民國103年 第3梯次 數位電子甲級 學科
第10題
下列有關增強型金氧半場效電晶體的特性何者不正確?
題目
下列有關增強型金氧半場效電晶體的特性何者不正確?
- (1) 當V =0 時I =0
- (2) 用P 型材料做基體,再擴散出兩個材料做汲( D ) 極及源極( S ) ,這種場效電晶體稱為P 通道場效電晶體
- (3) 閘極與基極、汲極或源極絕緣
- (4) 輸入阻抗比接合型場效電晶體為高
官方答案
(2) 用P 型材料做基體,再擴散出兩個材料做汲( D ) 極及源極( S ) ,這種場效電晶體稱為P 通道場效電晶體
解析
增強型（空乏型相對）金氧半場效電晶體在VGS=0時尚未形成通道，因此ID=0，需施加超過臨界電壓的閘壓才導通，選項1正確。閘極與基體之間以二氧化矽絕緣層隔開，輸入阻抗極高，優於接合型場效電晶體（JFET），選項3、4正確。選項2的敘述有誤：以P型材料為基體、再擴散兩個N型區作為汲極與源極，導電載子為電子，應稱為N通道場效電晶體；P通道元件則是以N型基體擴散兩個P型區。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。