6=600 kVAR。功率因數0.8表示實功占視在功率八成，虛功占六成，此為功率三角形關係，故選600 kVAR。

第43題

下圖為單相變壓器中心抽頭式全波二極體整流電路,若 的有效值電壓皆為12 V,則此二 極體的最大逆向電壓為 1. 12 V 2. 3. 24 V 4. 。

答案

• 4

第44題

下圖所示電路,開關原來是閉合,若要讓電容C 兩端的電位差在開關打開之後,以最慢的速 率下降,電容與電阻值應選用下列何種組合? 1. C = 20 μ F , R = 1 k Ω 2. C = 20 μ F , R = 10 k Ω 3. C = 100 μ F , R = 1 k Ω 4. C = 100 μ F , R = 10 k Ω 。

答案：(4) C = 100 μ F , R = 10 k Ω

第45題

下列那一種閘流體其反向電壓阻斷能力最低? 1. S C R 2. R C T 3. M C T 4. G T O 。

答案：(2) R C T

解析：RCT（Reverse Conducting Thyristor）把閘流體與反並聯二極體整合在同一元件，反向時二極體順向導通，因此元件本身幾乎不具反向電壓阻斷能力，是四者中最低者。一般SCR具有反向阻斷接面，其餘閘流體在結構上仍可設計反向阻斷，故選RCT。

第46題

積體電路中,大型積體電路( l a r g e s c a l e i n t e g r a t e d c i r c u i t s , L S I ) I C 內含電晶體數為何? 1. 100 個以下 2. 100 ~ 1000 個 3. 1000 ~ 10000 個 4. 10000 個以上。

答案：(3) 1000 ~ 10000 個

解析：積體電路依內含元件數分級：SSI（小規模）少於100個、MSI（中規模）約100～1000個、LSI（大規模）約1000～10000個、VLSI（超大規模）超過10000個。本題問LSI，落在1000～10000個的區間，故選3。選項1屬SSI、選項2屬MSI，兩者規模都比LSI小；選項4則已進入VLSI（或ULSI）層級，電晶體數更多，並非LSI的定義範圍。

第47題

下圖電路中,流過30 Ω 電阻之電流為多少安培? 1. 0 安培 2. 0 . 5 安培 3. 1 安培 4. 2 安培。

答案：(1) 0 安培

第48題

下圖電路中,若以伏特計( 額定電壓300 V ,內阻300 K Ω ) 跨接於電容器兩端,則伏特計指示 應為多少? 1. 100 V 2. 150 V 3. 200 V 4. 300 V 。

答案：(2) 150 V

第49題

單相半波整流器若負載為一電容器,則整流器二極體之逆向峰值電壓為交流輸入電壓有效值 之 1. 1 倍 2. √2 倍 3. 2 倍 4. 2 √2 倍。

答案：(4) 2 √2 倍

解析：單相半波整流接電容濾波時，二極體導通使電容充電至峰值 Vm=√2·Vrms。當輸入交流進入負半周達 -Vm 時，二極體承受逆向電壓為電容電壓 Vm 加上反向輸入電壓 Vm，故 PIV=Vm+Vm=2Vm=2√2·Vrms。因此逆向峰值電壓為交流有效值的 2√2 倍，答案為 4。

第50題

利用電位差計量測電池電動勢之方法為 1. 比較法 2. 直接法 3. 間接法 4. 絕對法。

答案：(1) 比較法

解析：電位差計（potentiometer）量測電池電動勢時，是以已知標準電壓與待測電動勢在滑線上平衡，當檢流計指零、無電流流過電池時，電池端電壓即等於其電動勢；此法不取用待測源電流，稱為補償法，本質為與標準電壓比較的「比較法」。直接法、間接法、絕對法均不符合其零電流平衡原理，故選 1。

第51題

已知外加直流電源為± 15 V 之運算放大器u A 741 ,所得之最大輸出電壓範圍為± 13 V ,若此運 算放大器的旋轉率( s l e w r a t e ) 為0 . 5 V / μ s ,試求其全功率頻寬為何? 1. 6 2. 7 3. 8 4. 9 k H z 。

