民國115年 初等考試 電子工程 電子學大意

第2題

pn 接面二極體,p 型和n 型雙邊的摻雜濃度皆為1016cm-3,該接面空乏層厚度為0.2 μm,接面的面積為5 μm5 μm,儲存於pn 接面某一邊的空乏…

題目

pn 接面二極體,p 型和n 型雙邊的摻雜濃度皆為1016cm-3,該接面空乏層厚度為0.2 μm,接面的面積為5 μm5 μm,儲存於pn 接面某一邊的空乏層電荷為多少? A. 4×10-15 庫倫 B. 8×10-15 庫倫 C. 12×10-15 庫倫 D. 16×10-15 庫倫

官方答案

  • 答案:A. 4×10-15 庫倫

解析

兩側摻雜同為 10^16 cm^-3,空乏區對稱,單邊寬度為 0.2 μm 的一半,即 0.1 μm。接面面積 5 μm×5 μm = 25 μm² = 2.5×10^-7 cm²,單邊空乏體積 = 2.5×10^-7 × 1×10^-5 = 2.5×10^-12 cm³。電荷 Q = q·N·體積 = 1.6×10^-19 × 10^16 × 2.5×10^-12 = 4×10^-15 庫倫。故選 A。若誤把全寬 0.2 μm 代入,會得 8×10^-15 庫倫(選項 B),那是兩邊合計的電荷,非單邊。

AI 參考解析(推得答案已與官方答案比對一致),非官方公告內容,僅供備考參考。

官方資料

答案以考選部公告之測驗式試題標準答案 PDF 為準。