民國103年 第3梯次 電力電子乙級 學科
第31題
較適合製造高容量記憶體者為
題目
較適合製造高容量記憶體者為
- (1) E P R O M
- (2) D R A M
- (3) S R A M
- (4) E E P R O M
官方答案
(2) D R A M
解析
動態隨機存取記憶體（DRAM）每個記憶單元僅由一個電晶體與一個電容組成（1T1C），結構簡單、佔用面積小，故在相同晶片面積下可達到最高的儲存密度，最適合製作大容量主記憶體。靜態隨機存取記憶體（SRAM）需六個電晶體構成一個閂鎖電路，速度快但單元面積大、密度低，多用於快取。EPROM與EEPROM屬非揮發性記憶體，因製程較複雜且單元體積大，容量通常不如DRAM。因此高容量記憶體首選DRAM。
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