答案：(1) 6

解析：全功率頻寬受旋轉率限制，公式為 f=SR/(2πVp)。SR=0.5 V/μs=0.5×10⁶ V/s，最大輸出峰值 Vp=13 V，代入得 f=0.5×10⁶/(2π×13)≈6121 Hz，約6 kHz。此頻率是輸出仍能維持滿振幅弦波的上限，超過後波形會因斜率不足而失真，故選6 kHz。

第52題

工作場所中之禁止標誌都採紅邊之 1. 圓形 2. 三角形,底在上 3. 三角形,底在下 4. 正方形。

答案：(1) 圓形

解析：依職業安全衛生標示設置相關規定，禁止標誌採紅色圓形（圓內加斜線）表示禁止行為；警告標誌為黃底黑邊的三角形；注意或一般說明標誌則用正方形或長方形。因此工作場所的禁止標誌為紅邊圓形，而非三角形或正方形。

第53題

利用金氧半場效電晶體控制導通與否的閘流體稱為 1. S I T H 2. R C T 3. M C T 4. G T O 。

答案：(3) M C T

解析：MCT（MOS Controlled Thyristor，金氧半控制閘流體）以MOSFET作為閘極控制，具高輸入阻抗、電壓驅動及可導通與關斷特性。SITH為靜電感應閘流體，RCT為反向導通閘流體，GTO則以閘極電流關斷，皆不是以金氧半場效電晶體作為主要控制方式，故選MCT。

第54題

工程製圖中之中文字一般用 1. 簡體 2. 繁體 3. 隸體 4. 宋體。

答案：(4) 宋體

第55題

十進制數- 21 的8 位元二進制之有號數2 補數法表示為 1. 11101011 2. 1010101 3. 01101011 4. 0010101 。

答案：(1) 11101011

解析：8位元有號數2補數法：先寫出+21的二進位00010101，再將各位元反相得11101010，最後加1得11101011，即代表-21。最高位為1表示負數。選項2與4只有7位元，且未表示負號；選項3的最高位為0，會被判讀成正數，故不正確。

第56題

單晶片微處理機8051 在做一般的重置時,重置( R S T ) 接腳保持在高電位( H i ) 至少需要幾個機 械週期? 1. 1 2. 2 3. 3 4. 4 。

答案：(2) 2

解析：8051重置時RST接腳必須維持高電位至少2個機械週期，以確保振盪電路穩定並完成內部暫存器初始化。8051一個機械週期等於12個振盪週期，因此至少需24個時脈。若只維持1個機械週期，可能因振盪尚未穩定而重置失敗，故選2。

第57題

下圖所示為R L C 並聯電路,其總電流I 為多少? 1. 11 . 2 A 2. 12 . 6 A 3. 15 . 0 A 4.

答案

• 1

第58題

剝除O K 線時應使用 1. 電工刀 2. 剝線鉗 3. 斜口鉗 4. 尖嘴鉗。

答案：(2) 剝線鉗

解析：剝除OK線的絕緣層應使用剝線鉗，其刃口有對應線徑的孔位，可控制剝除深度，避免傷及芯線或造成斷股。電工刀容易割傷導體與手部；斜口鉗與尖嘴鉗主要用於剪切及夾持，並不適合剝線。

第59題

某1 K V A 之電感性負載其功率因數為0 . 8,欲改善至功率因數1 . 0 須加入多少V A 之電容器? 1. 300 2. 600 3. 750 4. 900 。

答案：(2) 600

解析：視在功率 S = 1000 VA、功率因數 cosθ = 0.8，故有效功率 P = 1000×0.8 = 800 W，虛功率 Q = √(1000²−800²) = √360000 = 600 var。欲將功率因數提升至 1.0，須由並聯電容器提供全部虛功率，因此電容容量為 600 var。亦可用 Qc = P(tanθ₁−tanθ₂) = 800×(0.75−0) = 600 var 驗證。

