民國103年 第3梯次 電力電子乙級 學科
第32題
有關金氧半場效電晶體( M O S F E T ) 元件的敘述,下列何者有誤?
題目
有關金氧半場效電晶體( M O S F E T ) 元件的敘述,下列何者有誤?
- (1) M O S F E T 具有低雜音及熱穩定性良好的特點
- (2) 其絕緣層很厚,閘源極間( ) 耐壓很高
- (3) M O S F E T 可分為空乏型及增強型兩種
- (4) M O S F E T 較接面場效電晶體( J F E T ) 有更高的輸入電阻
官方答案
(2) 其絕緣層很厚,閘源極間( ) 耐壓很高
解析
金氧半場效電晶體（MOSFET）的閘極與通道之間為一層極薄的二氧化矽絕緣層（閘極氧化層），並非很厚；由於氧化層很薄，閘源極間耐壓反而有限，一般額定僅約±20V，過壓易擊穿。故選項2「絕緣層很厚、耐壓很高」敘述有誤。其餘正確：MOSFET具高輸入阻抗、低雜音、熱穩定性佳；依通道是否存在可分為增強型與空乏型；且因絕緣閘極，輸入電阻高於接面場效電晶體（JFET）。
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