民國111年 第3梯次 電力電子乙級 學科
第65題
有關金氧半場效應電晶體(MOSFET)特性敘述,下列何者正確?
題目
有關金氧半場效應電晶體(MOSFET)特性敘述,下列何者正確?
- (1) N 通道空乏型之夾止電壓(V P)為負值
- (2) P 通道增強型之臨界電壓(VT)正值
- (3) 閘源極電壓(VG S)為零時,增強型比起空乏型結構上少了通道
- (4) N 通道增強型之閘源極電壓(VG S)需大於臨界電壓(VT)才能導通電流
官方答案
(1) N 通道空乏型之夾止電壓(V P)為負值、(3) 閘源極電壓(VG S)為零時,增強型比起空乏型結構上少了通道、(4) N 通道增強型之閘源極電壓(VG S)需大於臨界電壓(VT)才能導通電流
解析
N通道空乏型在 VGS＝0 時已存在內建通道，必須加上負的閘源極電壓才會夾止，故夾止電壓 VP 為負值。增強型在結構上未預先植入通道，VGS＝0 時不導通，需大於臨界電壓才形成通道；N通道增強型因此必須 VGS＞VT 才能導通電流。P通道增強型則需 VGS 低於（更負）臨界電壓才導通，其 VT 為負值。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。