以增強型N 通道MOSFET 作為開關之敘述，下列何者錯誤？

題目

以增強型N 通道MOSFET 作為開關之敘述，下列何者錯誤？ A. 夾止飽和區作為開關ON 的主要特性區域 B. 截止區作為開關OFF 的主要特性區域 C. 以閘極電壓VGS 控制開關ON 和OFF D. 閘極電壓值VGS 會影響汲極和源極間等效電阻值RDS 的大小

官方答案

• 答案：A. 夾止飽和區作為開關ON 的主要特性區域

解析

增強型 N 通道 MOSFET 做開關時，ON 狀態工作在線性區（三極管區），VDS 很小，呈現低阻值 RDS(on)；夾止/飽和區 VDS 較大，非開關導通的主要區域，故 A 錯誤。B 正確：截止區 VGS<Vth 為 OFF 狀態。C 正確：以 VGS 控制通道形成與否。D 正確：線性區 RDS≈1/[μnCox(W/L)(VGS-Vth)]，VGS 越大 RDS 越小。

AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。

官方資料

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