第60題

折斷線依C N S 規定是 1. 中線 2. 不規則細線 3. 粗線 4. 虛線。

答案：(2) 不規則細線

解析：依據 CNS 工程製圖標準，折斷線（又稱破斷線）用以表示長物體中間省略不畫的部分，其畫法為不規則的細線（徒手繪製的波浪或不規則曲線），線條較細。粗線多用於輪廓線，虛線用於隱藏線，中線則非折斷線規定。因此依 CNS 規定，折斷線屬不規則細線，選項 2 正確。

第61題

若I = 10 s i n ( ω t + 50 ° )、V = 100 c o s ω t,則I、V 之相位關係為何? 1. I、V 同相位 2. I 超前V 為 40 ° 3. V 超前I 為40 ° 4. I 、V 相位差50 ° 。

答案：(3) V 超前I 為40 °

解析：先化成同一基準：cosωt＝sin(ωt＋90°)，故 V 的相位為＋90°，I 的相位為＋50°。比較兩者：90°－50°＝40°，因 V 的相位角較大，所以 V 超前 I 40°。也可用相位差公式 φ＝θV－θI＝90°－50°＝＋40°，正值代表 V 超前。若誤把 cos 當成相位 0°，就會得到 I 超前 40° 的錯誤結論；而 50° 只是 I 本身的初相角，並非兩者的相位差。

第62題

一般關於變頻器容量及牽引馬達容量之匹配為何? 1. 變頻器額定容量大於馬達額定容量 2. 變頻器額定容量等於馬達額定容量 3. 變頻器額定容量小於馬達額定容量 4. 變頻器容量與馬達容量無關。

答案：(1) 變頻器額定容量大於馬達額定容量

解析：變頻器額定容量通常應大於馬達額定容量，至少不得小於，以補償馬達效率、功率因數、諧波電流及啟動轉矩需求，避免變頻器過載跳脫或馬達出力不足。若容量小於馬達，長時間運轉易過電流；容量與馬達並非無關，故選變頻器容量大於馬達容量。

第63題

有關變頻器( i n v e r t e r ) 之弦式脈波寬度調變( s i n u s o i d a l p u l s e - w i d t h m o d u l a t i o n ) ,下列敘述 何者正確? 1. 減少輸出電壓之低次諧波含量 2. 增加輸出電壓之低次諧波含量 3. 基本波為弦波命令與載波之方波作比較 4. 基本波為方波命令與載波之三角波作比較。

答案：(1) 減少輸出電壓之低次諧波含量

解析：弦式脈波寬度調變以低頻正弦波作為參考命令，並以高頻三角波作為載波，將兩者比較後產生寬度隨正弦變化的脈波。如此可大幅降低輸出電壓的低次諧波含量，使諧波集中在載波頻率附近。選項2所述方向相反；選項3、4把載波誤認為方波，或把命令誤認為方波，均不正確。

第64題

若一電容器C 與6 μ F 電容器串聯,其總電容值為2 μ F 時,則電容器C 之電容值應為多少? 1. 3 μ F 2. 4 μ F 3. 8 μ F 4. 12 μ F 。

答案：(1) 3 μ F

解析：串聯電容的倒數相加：1/Ct=1/C+1/6。已知 Ct=2 μF，所以 1/2=1/C+1/6，移項得 1/C=1/2−1/6=3/6−1/6=2/6=1/3，因此 C=3 μF。串聯後總電容必小於任一電容，3 μF 小於6 μF，結果合理，故選3 μF。

第65題

下圖所示電路之輸出Y 為 1. 0 2. 1 3. A 4. B 。

答案：(2) 1

第66題

二進制中之11110001 和01010101 作A N D 運算後可得十六進制數為 1. 4 A 2. 51 3. 6 B 4. F 5 。

答案：(2) 51

解析：先將兩數逐位做 AND（同為1才得1）：11110001 AND 01010101 = 01010001。再將結果每4位分一組，0101 對應十六進制 5，0001 對應 1，故為 0x51。選項2正確。此題關鍵在 AND 邏輯與二進制轉十六進制：高4位0101=5、低4位0001=1，合起來即 51H，故選2。

