民國109年 第3梯次 電力電子乙級 學科
第39題
較適合製造高容量記憶體者為
題目
較適合製造高容量記憶體者為
- (1) DRAM
- (2) SRAM
- (3) EEPROM
- (4) EPROM
官方答案
(1) DRAM
解析
DRAM 每個記憶胞僅由一個電晶體加一個電容構成，結構簡單、單位面積能容納的位元數多，因此位元成本最低，最適合製作高容量主記憶體；代價是需要週期性刷新，且速度較慢。SRAM 每個胞通常要六個電晶體，速度快、免刷新，但密度低、成本高，主要用於快取記憶體。EEPROM 與 EPROM 屬非揮發性記憶體，寫入須高電壓、速度慢、耐久度有限，密度也不如 DRAM，因此不適合當作大容量記憶體。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。