第67題

下圖電路中A、B 是輸入端, 是輸出端,這是什麼電路? 1. 高態動作2 對4 解碼器 2. 高態動作2 對4 多工器 3. 低態動作2 對4 解碼器 4. 低態動作2 對4 多工器。

答案：(3) 低態動作2 對4 解碼器

第68題

如下圖所示電路,若 ,則10 V 電源所供應電功率為多少瓦? 1. 10 2. 25 3. 4099 電力電子乙 7 - 6 ( 序002 ) 0 4. 50 。

答案：(4) 50

第69題

示波器的輸入信號波形看不見的原因,下列何者有誤? 1. 電源未開或示波器己故障 2. 若僅有時基線,不是信號源漏失就是輸入耦合設定在G N D,使得信號無法進入示波器 3. 時基線位置調整超出螢光幕之範圍 4. 亮度控制調整鈕調整過大。

答案：(4) 亮度控制調整鈕調整過大

解析：亮度(Brightness/INTENSITY)調整過大會使掃描線過亮甚至刺眼，不會導致看不見；看不見通常是亮度不足或無訊號。選項1電源未開或故障、選項2耦合設GND或訊號源漏失、選項3時基线調出螢幕，均為合理不可見原因。故「有誤」者為選項4。

第70題

下列敘述何者錯誤? 1. 工業安全的目的是防止職業災害的發生 2. 評估一個事業單位的安全衛生績效,主要是依據傷害頻率決定 3. 工作場所一定會有人受傷,此種主觀認定是正確的 4. 工作安全分析可以發現工作場所之潛在危險。

答案：(3) 工作場所一定會有人受傷,此種主觀認定是正確的

解析：工業安全的本質是不斷消除危害、追求零災害；「工作場所一定會有人受傷」是宿命論的錯誤觀念，會削弱改善動機，所以選項3的敘述錯誤。選項1指出工業安全的目的在防止職業災害發生；選項4指出工作安全分析能辨識作業中的潛在危險，兩者都是正確觀念。實務上，安全衛生績效需綜合傷害頻率、嚴重率、稽核與巡檢結果等多項指標評估，不能只看單一數據。

第71題

在熔接作業、大電力開關及馬達轉動等場合,安裝微電子電路時,下列何種方法無法避免強 電場或強電磁場之干擾? 1. 遠離該電磁環境後安裝 2. 將全部的微電子電路隔離 3. 將安裝電路的外框良好接地 4. 在微電子電路中的電源利用電感接地。

答案：(4) 在微電子電路中的電源利用電感接地

解析：避免強電磁干擾的常用對策為遠離干擾源、將微電子電路屏蔽隔離、以及機殼外框良好接地，這三項都有效（選項1、2、3）。選項4「電源利用電感接地」並非正確濾波方式：電源去耦應使用電容接地以旁路高頻雜訊，而非電感接地；電感接地無法有效抑制傳導或輻射干擾，故無法避免干擾，選4。

第72題

電磁相容性測試基本上驗證產品量產上市前是否符合電磁相容規範,下列測試何者非為電磁 相容性測試項目? 1. 傳導發射( c o n d u c t e d e m i s s i o n ,C E ) 測試 2. 輻射發射( r a d i a t e d e m i s s i o n ,R E ) 測試 3. 傳導耐受性 ( c o n d u c t e d s u s c e p t i b i l i t y ,C S ) 測試 4. 產品可靠度( p r o d u c t s r e l i a b i l i t y ) 測試。

答案：(4) 產品可靠度( p r o d u c t s r e l i a b i l i t y ) 測試

解析：電磁相容性（EMC）測試分為發射與耐受（抗擾）兩大類：傳導發射 CE、輻射發射 RE 屬發射測試；傳導耐受 CS 屬抗擾度測試，均為 EMC 項目（選項1、2、3）。產品可靠度測試是評估產品在時間與環境下的失效機率，屬可靠度工程範疇，非電磁相容規範要求，故選4。

第73題

作電源供應器之輸出暫態響應測試時,下列何者為必備之設備? 1. 直流電源供應器 2. 儲存示波器 3. 數字式精密電表 4. 電力分析儀。

答案：(2) 儲存示波器

解析：輸出暫態響應測試是在負載階躍變化時，觀察電源輸出電壓的過衝、下陷與恢復時間，屬快速暫態訊號，須用可擷取並儲存波形的儲存示波器才能分析。數字電表僅測穩態值、電力分析儀與直流電源供應器非觀測暫態必需，故必備設備為儲存示波器，選2。

第74題

電壓增益+6 d B 相當於電壓放大為多少倍? 1. 2 倍 2. 3 倍 3. 4 倍 4. 6 倍。

答案：(1) 2 倍

解析：電壓增益以分貝表示時公式為 G(dB)＝20·log10(A_v)，其中 A_v 為電壓放大倍數。已知 G＝＋6 dB，代入得 6＝20·log10(A_v)，故 log10(A_v)＝0.3，A_v＝10^0.3≈1.995≈2 倍。亦可記憶：電壓每增 6 dB 約放大 2 倍，每增 20 dB 放大 10 倍。選項 2、3、4 倍數與計算結果不符。

第75題

邏輯電路中,若輸入信號至少有一個為1 ,則輸出為1 的邏輯閘是 1. 及閘 2. 或閘 3. 反閘 4. 反或閘。

答案：(2) 或閘

解析：或閘（OR gate）的邏輯為：只要輸入中至少有一個為1，輸出即為1；全部輸入為0時輸出才為0。及閘须全部為1才輸出1；反閘為單輸入反相；反或閘為或閘後反相（全0才輸出1）。題述「至少一個為1則輸出1」正符合或閘定義，故選2。

第76題

下圖中,2 圈緊繞的圓形線圈,其電流I 為10 A ,若半徑r 為0 . 2 m 則圓心( B 點) 的磁場強度 為多少? 1. 30 A T / m 2. 40 A T / m 3. 50 A T / m 4. 60 A T / m 。

答案：(3) 50 A T / m

第77題

場效電晶體F E T 作放大器動作時,其工作點範圍應在 1. 動作區 2. 歐姆區 3. 截止區 4. 定電壓區。

答案：(1) 動作區

解析：場效電晶體作線性放大器時，須工作於主動區（又稱飽和區、動作區），使汲極電流受閘源電壓控制且具高輸出電阻，方能不失真放大。歐姆區（線性區）用於開關導通；截止區不導通；定電壓區非放大工作點。故工作點應置於動作區，選1。

第78題

4 k b y t e 的記憶體,其資料線為8 位元,則其位址線( a d d r e s s l i n e ) 須多少? 1. 8 2. 9 3. 11 4. 12。

答案：(4) 12

解析：記憶體容量 = 2^位址線數 × 資料線寬。4 kbyte = 4096 bytes，資料線8位元恰對應每個位址存1 byte。需滿足 2^n = 4096，因 2^12 = 4096，故位址線須 12 條。選項8、9、11 分別僅對應 256、512、2048 位址，不足 4096，故選4。

第79題

三相二極體橋式全波整流器輸入交流相電壓有效值為127 V,若負載為100 Ω 電阻,則每個二 極體所承受的逆向峰值電壓為多少? 1. 127 V 2. 220 V 3. 220 √2 V 4. 220 √3 V 。

答案：(3) 220 √2 V

解析：三相橋式全波整流每二極體承受逆向峰值電壓 PIV 等於線電壓峰值。相電壓有效值127V，線電壓有效值 V_LL=√3×127≈220V，線電壓峰值=√2×V_LL=220√2 V。故每二極體 PIV = 220√2 V，選3。選項1為相電壓、選項2為線電壓有效值、選項4為線電壓有效值再乘√3，均非峰值。

第80題

下圖電路中,若變壓器為理想且匝比為10 :1 ,當輸入正弦波電壓V i n 有效值為100 V 且輸 出電流為零時,其輸出電壓V o 為 1. 8 . 79 V 2. 14 . 14 V 3. 28 . 28 V 4.

答案

• 2